蚀刻类专利技术全集.pdf

[200380107612]-- 用于对有机类材料膜进行等离子体蚀刻的方法和装置在处理容器 (1) 内设置构成平行平板电极的支持电极(2) 和相对电极 (16) 使形成有机类材料膜的基板(W)支持在支持电极 (2) 上对该支持电极 (2) 施加用于形成等离子体的频率在40MHz以上的高频电力，从而在支持电极(2) 和相对电极 (16) 之间形成高频电场将处理气体供给到处理容器(1) 内，利用高频电场形成处理气体的等离子体通过该等离子体，以无机类材料膜作为掩模对基板(W)上的有机类材料膜进行等离子体蚀刻处理气体含有例如Ar 等来自基态的电离能量或来自准稳态的电离能量在10eV以下而且最大电离截面积在2×10-16cm2以上的电离促进气体[200410055819]-- 蚀刻具不同深宽比的孔洞的方法本发明公开了一种蚀刻具不同深宽比的孔洞的方法首先于一衬底的下表面形成一蚀刻停止层，并于该衬底的上表面形成一掩模图案该掩模图案包含有多个牺牲块图案分别位于一第一孔洞预定区域与一第二孔洞预定区域上随后进行一蚀刻工艺，蚀刻未被该掩模图案遮蔽的该衬底直至该蚀刻停止层最后移除该蚀刻停止层，并且一并移除该些牺牲块图案遮蔽的该衬底。

[200410055871]-- 双面蚀刻晶片的方法一种双面蚀刻晶片的方法，首先，提供一晶片，该晶片包括至少一旋转轴区与至少二穿透区，且该二穿透区位于该旋转轴区的二侧接着由该晶片的一底表面去除部分位于该旋转轴区的该晶片随后将该晶片的底表面利用一粘着层粘贴于一负载载具上，并由该晶片的上表面去除位于该二穿透区的该晶片直至穿透该晶片[200410053289]-- 提高半导体沟渠蚀刻均匀性的方法本发明公开了一种提高半导体沟渠蚀刻均匀性的方法，旨在提供一种提高半导体沟渠蚀刻的均匀度的可控制性，从而提高成品率的方法其技术方案的要点是：采用如下步骤进行，第一步，在半导体材料表面均匀涂上一层合适厚度的光刻胶；第二步，在需要蚀刻的区域对光刻胶曝光、显影，将需要形成沟渠区域的光刻胶移除，不需要形成沟渠的区域保留光刻胶；第三步，用离子注入的方法，对需要蚀刻的区域注入相同半导体材料的离子，破坏该区域的半导体材料的晶体特性，使单晶体的半导体被破坏为非晶体结构；第四步，用干法蚀刻的方法将需要形成沟渠的区域的半导体材料移除，形成需要的沟渠；第五步，将光刻胶去除，得到在需要区域蚀刻出所需沟渠的半导体材料[200510032788]-- 挠性印刷电路绝缘薄膜的化学蚀刻法及其蚀刻液本发明挠性印制电路绝缘薄膜的化学蚀刻法及其蚀刻液属于印刷电路领域，由碱溶液、醇或醇胺、碳酸盐、水组成的溶液，其组成为碱溶液5-40％，醇或醇胺 10-70％，碳酸盐 0-1.5 ％，水 25-60％。

碱溶液是由碱金属的氢氧化物，可以是氢氧化钠或氢氧化钾或氢氧化锂中的一种或二种组成，醇是碳数为2-6 的一元醇、二元醇或三元醇，醇胺是碳数为 2-6 的一醇胺、或二醇胺，碳酸盐是碱金属的碳酸盐，包括碳酸钾、碳酸钠或碳酸锂中的一种或二种组成，本发明的化学蚀刻工艺能够应用于蚀刻的不同产品，能够较快、准确地进行蚀刻，制作成本低，设备投入少，不含有联氨，有强的蚀刻能力，能够快速高精度的蚀刻挠性印制电路基底材料PI 薄膜，无毒且便于实际操作[200510084875]-- 半导体蚀刻装置半导体蚀刻装置包括静电卡盘，边缘环以及间隔物静电卡盘包括环安装部分边缘环具有外面部分和内部部分外面部分具有大于环安装部分的高度的厚度，放置内部部分以接近环安装部分的竖直面内部部分的上表面和下表面按照自外面部分的上下表面相同高度分别向上和向下分级间隔物具有环形，并配置在环安装部分的水平面上，支撑边缘环构件的内部部分，并具有与边缘环构件的外面部分的下表面和内部部分的上表面之间高度相同的厚度[200510078649]-- 干式蚀刻方法、磁记录介质的制造方法和磁记录介质本发明提供一种可将被蚀刻层高精度地加工成所需的凹凸图形的形状的干式蚀刻方法，采用该方法的磁记录介质的制造方法，以及记录层由凹凸图形形成的、 可确实获得良好的磁特性的磁记录介质。

