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主流 DDR2内存颗粒主流 DDR2 内存颗粒目前，市面上的内存就制造上主要分为两大类一类来自采用现代、三星、英飞凌等国际半导体芯片制造商生产的的内存芯片，然后打造自己品牌的产品，比如目前金士顿、威刚等品牌的内存都属于此类内存模块二类就是DRAM 大厂的原厂内存由于 DRAM 大厂的原厂内存更多的是被整机厂商使用，而直接在国内零售市场和最终用户见面的机会并不多，目前国内的消费者能够买到的原厂内存一般只有三星“金条”与英飞凌原厂内存由于原厂内存一般都具有极佳的 PCB 设计和制造品质使其拥有品质优秀、兼容性好、超频能力强、稳定性一流等特点，因此吸引了大批超频玩家通过各种渠道去获得这些原厂内存条来满足自己 PC 的超频需要不过，无论是什么品牌的内存模块，都离不开内存颗粒，这往往是对内存性能的最大决定因素由于当前可以生产内存颗粒的厂商不多，因此我们很容易从内存颗粒上辨别出所选择内存模块的规格、性能三星(Samsung)三星有 GC 和 ZC(G 为 FBGA 封装方式,Y 为 FBGA-LF)系列，另外还有 SC 和 YC，并采用 90nm 生产工艺，使相同晶元可以生产出更多的颗粒，从而降低了成本。

YC 是外形最小的一种封装方式，性能表现也最好，现在市面上很少见到目前较常见到的有 GCCC(多用于 DDR2-400)、GCD5/ZCD5(多用于 DDR2-533)、GCD6/GCE6(多用于 DDR2-667)、GCF7/GCE7(多用于 DDR2-800)等；这些内存颗粒在超频方面同样有着不容小视的实力，且仍保持低延迟风格不过经过编号更改后(由 SAMSUNG 改为 SEC)，默认时序参数已设定得较为保守，不过某些 DDR2-533 默认延迟仍设定在 4-4-4-10 上通常情况下三星 DDR2-533 内存时序参数可以稳定在 3-3-3-4 上，优势明显，这也是为什么三星颗粒品质较好的一个原因GCCC 和 GCD5 颗粒大都具备在5-5-5-15 参数下超频至 DDR2-800 以上水平使用三星ZCD5 颗粒的 DDR2-533 内存在不加电压超频情况下，能够以 4-4-4-X 的时序稳定工作在 DDR2-667 模式，更具备挑战 DDR2-900 的实力，且售价也较高，三星原厂条多选用这种颗粒三星 DDR2 内存颗粒的第一排编号通常由 K4 开头，代表Memory DRAM 的意思第三位“T”代表内存为 DDR2 内存第四、第五位代表容量，其中 51 代表 512MB 容量，如果为 56 则是 256MB 容量，1G 为 1GB 容量，2G 为 2GB 容量第六、第七位代表位宽，08：×8 位宽，如果是 04 则位宽为×4、06 为×4 Stack、07 为×8 Stack、08 为×8、16为×16第八位代表逻辑 Bank，其中“3”的逻辑 Bank 数量为4Banks，如果是 4 则为 8Banks第九位代表接口类型，一般为“Q”，表示接口类型工作电压为 SSTL 1.8V第十位代表颗粒版本，其中“B”代表的产品版本为3rd Generation，C 为 4th Generation，DEFGH 依此类推、越新越好第十一位代表封装类型，其中“G”代表封装类型为FBGA，如果是 S 则为 FBGA(Small)、Z 为 FBGA-LF、Y 则为FGBA-LF(Small)第十二位代表功耗类型，其中“C”表示普通能耗，如果是 L 则为低能耗第十三、十四位代表内存速度，其中 D5：速度为DDR2 533 4-4-4，如果是 D6 则为 DDR2 677 4-4-4，如果是 E6 则为 DDR2 677 5-5-5，如果是 F7 则为 DDR2 800 6-6-6。

总体来说，三星 DDR2 内存颗粒的超频性能都不错，即便是 D5、E6 的 DDR2 颗粒，也可以超到 700MHz、800MHz的水准常采用三星内存颗粒的内存模块厂商：三星、金士顿、创见、超胜、Apacer 等厂商英飞凌(Infineon) 提起 Infineon(中文名：英飞凌)这家由德国西门子(Siemens)公司半导体部改组而来的世界顶级半导体芯片制造商，其生产的内存颗粒一直被全世界的电脑玩家狂热推崇，笔者也相信国内不少的电脑玩家已经是它的忠实FANS 了英飞凌 DDR2 内存颗粒编号也象上面海力士、三星一样有规可循，我们可以将其分成 9 部分来解读内存规格，下面我们以“HYB18T256800AF25”为例：HYB：就像现代的 HY、三星的 K4 一样是为英飞凌内存颗粒的编号的前缀18：工作电压为 1.8VT：DDR2256：容量为 256MB，如果是 512 则为 256MB，1G 则为 1GB80：位宽为×8，如果是 40 位宽则为×4，如果是 16 位宽则为×160：Standard product(标准产品)A：封装版本F：封装形式为 FBGA25：表示这是一款 DDR2 800 颗粒，如果是 37 则为DDR2 533(4-4-4)，如果是 3 则为 DDR2 677(4-4-4)。

