半导体及集成电路领域的撰写及常见问题ppt课件.ppt

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,,,*,半导体及集成电路领域的撰写及常见问题,电学发明审查部 半导体处,沈丽,,,半导体及集成电路领域的撰写及常见问题电学发明审查部 半,1,本文简介：,,,本文简介：,2,主要内容：,.半导体领域介绍,.申请文件的撰写要求及相应的常见问题,.审查答复通知书时提交文本的常见问题,.导致驳回的几种常见情况及案例分析,,,,主要内容：,3,一、半导体领域介绍,半导体领域广义的说是与半导体材料有关的领域，涉及半导体材料、半导体材料的制备、,半导体器件、半导体器件的制备,、半导体器件的应用、半导体器件的测量等等,,,一、半导体领域介绍 半导体领域广义的说是与半,4,半导体器件的制备包含通过常见的半导体工艺形成半导体器件的各个部件以及半导体封装件，半导体器件的应用将具有特定的电学特性的半导体器件例如IC应用在电路、计算机、通信、商业等领域中典型和常用的半导体材料是硅；,硅的制备包括硅单晶的制备、硅晶片的加工；,半导体器件从形式分可以分成分立器件和集成器件,；,,,半导体器件的制备包含通过常见的半导体工艺形成半导体器件的各个,5,电学发明审查部的半导体处仅涉及分立或集成的半导体器件及其制备，不涉及这些器件的应用，从分类号的角度来说，仅涉及,H01L,下的专利申请。

因此，下面介绍的内容也主要针对半导体器件及其制备电学发明审查部的半导体处仅涉及分立或集成的半,6,H01L领域的特点是涉及到的,产品种类多,、,工艺方法多,、,功能性限定相对少,H01L领域的特点是涉及到的产品种类多、工艺,7,半导体器件的零部件,例如有：将引线框架、引线键合或焊料凸点、安装架、安装容器、散热装置、密封层、封装树脂层等产品种类多,：,分立器件,例如有：二极管、晶体管、晶闸管、太阳能电池、压电器件、发光器件等；,集成电路,例如有：集成的晶体管、MOS、CMOS、DRAM、SRAM、ROM、EPROM、EEPROM等；,,,半导体器件的零部件例如有：将引线框架、引线键合或焊料凸点、安,8,工艺方法多,：外延生长、掺杂、扩散、离子注入、退火、光刻、湿法蚀刻、干法蚀刻、抛光、引线键合、载带自动焊、芯片倒装焊、外壳封装、表面贴装等等工艺方法多：外延生长、掺杂、扩散、离子注入、退火、光刻、湿法,9,功能性限定相对少,：由于涉及元器件和制造工艺多，因此对于元器件来说，通常不需要借助功能性限定，用元器件的结构特征及各个结构特征之间的位置或连接关系就可以将产品限定清楚，对于制造工艺，需要用制造步骤、工艺方法、工艺参数来限定，而不是功能性描述。

功能性限定相对少：由于涉及元器件和制造工艺多，因此对于元器件,10,二、申请文件的撰写要求及相应的常见问题,,,二、申请文件的撰写要求及相应的常见问题,11,根据专利法第26条第1款的规定，申请发明或者实用新型专利的，应当提交,请求书,、,说明书,及其,摘要,和,权利要求书,等文件专利申请文件的组成,,,根据专利法第26条第1款的规定，申请发明或者,12,（一）,说明书应当符合专利法第26条第3款、专利法实施细则第18条、19条的规定一） 说明书应当符合专利法第26条第3款、专利法实施细则,13,专利法第26条第3款规定：说明书应当对发明或者实用新型作出,清楚,、,完整,的说明，以所属技术领域的技术人员能够,实现,为准；必要的时候，应当有附图1）,说明书应当满足专利法第26条第3款的规定,,,专利法第26条第3款规定：说明书应当对发明或,14,i）说明书的内容应当,清楚,，具体应满足下述要求主题明确,，,前后一致,,用词准确,，,无歧义,,,i）说明书的内容应当清楚，具体应满足下述要求15,ii）说明书的内容应当,完整,一份完整的说明书应当包含下列各项内容：,（1）帮助理解发明或者实用新型不可缺少的内容。

有助于理解发明）,（2）确定发明或者实用新型具有新颖性、创造性和实用性所需的内容有别于现有技术）,（3）再现发明或者实用新型所需的内容能够再现）,,,ii）说明书的内容应当完整,16,,iii）所属技术领域能够,实现,是指所属技术领域的技术人员按照说明书记载的内容，,不需要创造性的劳动，就能够再现,该发明的技术方案，解决其技术问题，并且产生预期的技术效果iii）所属技术领域能够实现,17,提示：如果申请人视为“,技术秘密,”（know-how）的内容,是,该技术领域的技术人员,实施或再现,本发明或实用新型所,必不可少的,，就不可作为技术秘密保留起来，,应当记载在说明书中,；,否则,，由于“说明书的修改不得超出原说明书和权利要求的记载范围”，那些被申请人当作技术秘密保留起来的必不可少的技术内容在修改时,就不能补充到说明书中去,，从而可能导致最后驳回申请提示：如果申请人视为“技术秘密”（know-how）的内容是,18,以下各种情况由于缺乏解决技术问题的技术手段而被认为无法实现：,,1）说明书中,仅给出了任务和/或设想,，,或者只表明一种愿望和/或结果,，而未给出任何使所属技术领域的技术人员能够实施的技术手段；,2）说明书中给出了解决手段，但对所属技术领域的技术人员来说，该,手段是含糊不清的,，根据说明书记载的内容无法具体实施；,,,以下各种情况由于缺乏解决技术问题的技术手段而被认为无,19,3）说明书中仅给出了解决手段，但所属技术领域的技术人员采用,该手段并不能解决所述技术问题,；,4）申请的主题为由多个技术措施构成的技术方案，对于,其中一个技术措施,，所属技术领域的技术人员按照说明书记载的内容并,不能实现,；,5）说明书中给出了具体的技术方案，但,未提供实验证据,，而该方案又必须依赖实验结果加以证实才能成立,。