在基板上按顺序形成记录层 ( 被蚀刻层 )、主掩模层、副掩模层，将副掩模层加工成规定的凹凸图形 (S106) ，接着通过以氧或臭氧为反应气体的反应性离子蚀刻， 去除凹部的主掩模层 (S108) ，此外，通过干式蚀刻，去除凹部的记录层，加工成上述凹凸图形的形状(S110)主掩模层的材料的主要成分为碳，并且副掩模层的材料采用相对于主掩模层加工工序(S108)的反应性离子蚀刻的蚀刻率比碳低的材料[200510087545]-- 用于从基片上除去光致抗蚀剂和/ 或蚀刻残留物的组合物及其应用含有一些有机溶剂和季铵化合物的组合物能够将残留物例如光致抗蚀剂和/ 或蚀刻残留物从物品上除去，其中所述有机溶剂包含至少505 重量的二醇醚[200380105311]-- 增强等离子体蚀刻性能的方法提供一种用于通过蚀刻掩模在层中蚀刻特征的方法用钝化气体混合物在蚀刻掩模的暴露表面和所述特征的侧壁上形成保护层用包含至少一种蚀刻化学制品和至少一种钝化化学制品的反应性蚀刻混合物通过蚀刻掩模蚀刻所述特征[200410052845]-- 改善蚀刻后光刻胶残余的半导体器件制造方法一种可以改善蚀刻后光刻胶残余的半导体器件制造方法，在常规的淀积介电层步骤之后，为了解决SiN 层作为介电层末层时经蚀刻会出现严重的光刻胶残余问题，在蚀刻前先将SiN 层氧化形成氧化膜，使蚀刻停止于这层氧化膜而不是停止于 SiN 层。

从而避免了 SiN 层接触蚀刻 (腐蚀)剂引起的光刻胶残余问题，减少了后续步骤产生污染、膜剥离的情况，明显提高产率，同时这种方法并不会影响到产品的性能[200410028190]-- 干蚀刻后处理方法一种干蚀刻后处理方法，其使用SF6气体通入处理室内，将经干蚀刻处理的产品的表面以及处理室内壁上的干蚀刻残余物灰化 (Ash) 此方法不仅可有效去除干蚀刻残余物而保证产品品质，并且可清洁设备，而减少对设备进行清洁保养的次数，增加设备的有效使用时间[01817376]--硅蚀刻和腔室清洁工艺的集成一种加工被置于有电源的基片加工腔室中的基片的方法，其包括把基片送入基片加工腔室通过暴露该基片于一等离子体并使该等离子体偏向所述基片而在所述基片上蚀刻一个沟槽，该等离子体是通过从电源系统施加RF能量由第一蚀刻剂气体形成不施加偏置功率或施加最小偏置功率，通过在基片加工腔室内激发等离子体把粘附在所述的基片加工腔室内表面的副产物除去，该等离子体是由含卤素源的第二蚀刻剂气体而形成然后，从该腔室移出该基片在执行干清洁操作或湿清洁操作之前，在腔室内用蚀刻沟槽步骤和除去蚀刻副产物步骤加工至少100 个以上的基片[200510074184]-- 用于包括反射电极的叠合膜的蚀刻组合物以及用于形成叠层布线结构的方法本发明的蚀刻组合物通过在单次蚀刻操作中单独对其进行使用能够同时蚀刻包括最上面的由IZO等制成的无定形透明电极膜、中间的由铝等制成的反射电极膜以及最下面的由钼等制成的防电化腐蚀膜的三层叠合膜，或者包括上面的无定形透明电极膜和下面的反射电极膜的两层叠合膜，以提供具有良好正锥形或阶梯形状的边缘的、经蚀刻的叠合膜。

蚀刻组合物包括含有30 至 40wt％的磷酸、 15 至 35wt％的硝酸、有机酸和阳离子产生成分的水溶液[200410059805]-- 蚀刻系统及其蚀刻液处理方法本发明的蚀刻系统包括一具有一含硅蚀刻液的处理槽、一冷却槽、一预热槽、一可自该处理槽输送该蚀刻液至该冷却槽的第一管路、一可自该冷却槽输送该蚀刻液至该预热槽的第二管路以及一可自该预热槽输送该蚀刻液至该处理槽的第三管路本发明的蚀刻液处理方法首先利用一蚀刻液进行一含硅薄膜的蚀刻制造工艺，接着将该蚀刻液冷却至一第一温度以形成一硅饱和蚀刻液将该硅饱和蚀刻液内大于一预定尺寸的硅化物微粒过滤去除后，再加热至一第二温度以形成一非饱和蚀刻液，以便进行另一次蚀刻制造工艺该第二温度高于该第一温度至少10℃[200510080937]-- 酸性蚀刻液再生方法和酸性蚀刻液再生装置本发明的目的在于提供含有草酸的蚀刻液再生方法和含有草酸的蚀刻液再生装置，其可以降低含有草酸的蚀刻液的全量交换的频率在本发明中，其包括用NF膜 25 将用于 ITO 的蚀刻的含有草酸的蚀刻液过滤，分离为透过液和非透过液的过滤工序[200380103066]-- 采用整合测量以增进介电质蚀刻效率的方法和设备本发明提供一种处理半导体晶圆的方法与设备，以缩减尺寸变动，它是在晶圆上多个点测量光阻罩幕CD与轮廓及其下层的厚度并反馈此类信息，以调整下一欲处理的已检测晶圆的制程( 如蚀刻制程 )。

