光敏二极管的分光灵敏度特性.docx

G36I41. 7光敏二极管的分光灵敏度特性光敏二极管的分光灵敏度特性在使用光敏二极管的时候，无论如何都应当知道其分光灵敏度特性所谓分光灵敏度特 性，如图1.7所示，它表示的是光敏二极管对于不同波长的光具有多高的灵敏度如果对光敏二极管照射波长为入的光，那么该二极管每吸收一个光子，都会产生一对 能够形成光电流的载流子但是，每个光子能否被该二极管吸收，取决于该光子的能量是否 超过制作该光敏二极管的半导体材料的禁带能级宽度Eg波长为入 的光的光子能量Eph可以表示为：厂 r ：广 I）A式中，h是普朗克常数（6.626X10 -34J・s） ;c是光速（3X108m/s）；入是光的波长（m）紫外——4 用见光 + 红外200 400 600 800 1000 1200波长/nm当Eph>Eg时，产生光电流；当EphVEg时，没有光电流产生当光敏二极管的材料 为Si （硅）的时候，Eg =1.1eV,从式（1.1）可知，该光敏二极管对于波长入>1100mm的 光照射没有感知灵敏度•光敏二极管的波长感知灵敏度特性如图1.8所示厂)—-1' T 敏：战1光）— ~TsiA: l :极敏［A/\ /I1 f1IL 1r/ ，:1 T -iog6(4(o2400 600 800 1000 1200波氏/伽图Si光敏二极管与GaAsP光敏二极背的分光灵敏哎特件图1.7中的BS120与PH302B所用的材料都是Si,所以他们呢本身的特性都应当如图 1.8所示；然而由于它们各自对应的用途不同。

而配置了不同的滤光片，BS120配置的是视 觉校正滤光片，PH302B配置的是遮挡可见光的滤光片，于是它们就有了图1.7所示的不同 的特性与Si材料相比，GaAsP的禁带宽度Eg更大一些，因此用GaAsP制作而成的光敏二极 管的分光灵敏度会往波长更短的方向移动有关这一点，从图1.8中可以看得比较清楚不 过，通过改变GaAsP中GaAs与GaP结晶比的方法，可以改变Eg的大小图1.7中的G3614就是用GaAsP制作而成的，它在紫外线领域具有灵敏度，因此可以 用作紫外线的检测。