3）说明书中仅给出了解决手段，但所属技术领域的技术人,20,举例1,：,发明名称,：半导体器件三维接触的形成,背景技术,：现有技术中大多采用,等离子体蚀刻,技术进行三维蚀刻，但需要,价格昂贵的设备,，并且等离子体蚀刻中,还有晶格损伤问题,，尽管可以通过热处理消除大部分的晶格缺陷，但是必要的,热处理过程会导致制造成本上升,举例1：,21,发明内容,：用,特殊的化学药品,进行各向异性腐蚀形成半导体器件的电极接触，增加电极接触面积，使工作时通过表面的电流密度下降，从而使器件内部的压降降低采用化学药品进行腐蚀，,晶格损伤为零,，可以,大量成批处理,只要,控制化学药品的组成,、腐蚀温度和时间，就能得到一定深度的槽状结构发明内容：用特殊的化学药品进行各向异性腐蚀形成半导体器件的电,22,实施例,：,结晶方向为单晶棒，按一定的厚度切割成片，表面镜面抛光然后在表面涂布光刻胶，利用通常的方法进行曝光、显影形成线宽为10micron，间隔为3micron连续图形如图1所示，光刻胶（A）幅宽为10micron，间隔（B）为3micron将此硅片放入温度为40℃的碱性化学药品中实施例：,23,附图1：,,,附图1：,24,举例2,：,发明名称,：纳米孔道中的晶体管及其集成电路,技术方案,：利用分子筛材料的纳米孔道特点，,在纳米孔道中装入,P型和N型半导体材料，并且在P型和N型半导体的结合处形成P-N结。

分别,在孔道的两端,P型和N型半导体上,蒸镀金属电极,，作为外部引线的基础这样便在纳米孔道中构成了一种二极管以此为出发点，利用分子筛中的纳米孔道可控制生长特性，可以,构造晶体管和集成电路,举例2：,25,附图：,,,附图：,26,分析：申请人在实施例中指出,“在孔道内的两侧分别装入P型和N型半导体材料”、“在三个不同方向的微孔内分别装入P型或N型半导体”、“通过分子组装化学方法，将P型半导体材料18、22和N型半导体材料分别装入图2的纳米孔道中”,然而众所周知，制造均匀、具有20nm的孔径、20nm厚度的管壁的纳米管是非常困难的，依据现有的技术条件，本领域普通技术人员难以理解：,,,分析：申请人在实施例中指出“在孔道内的两侧分别装入P型和N型,27,如何利用,分子组装化学方法将P型半导体材料或N型半导体材料分别装入纳米孔道中，如何制造该申请中所述的“T型孔道和Y型孔道”，形成三维尺寸都不超过20纳米的晶体管及其集成电路也就是说明中,仅给出了解决手段，但,对所属技术领域的技术人员来说，该手段是含糊不清的,，根据说明书记载的内容无法具体实施，不符合专利法第26条第3款的规定如何利用分子组装化学方法将P型半导体材料或N型半导体材料分别,28,2）,说明书的撰写顺序应当符合实施细则第18条的规定，具体为：,,（1）,发明名称,i）应与请求书中的名称一致，一般不超过25个字；,举例,：a）“稳定绝缘体基半导体器件的制造方法及绝缘体基半导体器件”；,b）,“非纺玻璃纤维部件的表面侧覆盖材料的太阳能电池组件”,,,2）说明书的撰写顺序应当符合实施细则第18条的规定，具体为：,29,ii）采用所属技术领域通用的技术术语，最好采用国际专利分类表中的技术术语，不得采用非技术术语；,举例,：“形成半导体器件金属互连的方法”,H01L 21/768,“形成动态随机存取存储器的方法”,H01L21/8242,“,线架,及其制造方法”,“,二极体,及其制造方法”,,,ii）采用所属技术领域通用的技术术语，最好采,30,iii）,清楚简明,地反映要求保护的发明或者实用新型技术方案的,主题和类型,（产品或方法）；,举例,：“半导体封装装置及成形物质引起的寄生电容的,计算方法,”,“热电半导体,材料或元器件,及其制造方法与装置”,,,iii）清楚简明地反映要求保护的发明或者实用,31,iv）应该,全面地反映,一件申请中包含的,各种发明类型,；,举例,：“半导体器件的互连线及其制造方法”,“一种散热片及形成方法和组合件”,“引线框架和半导体器件”（申请文件）,“引线框架及其制造方法，和使用此引线框架的半导体器件”（授权）,,,iv）应该全面地反映一件申请中包含的各种发明,32,v）不得使用人名、地名、商标、型号或者商品名称，也不得使用商业性宣传用语。

举例,：“一种,高效,替换备用存储单元阵列的半 导体器件”,“一种,新颖,整流元件的结构及其制法”,,,v）不得使用人名、地名、商标、型号或者商品名,33,（2）,技术领域,发明或者实用新型的技术领域应当是保护的发明或者实用新型技术方案所属或者直接应用的具体技术领域，而不是上位发明或者实用新型本身2）技术领域,34,举例,：,发明名称,：半导体器件及其制造方法,技术领域,：“本发明涉及半导体器件及其制造方法”,点评,：由于半导体器件种类很多并且零部件也很多，因此写成了广义的技术领域，过于笼统，简单地照抄发明名称举例：,35,发明名称,：“形成半导体器件的场区的方法”,技术领域,：本发明涉及一种形成半导体器件的场区方法，特别涉及一种利用适用于一千兆DRAM规模或更大规模的半导体器件的STI（浅槽隔离）结构形成场区的方法改进之处,：在形成槽之前先进行离子注入发明名称：“形成半导体器件的场区的方法”,36,技术领域,：本发明涉及一种半导体器件的形成方法（上位的技术领域），特别涉及先进行离子注入再形成STI（浅槽隔离）的半导体器件的场区的形成方法（发明本身）技术领域：本发明涉及一种半导体器件的形成方法（上位的技术领域,37,（3）,背景技术,发明或者实用新型说明书的背景技术部分应当写明对发明或者实用新型的理解、检索、审查有用的背景技术，并且引证反映这些背景技术的文件。