在此处理步骤后，制程所形成的结构尺寸，诸如沟槽的CD与深度，是在晶圆多个点上测量，并将此信息回馈至处理工具，以调整用于下一晶圆的制程，进一步缩减尺寸变动在部分实施例中，CD 、轮廓、厚度与深度测量值、蚀刻处理与后蚀刻清洗是在一受控环境的单一模块下实施此模块所实施的所有传送与处理步骤是在一干净环境下进行，借此避免暴露晶圆于大气并避免步骤间可能的污染，以增加良率[200380103007]-- 用于在等离子体蚀刻期间屏蔽晶片不受带电粒子影响的设备和方法一种等离子体蚀刻系统，具有带有磁体的晶片卡盘，所述磁体在晶片上施加磁场，以屏蔽晶片不受带电粒子的影响该磁场与晶片平行，并在晶片表面附近最强该磁场可以是直线的，或环形的在操作中，电子被 Lorentz力从晶片上偏移，晶片获得正电荷，而离子被静电排斥偏移中性核素允许穿过磁场，并且它们与晶片碰撞中性核素通常比带电粒子提供更多的各向同性和材料选择性蚀刻，因此本发明的磁场趋于增加蚀刻各向同性和材料选择性同样，该磁场可以保护晶片不受设计用于从室表面清除多余膜的涂光工艺的影响，因为涂光工艺通常依赖于利用带电粒子的蚀刻[200410027780]-- 蚀刻反应槽本发明公开一种蚀刻反应槽，该蚀刻反应槽包括一蚀刻反应腔、一蚀刻液输送管道和一蚀刻液出口。

其中，该蚀刻反应槽的底面上具有多个突起[200410080621]-- 复蚀刻直接成形刀模的方法及其装置一种复蚀刻直接成形刀模的方法及其装置为提供一种提高生产力、 降低生产成本、 省略研磨加工、 提高品质、能进行量化生产、 减少环境污染的裁切冲压用刀具形成方法及其装置，提出本发明， 方法包含选择金属板材、 影像转印、以雾化蚀刻液对影像转印后光罩保护膜喷淋而进行第一次蚀刻蚀刻、对裁切线上的光罩保护膜进行剥离的剥膜、精蚀及利用刷后于刀垣及底座表面高速窜动进行磨刷及抛光抛光步骤；影像转印为利用压膜及以制作的刀模底片进行曝光、显影以将影像转印至阻光剂膜上；精蚀步骤为以少量雾化的蚀刻液去除刀垣顶端上方两侧棱线，使刀刃形成缩角小圆弧刃锋；装置包含影像转印机构、蚀刻回收机构、剥膜过滤机构、复蚀刻成形机构及磨刷抛光机构[200380102587]-- 含硅介电材料的蚀刻方法本案揭示一种图案蚀刻含硅介电材料层的方法本方法使用一种含有 CF4 与 CHF3的等离子体来源气体，其中CF4对 CHF3的比例范围在约 2∶3 至约 3∶1；更典型则为约 1∶1 至约 2∶1蚀刻步骤在制程反应室压力约 4 毫托耳至约 60 毫托耳下进行。

本方法提供的含硅介电层对光阻的蚀刻选择比为 1.5∶1 或更佳本方法提供半导体结构中经蚀刻含硅介电层与底部水平层间的蚀刻轮廓侧壁夹角范围为88 度到 92 度 在搭配使用对 193nm 辐射有敏感度的预定光阻时，本方法还可提供一个平滑的侧壁[200380101944]-- 在薄膜的等离子体蚀刻过程中探测终止点的方法和装置本发明公开了一种在蚀刻具有置于终止点生成层之上的第一层的叠层时控制等离子体蚀刻过程的方法该方法包括在监控穿过等离子体处理室内部的光束的吸收率时，蚀刻穿过第一层并至少部分蚀刻穿过终止点生成层，其中，终止点生成层选自从当被蚀刻时。