在速度标准中，英飞凌的芯片还有一种 3S 的参数，代表 DDR2-667(5-5-5)英飞凌 DDR2 颗粒在品质上都属于上乘货色，超频性也不错，目前采用英飞凌颗粒的厂商有 Infineon、金士顿、宇瞻等内存模块厂商美光(Micron)美光的 DDR2 内存芯片编号比较特别，封装上的编号并不是正规的编号，从编号上一般只能识别出这是颗粒的生产日期和产地编号，但是在芯片上也找不到美光所公布的正规编号对于这种情况，用户只需将颗粒表面的第二行编号(又称为 FBGA 码)输入到相关页面上( 值得一提的是，虽然从编号识美光内存颗粒的规格还有一定的障碍，但仍有几款内存颗粒的超频性能特别优异，它们就是被玩家称为“fatboy d9”的 D9 内存颗粒D9 内存颗粒最早的编号全称为“FBGA D9”，由于五位编号会以“D9”为起始，所以也被称为“D9”颗粒Fatboy”D9 昵称的由来是其 110 纳米制造工艺导致的芯片体积，然而先进工艺=更好性能的惯例此次被打破，这种样子夸张的内存芯片对工作电压的提高有极好的正面反馈，2.4V 以上工作电压的“Fatboy”D9 芯片DDR2 400/533 内存模组有很多可以把内存时序调节到 3-2-2(DDR2 SDRAM 支持的最快时序)并且工作在 DDR2-800 以上的频率上，如果是 4-3-2 设定，这些怪物突破 DDR2-1000 频率也不是难事。

要知道这样的成绩是在 04、05 年生产的 DDR2-400/533内存芯片上实现的，其他厂商的 DDR2 SDRAM 内存芯片的超频能力根本无法望其项背此前Crucial、CORSAIR、mushkin、Patriot、OCZ、GEIL 等多家 DDR2 533 超频内存大多数就是采用此类内存颗粒但也不是所有的 D9 都好超，像绿色 PCB 上的就是普通颗粒，超频能力并不理想除了“FBGA D9”颗粒之外，美光还推出了D9GKX、D9GHM、D9DCN 等新的 D9 颗粒其中该系列内存精选口碑出众的镁光 D9GMH 颗粒，在 MT 将 DDR2 内存颗粒制程由 110 纳米转向 90 纳米后，FATBODYD9 就很少见到了，取而代之的就是现在很多内存厂商封装记忆体时优先选用的小 D9 颗粒这些编号为 D9GMH、D9GCT、D9GKX 等的新一代内存芯片在保持接近“Fatboy”D9 低时序能力和对电压敏感的前提下，把 4-4-4 时序下的频率上限提高到了DDR2-1100 附近！而极限运行频率更达到约 1200MHz！能实现如此超频目标的芯片本身规格仍旧是 DDR2-533/667。

另外，还有易胜(Elixir)、南亚等内存颗粒，在性能上属于中规中距，因此在这里就不再一一介绍了如遇到颗粒表面覆盖了散热片或者颗粒表面已被内存厂商重新标注的情况，显然无法再用前面所讲的方法识别内存颗粒的标准规格虽然用 CPU-Z 可以查到内存的相关信息，但并不能保证完全准确，因此我们建议大家最好是向厂商咨询4、海力士(Hynix)海力士 DDR2 内存颗粒的第一排编号通常由 HY 开头第 3、4 位“5P”代表 DDR2第 5 位“S”代表 VDD 电压为 1.8V、VDDQ 电压为 1.8V第 6、7 位代表容量，本例中“12”代表 512Mb，其它如“28”为 128Mb、“56”为 256Mb、“1G”为1Gb、“2G”为 2Gb该值除以 8 即为单颗容量，再乘以颗粒数便是整条内存的容量第 8、9 位代表颗粒位宽，如果为“4”和“8”，则只占编号中的第 8 位，如本例所示；如果为“16”和“32”，则占第 8、9 位第 10 位代表逻辑 Bank 数其中“1”为 2Banks，“2”为 4Banks，而“3”为 8Banks第 11 位代表接口类型比如“1”为 SSTL_18，另外，“2”为 SSTL_2第 12、13 位代表产品的规格，比如 C4：速度为DDR2 5333 4-4-4，如果是 S6 则为 DDR2 800 6-6-6、S5则为 DDR2 800 5-5-5、Y6 为 DDR2 677 6-6-6、Y5 为DDR2 677 5-5-5、Y4 为 DDR2 677 4-4-4、C5 为DDR2 533 5-5-5、C3 为 DDR2 533 3-3-3，字母越靠后越好海力士内存颗粒的超频性一向不错，比如 C5、C3，特别是目前代号 S6 的 DDR2-800 内存颗粒比较好超，一般都可以超到 1000MHz 的水准，因此对于组建扣肉、AM2 超频平台的朋友来说，是极不错的选择常采用的内存模块厂商：很多品牌的 DDR2 内存都有采用海力士 DDR2 内存颗粒，如创见、威刚、超胜等。