在说明书涉及背景技术的部分中，还要客观地指出背景技术中存在的问题和缺点但是，仅限于涉及由发明或者实用新型的技术方案所解决的问题和缺点在可能的情况下，说明存在这种问题和缺点的原因以及解决这些问题时曾经遇到的困难3）背景技术,38,一些申请文件中的缺陷：,（i）,对背景技术的描述过于简单，只是笼统地一提而过，没有引证文件；,（ii）,有的即使引用了相关文件，也与发明主题相距甚远，有意或无意地掩盖了最相关的背景技术；,（iii）,有的故意把背景技术说得一无是处，以此衬托发明的所谓“突出”或“显著”；,（iv）有的对于不重要的背景技术描述很多，对真正相关的背景技术却避而不谈一些申请文件中的缺陷：,39,举例,：,附图：,,,举例：,40,图面介绍,：,图1是常规底部引线半导体封装的纵剖图，如该图所示，常规底部引线半导体封装包括：半导体芯片1；和由多根连接基片的引线2a组成的引线2，引线2a的上表面安装半导体芯片1，底表面与基片连接（未示出）多个连接芯片的引线2b从连接基片的引线2a延伸，以便与半导体芯片1引线接合图面介绍：,41,粘结剂3把半导体芯片1粘结在引线2的连接基片的引线2a的上表面上。

多根连线5电连接半导体芯片1的芯片焊盘/接合焊盘（未示出）和引线2的连接芯片的引线2a模制树脂4模制包括已导线连接的半导体芯片1和引线2的两种引线2a及2b的预定区域，以使引线框架的连接基片的引线2a的底表面暴露于封装管座的底表面，引线2的基片连接的引线2a从连接芯片的引线2b向下延伸预定深度粘结剂3把半导体芯片1粘结在引线2的连接基片的引线2,42,美国专利5428248中详细说明了这种有上述结构的半导体封装，该专利已转让给本发明的受让者，在此可对它所公开的内容作了引证然而，在上述常规半导体封装中，当芯片焊盘位于半导体封装的侧边时，可以进行引线接合，但当芯片焊盘位于其中心时，无法进行引线接合美国专利5428248中详细说明了这种有上述结构的半,43,（4）,发明或者实用新型的内容,要解决的技术问题,是指发明或者实用新型要解决的现有技术中存在的技术问题发明或者实用新型公开的技术方案应当能够解决这些技术问题4）发明或者实用新型的内容,44,撰写要求：,①,针对现有技术中存在的缺陷或不足；,② 用正面、尽可能简洁的语言客观而有根据地反映发明或者实用新型要解决的技术问题，也可以进一步说明其技术效果。

撰写要求：,45,举例,：,I.由于与基板等进行电连的外部引线收a被配置为比芯片焊盘3的位置往下，故半导体器件难于薄型化II.由于芯片焊盘3设于IC封装主体（铸模树脂5a）内部，故散热性差举例：,46,III.由于与基板等进行外部接触的外部引线4a仅仅配置在半导体器件的下边的一个方向，故半导体器件的多层化是困难的本发明就是为了解决这些问题而创造出来的，目的是提供一种可实现半导体器件的薄型化，可改善散热性，可实现多层化的半导体器件及其制造方法III.由于与基板等进行外部接触的外部引线4a仅仅配置在半导,47,技术方案,：,说明书中公开的技术方案是一件发明专利申请的核心，技术方案是申请人对要解决的技术问题采取的技术措施的集合技术措施通常是由技术特征来体现的发明为解决其技术问题所不可缺少的技术特征称为必要的技术特征，其总和足以构成发明的技术方案，达到其目的和效果技术方案：,48,与发明的目的有关的、用于进一步完善或展开技术方案的技术特征称为附加的技术特征如果一件申请中有几项发明，应当用独立的自然段说明每项发明的技术方案与发明的目的有关的、用于进一步完善或展开技术方案的技术特征称,49,（5）,有益效果,有益效果是指由构成发明的特征直接带来的，或者是由所述的技术特征必然产生的技术效果。

通常，有益效果可以由产率、质量、精度和效率的提高，能耗、原材料、工序的节省，加工、操作、控制、使用的简便，环境污染的治理或者根治，以及有用性能的增加等方面反映出来5）有益效果,50,常见缺陷：,i）有的说明书提出的发明目的过于笼统例如，本发明的发明目的是提供一种半导体器件及其制造方法本发明的发明目的是提高器件的可靠性常见缺陷：,51,ii）有的说明书只讲背景技术的缺点和本发明的优点，而不明确提出本发明和所要解决的问题，也就是没有发明目的部分iii）夸大技术效果ii）有的说明书只讲背景技术的缺点和本发明的优点，而,52,（6）,附图及附图说明,说明书有附图的，应当写明各幅附图的图名，并且对图示的内容做简要说明附图不止一幅的，应当对所有附图做出图面说明6）附图及附图说明,53,例如：i）附图说明中的内容在相应的图中没有；,举例：图9是沿图8的B-B线的断面；,,,图11是沿图10的C-C线的断面；,,,,图13是沿图12的D-D线的断面；,然而，在相应的图8、10以及12中没有出现B-B、C-C以及D-D例如：i）附图说明中的内容在相应的图中没有；,54,ii）缺少部分附图的介绍；例如有5个附图，但只介绍了其中4个。

