半导体物理与器件第五章.ppt

半导体物理与器件,陈延湖,5.2载流子的扩散运动,电场作用下的漂移运动(),对载流子有两种空间运动,浓度差引起的扩散运动1扩散电流密度2半导体总电流密度方程3内生电场爱因斯坦关系,扩散电流密度,当半导体内的载流子分布不均匀时，会出现载流子由高浓度处向低浓度处的扩散运动光照,,x,,,A,B,0,x,x+x,由于扩散运动而形成的净电荷流动将形成电流，称为扩散电流扩散流密度（流速）Fn(x)：单位时间通过扩散的方式流过垂直的单位截面积的载流子数,引入表征扩散的物理量：,设电子的平均自由程(电子在两次碰撞之间走过的平均距离）为l,由热运动特性，在x=-l到x=0处范围内的电子将有一半向右运动,在x=0到x=l处范围内的电子将有一半向左运动,则延x正方向电子的扩散流密度为：,,可见载流子扩散流密度（流速）正比于载流子浓度梯度，扩散流向与梯度方向相反载流子为带电流子，其扩散运动将产生扩散电流,将上式在x=0处级数展开，保留前两项可得：,热运动速度,,令：,D为扩散系数，表征粒子扩散的强弱，单位cm2/s,平均自由程,,扩散电流密度：,对空穴:,对电子:,载流子的总电流密度,以均匀掺杂N型材料为例，若在x方向加光照、加电场E，载流子既做漂移运动又做扩散运动，相应产生扩散电流和漂移电流,,,,,,,,,,,,,光照,,,,,,x,,,空穴的扩散电流：,空穴的漂移电流:,电子的扩散电流：,-x方向,电子的漂移电流：,+x方向,+x方向,,,,,总电流密度（漂移+扩散）,x,+x方向,,半导体中总电流密度为：,该方程为半导体电流密度方程，是求解半导体物理与器件电特性的基本方程之一,若扩展到三维：,5.3杂质梯度分布,到目前为止讨论的基本都是均匀掺杂的半导体材料，在实际的半导体器件中可能存在非均匀掺杂的区域，即梯度杂质参杂。

梯度掺杂可以产生一个有趣的现象，即内建电场的形成该电场不会产生净的外部电流借助该电场可以揭示半导体迁移率和扩散系数之间的内在关系即爱因斯坦关系,,考虑一块非均匀n型半导体，施主杂质随x增加而下降,电子空穴扩散电流分别为：,载流子扩散使得载流子趋于均匀分布，但离开了原位置,而电离杂质不能移动，半导体内部局部电中性被破坏，出现内建电场E，该电场又产生漂移电流该漂移电流与扩散电流相反该电场的存在导致各处电子的电势并不相同，从而各处的电子的能量也不相同，能带不再是平直的，但由于是热平衡态，费米能级仍然处处相等达到平衡后，空间各处电子的浓度不完全等同于施主杂质的掺杂浓度，但是这种差别并不是很大即满足准电中性条件,,对于一块非均匀掺杂的N型半导体材料，我们可定义各处电势（电子势能除以电子电量-e）为：,,半导体各处的电场强度为：,假设电子浓度与施主杂质浓度基本相等（准电中性条件），则有：,,由上式看出，由于存在非均匀掺杂，将使得半导体中产生内建电场该内建电场与浓度梯度相关,热平衡时费米能级EF恒定，所以上式两边对x求导可得：,因此，电场为：,,求得：,,内建电场引起的漂移电流：,由于达到平衡后体内不应该存在宏观电流，电子空穴总电流应分别为零：,以非均匀掺杂的n型半导体为例，假设仍然近似的满足电中性条件：,,而电场的表达式为：,代入得到：,因而扩散系数和迁移率有关系：,则：,同理可得,因而：,即为迁移率和扩散系数之间的定量关系，由爱因斯坦从理论上证明，称为爱因斯坦关系,爱因斯坦关系中的系数和温度有关，载流子的迁移率也是与温度强烈相关的，所以载流子的扩散系数同样也是与温度有着非常强烈的依赖关系，同样也会受到外部电场的影响。

迁移率：反映载流子在电场作用下运动的难易程度,扩散系数：反映存在浓度梯度时载流子运动的难易程度,,利用爱因斯坦关系得出总电流密度为,小结,载流子扩散运动：由于浓度梯度引起载流子流动,载流子扩散与扩散系数和浓度梯度成正比（扩散定律）：,总电流密度方程,,,,,,爱因斯坦关系：扩散运动与漂移运动的内在联系,内生电场：非均匀掺杂下，由电离杂质梯度产生内生电场,。