瞬变抑制二极管的主要参数.docx

瞬变抑制二极管的主要参数1、击穿电压V(BR)：器件在发生击穿的区域内，在规定的试验电流I(BR) 下,测得器件两端的电压称为击穿电压，在此区域内，二极管成为低阻抗的通路2、 最大反向脉冲峰值电流IPP :在反向工作时，在规定的脉冲条件下，器 件允许通过的最大脉冲峰值电流IPP和最大箝位电压Vc(MAX)的乘积，就 是瞬态脉冲功率的最大值使用时应正确选取瞬变抑制二极管，使额定瞬态脉冲 功率PPR大于被保护器件或线路可能出现的最大瞬态浪涌功率3、 最大反向工作电压VRWM (或变位电压)：器件反向工作时，在规定的 IR下，器件两端的电压值称为最大反向工作电压VRWM通常VRWM =(0. 8~0. 9) V (BR)在这个电压下，器件的功率消耗很小4、 最大箝位电压Vc(max ):在脉冲峰值电流Ipp作用下器件两端的最 大电压值称为最大箝位电压使用时，应使Vc(max )不高于被保护器件的最 大允许安全电压最大箝位电压和击穿电压之比称为箝为系数5、 反向脉冲峰值功率PPR :瞬变抑制二极管的PPR取决于脉冲峰值电 流IPP和最大箝位电压Vc(max )，除此以外，还和脉冲波形、脉冲时间及环 境温度有关。

6、 电容CPP:瞬变抑制二极管的电容由硅片的面积和偏置电压来决定，电 容在零偏情况下，随偏置电压的增加，该电容值呈下降趋势电容的大小会影响 瞬变抑制二极管器件的响应时间7、 漏电流IR：当最大反向工作电压施加到瞬变抑制二极管上时，瞬变抑制 二极管管有一个漏电流IR，当瞬变抑制二极管用于高阻抗电路时，这个漏电流 是一个重要的参数瞬变抑制二极管的使用技巧1、确定被保护电路的最大直流或连续工作电压、电路的额定标准电压和''高 端〃容限2、 瞬变抑制二极管额定反向关断VWM应大于或等于被保护电路的最大工 作电压若选用的VWM太低，器件可能进入雪崩或因反向漏电流太大影响电 路的正常工作串行连接分电压，并行连接分电流3、 瞬变抑制二极管的最大箝位电压VC应小于被保护电路的损坏电压4、 在规定的脉冲持续时间内，瞬变抑制二极管的最大峰值脉冲功耗PM必 须大于被保护电路内可能出现的峰值脉冲功率在确定最大箝位电压后，其峰值 脉冲电流应大于瞬态浪涌电流5、 对于数据接口电路的保护，还必须注意选取具有合适电容C的瞬变抑制 二极管器件6、 根据用途选用瞬变抑制二极管的极性及封装结构交流电路选用双极性 瞬变抑制二极管较为合理；多线保护选用瞬变抑制二极管阵列更为有利。

7、 温度考虑瞬态电压抑制器可以在一55~ + 150°C之间工作如果需要 瞬变抑制二极管在一个变化的温度工作，由于其反向漏电流ID是随增加而增大; 功耗随瞬变抑制二极管结温增加而下降，从+25C到+175C，大约线性下降 50%雨击穿电压VBR随温度的增加按一定的系数增加因此，必须查阅有关产 品资料，考虑温度变化对其特性的影响瞬变抑制二极管的选用原则一、大箝位电压VC （MAX）不大于电路的最大允许安全电压二、 最大反向工作电压（变位电压）VRWM不低于电路的最大工作电压, 一般可以选VRWM等于或略高于电路最大工作电压三、 额定的最大脉冲功率，必须大于电路中出现的最大瞬态浪涌功率瞬变抑制二极管的应用实例一、瞬变抑制二极管在微机中的应用实例一个典型的微机系统，通过电源线、输入线、输出线进入的各种干扰或瞬变 电压，可能使微机误动作出故障，特别是来自开关电源，微机近旁的电动机的开 和关、交流电源电压的浪涌和瞬变、静电放电等场合都可能使系统产生误动作， 严重时还可能损坏器件将瞬变电压抑制二极管接到微机的电源线输入和输出线 上，可防止瞬变电压进入''微机〃总线，加强微机对外界干扰的抵抗能力，保证微 机正常工作，提高其应用可靠性。

使用瞬变抑制二极管管的量是很多的二、瞬变抑制二极管管保护开关电源实例对开关电源设计师来讲，必须对影响开头电源的三种瞬变类型进行保护：1、 由负载变化引起的瞬变电压（电感负载）；2、 由电源线引入的瞬变电压；3、 由开关电源内部发生的瞬变电压由于电源中需要保护的典型元器件有:1、高反压开关晶体管（VMOS管）2、 高压整流器（高压流整流二极管）3、 输出整流器（输出大电流整流二极管）4、 内部控制电路（脉宽调制器等）典型开关电源中应用瞬变抑制二极管的实例，由图可见共有八个瞬变抑制二 极管管，各自保护自已的对象，当然八个瞬变抑制二极管管的特性也不同，从''击 穿电压〃、''最大脉冲峰值功率〃、''脉冲峰值电流〃到''箝位电压〃等都有区别美 国HP公司某仪器使用的开关电源，从图中可以看到该电源中所有瞬变电压抑制 二极管的数量及情况国外应用瞬变抑制二极管是非常普遍的，而且数量也是很多的，可见瞬变抑 制二极管对提高整机应用可靠性是至关重要的三、 瞬变抑制二极管保护直流稳压电源实例一个直流稳压电源，并有扩大电流输出的晶体管，在其稳压输出端加上瞬变 电压抑制二极管，可以保护使用该电源的仪器设备，同时还可以吸收电路中晶体 管的集电极到发射极间的峰值电压，保护晶体管。

建设在每个稳压源输出端增加 一个瞬变抑制二极管管，可大幅度提高整机应用可靠性四、 瞬变抑制二极管保护晶体管实例各种瞬变电压能使晶体管EB结或CE结击穿而损坏，特别是晶体管集电极 有电感性（线圈、变压器、电动机）负载时，会产生高压反电势，往往使晶体管 损坏建设采用瞬变抑制二极管管作为保护器五、 瞬变抑制二极管保护集成电路实例由于集成电路集成度越来越高，其耐压越来越低，容易受到瞬变电压的冲击 而损坏，必须采取保护措施例如CMOS电路在其输入端及输出端都有保护网 路，为了更可靠起见，在各整机对外接口处还增加各种保护网络六、 瞬变抑制二极管保护可控硅实例可控硅可能误触发导致误动作,可控硅控制极电流不能太大，电压不能过高， 必须采用各种保护措施七、 瞬变抑制二极管保护继电器实例继电器有驱动线圈，当用大功率晶体管驱动时，应采取保护措施，如图5 所示有时也采用图8所示方法来抑制线圈中的高压反电势保护晶体管，哪个 方案更好应根据实际情况决定图中二极管允许的电源应比晶体管的工作电流大 一倍左右，例如继电器线圈的最大电流IA，则二极管额定电流选23A左右， 耐压则应大于电源电压的2倍左右，例如电源电压27V,则二极管耐压应为60V 以上。