ii）缺少部分附图的介绍；例如有5个附图，,55,（7）,具体实施方式,提示：该部分是说明书的重要组成部分，它对于,充分公开,、,理解,和,再现,发明或者实用新型，,支持,和,解释权利要求,都是十分重要的7）具体实施方式,56,在描述具体实施方式时，并不要求对已知技术特征作详细展开说明，但,必须详细说明区别于现有技术的必要,技术特征和各,附加,技术特征以及各技术特征,之间的关系,及其,功能,和,作用,；,具体实施方式中,至少应包括一个独立权利要求的全部必要技术特征,，具体,实施方式,中的技术特征与,技术方案,以及,独立权利要求,中的特征,没有矛盾,在描述具体实施方式时，并不要求对已知技术特征作详细展开说明，,57,举例,：,技术方案对Cx中的x限定为x,,400，而实施例1中的x = 400，前后矛盾举例：,58,在半导体领域中，如果改进之处在于,产品,或,材料,，那么应借助附图将产品的,结构,及,组成,或者将,材料的组成,、,性能,或,制备工艺条件,描述得清楚完整，如果改进之处在于,方法步骤,，那么实施例部分应当借助附图清楚地描述出工艺的,步骤顺序,、,工艺方法,、,工艺参数,以及,各步骤得到的相应结构,。

在半导体领域中，如果改进之处在于产品或材料，那么应借助附,59,当权利要求（尤其是独立权利要求）覆盖的保护范围较宽，其概括的特征,不能从一个实施例中找到依据,时，,应当给出一个以上的不同实施例,，以支持所要求保护的范围当权利要求（尤其是独立权利要求）覆盖的保护范围较宽,60,举例,：,i）仅给出了“碳化硅”作为基底的实施例，但独立权利要求中要求“半绝缘基底”；,ii）实施例中为“绝缘材料膜”，而独立权利要求1要求保护“薄膜层”举例：,61,,当权利要求涉及较宽的数值范围时，应给出,两端值,附近的实施例和,至少一个中间值,的实施例当权利要求涉及较宽的数值范围时，应给出两端值附近的,62,举例,：,i）实施例1中的“充填气体中氩气含量为30%”，实施例2中的“充填气体中氩气含量为70%”，实施例3中的“充填气体中氩气含量为90%”，独立权利要求1中填充的氩气含量为30-90%；,ii）实施例中为“MnO,2,”但独立权利要求1中要求保护“M,x,O,y,（x =1-3、y = 2-4）”举例：,63,对照附图描述发明的具体实施方式时，使用的附图标记或符号,应当与附图中所示的一致,，并放在相应的技术名称后面，不加括号。

对照附图描述发明的具体实施方式时，使用的附图标记或,64,举例,：,i）,同一附图标记,表示,不同的技术特征,；例如芯片5；内引线5；,ii）,同一技术术语,前后采用了,不同的附图标记,；例如芯片5；芯片8；,,iii）附图中,显示的内容与,附图,说明中的内容不符,；,,,举例：,65,例如：说明书第3页对图1的说明中记载了：绝缘体上有硅基底100包括埋入式氧化层102和硅材层110，然而从图1中可以看出，埋入式氧化层102和硅材层110位于绝缘体上有硅基底100之上，氧化层102和硅材层110与硅基底100并非包含关系例如：说明书第3页对图1的说明中记载了：绝缘体上有硅基底10,66,附图：,,,附图：,67,（8）,不符合专利法实施细则第18条第3款的撰写缺陷：,a）,同一技术术语前后不一致,；例如：“,马达16”；“驱动机构16”；“承载台28”；“承载28”；“闸刀33”；“间刀33”；“刀刃33”；“第一和第二导热层17和19”，“金属层17和19”，“保护剂材料61”，“保护材料61”，“包封材料63”，“包封剂材料63”，“接线夹27”，“电连接夹”8）不符合专利法实施细则第18条第3款的撰写缺陷：,68,b）,采用了不规范的技术术语,；例如电浆、非等向性、打线、闸极、片子、汲极区、信道、通道、矽、磊晶、晶圆、布植、植入、制程、光罩、罩幕、遮罩、微影、二极体、烧录、黄光暨蚀刻制作工艺、连接垫、主动区域、金氧半、侧壁子、侧子、热载子、电子洞对、载子移动率、淡掺杂、井区、基材、崩溃电压等等；,c）,没有采用国家法定的计量单位,；例如：达因、密耳、乇、英寸、镑等。

b）采用了不规范的技术术语；例如电浆、非等向,69,（9）,说明书附图,要符合专利法实施细则第19条的规定常见问题,：,i）说明书中出现的附图标记在附图中没有出现；附图中出现的附图标记在说明书中没有介绍；,ii）附图中有英文单词；,iii）提交的附图数量不够或数量够内容不够；,例如：提交了两份图2，但是没有图49）说明书附图,70,（10）,说明书摘要及摘要附图的缺陷：,a）缺少技术内容，例如只宣传产品的性能；,b）包括过多的广告性宣传用语；,c）字数超过300字；,d）没有提交摘要附图10）说明书摘要及摘要附图的缺陷：,71,（二）,权利要求书的撰写,,要符合专利法第26条第4款、专利法实施细则第20条-23条的规定二）权利要求书的撰写,72,1. 权利要求的种类,按照权利要求的内容划分,（1）产品权利要求，即物的权利要求；,例如：引线框架及使用该引线框架的半导体封装；动态随机存取存储器；铁电半导体存储器；氮化镓蓝光发光二极管；弹簧夹及散热片组件；静电放电保护电路；带有透明窗口的半导体封装1. 权利要求的种类,73,（2）方法权利要求，即活动的权利要求；,例如：形成半导体器件通孔的方法；在半导体器件内制造互连线的方法；半导体芯片的清洗方法；半导体芯片的贴装方法。

2）方法权利要求，即活动的权利要求；,74,2. 按权利要求的形式划分,（1）独立权利要求；保护范围最大独立权利要求1应当满足实施细则第21条第2款的规定，应当整体上反映发明或者实用新型的技术方案，记载解决技术问题的必要技术特征2. 按权利要求的形式划分,75,,必要技术特征,是指，发明或者实用新型为,解决其技术问题,所必不可缺少的技术特征，其总和足以构成发明或者实用新型的技术方案，使之,区别于背景技术,中所述的其他技术方案必要技术特征是指，发明或者实用新型为解决其技,76,要解决的技术问题：消除半导体薄膜中存在的大量晶界，从而消除因晶界而产生的能级势垒对相邻晶粒之间的电子移动的妨碍作用解决此技术问题的关键就是形成基本上无晶界的单畴区但独立权利要求1中却缺少特征：所述单畴区基本上不包括晶界”要解决的技术问题：消除半导体薄膜中存在的大量,77,（2）从属权利要求：如果一项权利要求包含了另一项同类权利要求中的所有技术特征，且对该另一项权利要求的技术方案作了进一步的限制，则该权利要求为从属权利要求专利法实施细则第21条第3款）,,,（2）从属权利要求：如果一项权利要求包含了另,78,举例,：,a）独立权利要求1、9、10、11、12和13分别是对独立权利要求1中底座厚度和焊料厚度关系的具体限定，因此申请人应将权利要求9-13修改为独立权利要求1的从属权利要求。

举例：,79,b）独立权利要求2与独立权利要求1相比仅增加了“与第二互连相邻的第二焊接区”，而权利要求6与独立权利要求1相比仅增加了位于半导体器件相对侧上的第一和第二刻划线以及钝化层还覆盖导电区的第三和第四部分，因此申请人应将权利要求2和6修改为独立权利要求1的从属权利要求b）独立权利要求2与独立权利要求1相比仅增加,80,3 . 权利要求书应当满足的实质性要求,,1）,权利要求书应当以说明书为依据，是指权利要求应当得到说明书的支持说明书不仅应当在,表述形式上,得到说明书的支持，而且应当在,实质上,得到说明书的支持也就是说，权利要求书中的每一项权利要求所要求保护的技术方案应当的所属技术领域的技术人员能够从说明书公开的内容,直接得到或者概括得出,的技术方案，并且权利要求的范围不得超出说明书记载的内容3 . 权利要求书应当满足的实质性要求,81,（1）如果说明书,实施例中,的技术特征,是下位概念,，而发明或实用新型的,技术方案,是,利用,该下位概念的,个性,，则,不允许,权利要求将此技术特征,概括成,此下位概念的,上位概念,反之，若发明或实用新型的技术方案是,利用了,此上位概念技术特征的,所有下位概念的共性,，则,允许,权利要求书将此技术概念,概括成上位概念,；,,,（1）如果说明书实施例中的技术特征是下位概念,82,例如：,仅给出了“碳化硅”作为基底的实施例，但独立权利要求中要求“半绝缘基底”；将“非晶硅”修改为“含硅的半导体膜”。

例如：仅给出了“碳化硅”作为基底的实施例，但独立权利要求中要,83,（2）说明书中的实施例或具体实施方式越多，那么可以允许权利要求书的概括程度越大；但是也可以只有一种具体实施方式，只要这种概括对该技术领域的技术人员是显而易见的；,,,（2）说明书中的实施例或具体实施方式越多，那,84,举例,：,实施例中指出使用镍作为催化剂元素可以得到最显著的效果，其它可利用的催化剂的种类，理想的有Pd、Pt、Cu、Ag、Au、In、Sn、P、As、Sb，使用Fe（铁）作为催化剂元素时，铁的化合物可以使用溴化亚铁、溴化铁,,；,用Co（钴）作为催化剂元素时，钴的化合物可以使用下列的钴盐,,；,,,举例：,85,用Ru（钌）作为催化剂元素时，其化合物可以使用例如,,；,用Rh（铑）作为催化剂元素时，其化合物可以使用例如,,；,用Pd（钯）作为催化剂元素时，其化合物可以使用例如,,；,,由此可见，独立权利要求中的特征“含促进结晶化的催化剂元素的化合物”的概括是允许的用Ru（钌）作为催化剂元素时，其化合物可以使用例如；,86,,a）,每一项权利要求,所要求保护的技术方案在说明书中,都应清楚地记载,。

举例,：,i）权利要求书中的特征“氮化钛热退火的时间30 ~ 60分钟”的特征在说明书中没有记载；,ii）权利要求书中记载的特征“氮化钛在300 ~ 450℃下热分解”，与说明书中“氮化钛在300 ~ 500℃下热分解”不一致；,,,a）每一项权利要求所要求保护的技术方案在说明,87,,iii）特征反应室内电极温度“从约-60,,C到25,,C”与说明书中记载的反应室内电极温度保持在“-60,,C到0,,C”不一致iv）特征“位于第二介质层上的第二列键合销”与说明书中记载的“第二列键合销48放置在第三介质层20的顶面”不一致iii）特征反应室内电极温度“从约-60C到,88,,b）为了获得尽可能宽的保护范围，权利要求，尤其是独立权利要求一般都要对说明书中记载的一个或多个具体技术方案进行概括，权利要求的概括应当适当，使其,保护范围正好适应说明书所公开的内容,b）为了获得尽可能宽的保护范围，权利要求，,89,举例,：,i）独立权利要求1中填充的氩气含量为,30-90%,，实施例1中的“充填气体中氩气含量为,30%,”，实施例2中的“充填气体中氩气含量为,70%,”，实施例3中的“充填气体中氩气含量为,90%,”。

举例：,90,,ii）特征“芯片载体电极的间距为芯片焊盘的间距的,整数倍,”，而说明书中记载的是芯片载体电极的间距为芯片焊盘的间距的,2倍或更大,分析,：整数倍包括1及大于1的整数倍两种情况，不能由2倍或更大概括出ii）特征“芯片载体电极的间距为芯片焊盘的,91,iii）权利要求中的特征“导电组件”包含了很宽的范围，仅在半导体器件领域就包括导体、布线、焊盘、突点、引线、焊料球等，而本申请说明书中仅给出了“焊盘及其上导电突点”的实施例iii）权利要求中的特征“导电组件”包含了很宽的范围，仅在半,92,,c）权利要求中应当用技术特征来表达完整的技术方案，所采用的技术特征应当是有技术含义的具体特征（例如，结构特征或方法步骤）c）权利要求中应当用技术特征来表达完整的,93,,2）,权利要求应当,清楚,（专利法实施细则第20条第1款）,（1）,每项权利要求的类型应当清楚,，并且应当与发明要求保护的主题一致产品权利要求应当用,产品的结构,和,结构关系,来描述方法权利要求可以用,工艺条件、操作条件、步骤或者流程,等特征来描述2）权利要求应当清楚（专利法实施细则第20条第1款）,94,举例,：,a）一种,电光探头,，由可微调位置的透明基板和附着在基板上的有机电光材料层组成，由电光探测光学单元产生的探测光束经显微物镜头,聚焦,后，,穿过,透明基板、基板与电光材料的界面和电光材料层，聚焦光斑,落,在电光材料层的外表面上，并被该表面上的高反射介质膜,反射,，当聚焦光斑,挨近,带测的电信号传输线时，信号电场,进入,有机电光材料层,,。

产品用方法特征限定）,,,举例：,95,,b）一种,热电半导体,材料或元器件,，包括,,c）特征“将,其,支承在,其,周边部”中的两个其指代不清楚b）一种热电半导体材料或元器件，包括96,（2）每项权利要求所确定的保护范围应当清楚对于,产品,权利要求而言，,应当尽量避免使用功能或者效果特征来限定,发明举例,：,a）如权利要求4所述的球点阵列集成电路封装的方法，其特征在于：所述散热板的,散热效果,是将该芯片于通电运作时的热量导至该封装后的球点阵列（BGA）集成电路之外的效果2）每项权利要求所确定的保护范围应当清楚对于产品,97,,b）权利要求中使用了含义不确定的词语，例如：基本上；大约；尤其是；例如；如；类；优选；等等；,c）从属权利要求中引用了在前权利要求中的特征，但在前权利要求中根本没有出现该特征例如：根据权利要求1的存储器，其中钝化层为氮化硅b）权利要求中使用了含义不确定的词语，例如,98,,3）,权利要求书应当,简明,每一项权利要求应当简明并且所有权利要求作为一个整体应当简明；权利要求的,数量,应当合理；权利要求的,用词,应当简明；权利要求之间应当,避免不必要的重复,3）权利要求书应当简明,99,举例,：,1. 一种光检测器，包括：,,设置在所述n型半导体衬底反面的导体，所述衬底和所述导体之间夹有绝缘体；,,12. 根据权利要求1的光检测器，其特征在于：所述n型半导体衬底的反面设置在所述导体上，所述衬底和所述导体之间夹有绝缘体。

举例：,100,4 . 权利要求存在的形式缺陷,1）从属权利要求,没有紧跟,在所引用的独立权利要求之后；,2）权利要求不仅结尾处存在句号，,中间处也存在句号,；,3）权利要求中使用的,技术术语,与说明书中使用的不一致；,4）权利要求中,存在括号,，但括号中的,内容不是附图标记,；,5）权利要求中存在,公司名称或商品名称,4 . 权利要求存在的形式缺陷,101,5 . 独立权利要求的撰写要求,1）独立权利要求的保护范围应当,清楚,，以符合专利法实施细则第20条第1款的规定2）独立权利要求应当反映出与现有技术的区别，使其描述的发明或实用新型的技术方案,具有新颖性和创造性,，以符合专利法第22条的规定5 . 独立权利要求的撰写要求,102,3）独立权利要求应当从整体上反映出发明或实用新型的技术方案，,记载,为达到发明或实用新型目的的,必要技术特征,，以符合专利法实施细则第21条的规定4）独立权利要求所限定的技术方案应该,以说明书为依据,，以符合专利法第26条第4款的规定3）独立权利要求应当从整体上反映出发明或实用,103,6 . 从属权利要求的撰写要求,1）从属权利要求,只能,引用其前面的权利要求，,不得,引用在其后的权利要求或者其本身；,例如：5 . 根据权利要求5的制造方法，其中,,。

6 . 从属权利要求的撰写要求,104,2）,多项,从属权利要求不得作为另一项从属权利要求的引用基础；,例如：5 . 根据权利要求2或3或4的半导体器件，其中,,6 . 根据权利要求2或3或4或5的半导体器件，其中,,2）多项从属权利要求不得作为另一项从属权利要,105,,3）多项从属权利要求只能,择一地引用,在前的权利要求；,例如：6 . 根据权利要求2、3、4以及5的半导体器件，其中,,4）,一项从属,权利要求,不得同时引用,在前的,两项或两项以上,的,独立权利要求,3）多项从属权利要求只能择一地引用在前的权利,106,,5）从属权利要求的,主题名称,应与所引用的主题名称一致；,例如：24. 根据权利要求17的,电子互连器件,，其特征在于：,,25. 根据权利要求24的,电子封装外壳,，其特征在于：,,5）从属权利要求的主题名称应与所引用的主题名,107,三.答复通知书时提交文本中的常见问题,,（一）说明书中的问题,1.发明名称,1）权利要求书中产品或方法的独立权利要求及从属权利要求删除之后，发明名称,没有进行相应的变更,，仍然是产品和方法；,,,三.答复通知书时提交文本中的常见问题,108,2）审查员在第一次审查意见通知书中指出修改发明名称，但仍然,没有修改,；,3）审查员在通知书中没有指出修改发明名称，但申请人,主动变更,了发明名称。

2）审查员在第一次审查意见通知书中指出修改发,109,2 . 技术领域,发明名称已变更但技术领域没有变更例如：发明名称已由“芯片尺寸封装及其制造方法”修改为“芯片尺寸封装的制造方法”，但是技术领域仍然为“本发明涉及芯片尺寸封装及其制造方法2 . 技术领域,110,3 . 要解决的技术问题,为了相对于审查员提出的对比文件具有新颖性和创造性，修改了独立权利要求，增加了技术特征，但修改后的独立权利要求的技术方案要解决的技术问题明显与说明书中原有的要解决的技术问题不同，此时应该修改说明书中的该部分3 . 要解决的技术问题,111,4 . 技术方案,申请人修改了独立权利要求，但没有相应地修改技术方案部分4 . 技术方案,112,5 . 有益效果,1）为区别于审查员提出的对比文件，申请人在意见陈述书中,强调的有益效果在原申请文件中没有记载,，也不能明显推导出2）申请人修改权利要求的同时，在该部分中,添加有益效果,，但该效果不能从原申请文件中明显推导出3）,补充实验数据,5 . 有益效果,113,6 . 附图说明,由于原说明书中的一些技术特征在附图中没有出现，审查员指出后,添加附图及图面说明,，但这些内容不能从原申请文件中唯一地推导出，导致修改超范围。

6 . 附图说明,114,7 . 具体实施方式,1）修改技术内容中的连接关系使修改后的技术内容与原说明书中的技术内容完全不同，导致修改超范围2）修改技术术语，导致修改超范围7 . 具体实施方式,115,例如：将“非晶硅”修改为“含硅的半导体膜” 在本领域中半导体材料有很多种，有元素半导体、二元化合物半导体、固溶体半导体、氧化物半导体、玻璃半导体、有机半导体，常用的半导体材料有硅、锗、碳化硅、砷化镓等，半导体材料还分为单晶、多晶、非晶等，因此非晶硅仅是含硅的半导体膜中的一种例如：将“非晶硅”修改为“含硅的半导体膜” 在本领域中半导,116,8 . 说明书附图,9 . 说明书摘要,对独立权利要求进行修改后，没有对摘要中的技术内容进行相应的修改8 . 说明书附图,117,10. 权利要求书,a）意见陈述书中指出已修改，但提交的权利要求书中仍存在同样的缺陷；,b）,仅提交修改底稿,，或者删除部分权利要求之后，权利要求的编号没有改变；,,,10. 权利要求书,118,例如：i）1 . 一种半导体封装，包括：,2 . （删除）,3 . 根据权利要求1的半导体封装，其中,,ii）6 . 根据权利要求7的引线框架，其中,,。

例如：i）1 . 一种半导体封装，包括：,119,c）采用的技术术语与原申请文件中的,技术术语不同,；例如将“金属化孔”修改为“通过口”；,d）,意见陈述与修改的内容不一致,；,,,c）采用的技术术语与原申请文件中的技术术语不,120,例如：申请人的意见陈述书中记载“相对低能量的杂质离子,不能,穿过氧化层的中央部分”，但是权利要求中记载了特征“采用比第一能量低的第二注入能量,,所述第二注入能量,足以,使杂质的所述离子通过所述场氧化层的所述中央区域”，,,,例如：申请人的意见陈述书中记载“相对低能量的杂质离子不能穿过,121,而说明书记载的是“第二次低能量注入的硼离子,不能,穿过厚的场氧化薄膜102的中心区域，而仅能穿过场氧化薄膜的周围区域即鸟嘴”，因此所述特征既没有记载在原说明书和权利要求书中，也不能由原说明书和权利要求书所记载的内容导出，因此超出了原说明书和权利要求书记载的范围，不符合专利法第33条的规定而说明书记载的是“第二次低能量注入的硼离子不能穿过厚的场氧化,122,e）,修改数值范围，导致修改超范围,；例如：将独立权利要求1将组合物的淀积厚度由“2.5-11微英寸”修改为“小于11微英寸”。

e）修改数值范围，导致修改超范围；例如：将独,123,f）,修改技术术语，导致修改超范围,；,例如：将“磷硅玻璃”修改成“玻璃”特征“玻璃”概括了很宽的范围，广义的玻璃包括单质玻璃、有机玻璃和无机玻璃，除工业上大规模生产的硅酸盐玻璃之外，还有氧化物玻璃、非氧化物玻璃、由某些合金形成的金属玻璃等因此仅由说明书中记载的“PSG”是无法推导出特征“玻璃”f）修改技术术语，导致修改超范围；,124,,g）相对于审查员提出的对比文件修改了独立权利要求，但修改后的权利要求的,保护范围没有实质性的变化,g）相对于审查员提出的对比文件修改了独立权利,125,四、导致驳回的几种常见情况及案例分析,1 . 驳回的条件,1）属于专利法实施细则第五十三条规定的驳回情形；,2）给申请人,至少一次陈述意见,和/或进行,修改,申请文件的机会；,,,四、导致驳回的几种常见情况及案例分析,126,3）申请人在指定的期限内未提出有说服力的意见和/或证据，也,未,对申请文件进行符合专利法及实施细则规定的,修改,；,4）或者修改后的申请文件中仍然存在足以用已通知过申请人的理由和证据予以驳回的缺陷3）申请人在指定的期限内未提出有说服力的意见和/或证据，也未,127,2 . 驳回的种类,1）发明专利申请的主题违反国家法律、社会公德或者妨碍公共利益，或者申请的主题属于专利法第25条规定的不授予发明专利权的客体；（,专利法第5条和25条,）,2）申请的发明不具备新颖性、创造性和实用性；（,专利法22条,）,,,2 . 驳回的种类,128,3）发明专利法申请没有充分公开请求保护的主题（,专利法第26条第3款,），或者权利要求未以说明书为依据；（,专利法第26条第4款,）,4）申请不符合专利法关于发明专利申请单一性的规定,（专利法第31条第1款）；,5）申请的发明根据“先申请原则”不能取得专利权（,专利法第9条,），或者申请不符合“一发明创造、一专利”的规定；（,专利法实施细则第13条第1款,）；,,,3）发明专利法申请没有充分公开请求保护的主题,129,6）发明专利申请不是对产品、方法或者改进所提出的新的技术方案（,细则第2条第1款,）；,7）权利要求书不清楚、简要（,专利法实施细则第20条第1款,），独立权利要求缺少解决技术问题的必要技术特征（,专利法实施细则第21条第2款,）；,8）申请的修改或者分案的申请超出原说明书和权利要求书记载的范围（,专利法第33条,）。

6）发明专利申请不是对产品、方法或者改进所提,130,3 . 案例,发明名称,：半导体器件的制造方法,申请简介：,薄膜半导体形成的薄膜晶体管（TFT）通常使用无定形硅膜作为半导体层，通常使用催化元素使其晶化，利用等离子体处理或蒸镀会大量引入上述元素产生不利影响3 . 案例,131,发明目的：,控制引入催化剂元素的量，并且将其控制在最低限度的量,也就是，仅仅在表面引入极微量催化元素,,,发明目的：控制引入催化剂元素的量，并且将其控制在最低限度的量,132,申请文件中的部分权利要求,：,1）独立权利要求1中包含特征“使含促进结晶化的催化剂元素的溶液与暴露的无定形硅膜,连接,的工序”； （不支持）,2）从属权利要求4的附加技术特征为催化剂元素使用选自VIII族、IIIb族、IVb族、Vb族元素中的一种或几种元素申请文件中的部分权利要求：,133,审查过程,：,在,第一次审查意见通知书,中的其中一条意见中指出：特征“使,,溶液与,,硅膜,连接,的工序”概括了很宽的范围，连接包括很多种，仅机械连接就有很多种，而说明书中仅给出了旋转涂敷的实施例1-4，因此权利要求1没有以说明书为依据，不符合专利法第26条第4款的规定，请申请人根据说明书具体限定。

此外，在第一次审查意见通知书中没有提及从属权利要求4的缺陷审查过程：,134,但申请人在,答复审查员的第一次审查意见通知书,提交的权利要求书中，,1）将“无定形硅膜”替换为“含有无定形硅的膜”；（超范围）,2）没有对特征“连接”进行修改（不支持）,3）将权利要求4中的“VIII族、IIIb族、IVb族、Vb族”修改为“8、9、10族、IIIb 13族、14族、15族”超范围）,,,但申请人在答复审查员的第一次审查意见通知书提交的权利要求书中,135,针对上述缺陷审查员在,第二次审查意见通知书,中指出：,1）‘含有无定形硅的膜’的含义为该膜除了含有无定形硅之外还含有其它成分，已超出了‘无定形硅膜’的含义，并且该特征既没有明确地记载在原说明书和权利要求书中，也不能由原说明书和权利要求书所记载的‘无定形硅膜’的内容直接导出，因此超出了原说明书和权利要求书记载的范围，不符合专利法第33条的规定，是不允许的针对上述缺陷审查员在第二次审查意见通知书中指出：,136,2）申请人将权利要求4中的“VIII族、IIIb族、IVb族、Vb族”修改为“8、9、10族、IIIb 13族、14族、15族”，然而修改后的“8、9、10族、IIIb 13族、14族、15族”既没有明确地记载在原说明书和权利要求书中，也不能由原说明书和权利要求书所记载的“VIII族、IIIb族、IVb族、Vb族”的内容直接导出，因此超出了原说明书和权利要求书记载的范围，不符合专利法第33条的规定，是不允许的。

2）申请人将权利要求4中的“VIII族、II,137,3）独立权利要求1中出现特征“连接”概括了很宽的范围，使一种物质与另一种物质相连接有很多种方式，机械方式的连接就有很多种，即使在本领域中使两种膜相接触的方式也有很多种，例如溅射、蒸镀、CVD、等离子体处理、涂敷等等，但并非这些方法都能达到本申请说明书第3页第四段中‘控制引入催化剂元素的量’的要求，,,,3）独立权利要求1中出现特征“连接”概括了很,138,从说明书第2页最后一段中申请人指出等离子体处理不能有效地控制引入起作用的催化元素的量，说明书第3页第2段中申请人指出蒸镀法也不能严格地控制催化剂元素的加入量，并且申请人在四个实施例中均采用了涂敷法将含催化剂元素的溶液涂敷在无定形硅膜的表面上因此独立权利要求1不符合专利法第26条第4款的规定，请申请人根据说明书中记载的内容将‘使,,连接,’修改为‘通过涂敷使,,接触,’从说明书第2页最后一段中申请人指出等离子体处理不能有效地控制,139,在,针对第二次审查意见通知书,提交的权利要求书中，仅将权利要求4中的“8、9、10族、IIIb 13族、14族、15族”中的“IIIb”删除，变为“8、9、10族、13族、14族、15族”，依然没有对特征“连接”进行修改。

申请人在意见陈述书中指出“8、9、10族、13族、14族、15族”为“VIII族、IIIb族、IVb族、Vb族”的现形表述方式，并且指出‘本申请的说明书中并未指定涂敷为唯一的连接方法’在针对第二次审查意见通知书提交的权利要求书中,140,基于此，审查员做出,驳回决定,，在驳回决定正文中指出：,1）认为特征“8、9、10族、13族、14族、15族”依然没有明确地记载在原说明书和权利要求书中，也不能由原说明书和权利要求书所记载的“VIII族、IIIb族、IVb族、Vb族”的内容直接导出，并且“,现形表述方式”的解释也含义不清楚，,因此仍然没有克服超出了原说明书和权利要求书记载的范围的缺陷，不符合专利法第33条的规定，是不允许的基于此，审查员做出驳回决定，在驳回决定正文中,141,2）,权利要求1中仍然采用了特征“连接”，,申请人在意见陈述书中指出‘本申请的说明书中并未指定涂敷为唯一的连接方法’，但是本申请的说明书中同样没有给出采取其它连接方法的实施例，也没有明确指出可以采取其它的连接方法因此,审查员依然认为该特征概括了很宽的范围，应该将,‘使,,保持,,’具体限定为‘通过涂敷使,,接触,’。

因此,权利要求1仍然不符合专利法第26条第4款的规定2）权利要求1中仍然采用了特征“连接”，申请,142,,,半导体及集成电路领域的撰写及常见问题ppt课件,143,谢谢！,,,谢谢！,144,。