模拟电子技术基础课后答案解析谢志远.doc

第二章U AB0.45U a） D2导通， D1 截止 b） D2导通， D1 截止 c） D1 导通， D2 截止（ d） D2 导通， D1截止 a） U o11.3V b ） U o2 0V c） U o31.3V d） U o42V（ e） U o5 1.3V f）U o62V 1） IDB0；IDAI R 1mA ； U o9V 2） IDB 0 ； I DAI R0.6mA ； U o = 5.4V 3） U o =4.74V； I R0.53mA ； I D A= IDB1 I R0.26mA 2（ a） D 截止b） D 截止c） D 导通1）UI10V时 U O3.3V UI 15V 时UO5VUI 35V 时UO 6V 2）若 U I= 35V时负载开路， 稳压管 D 可能被击穿35V - 6V29mA > 25mA 稳压管I R1k会因所承受的反向电流过大，出现热击穿而被烧毁第三章（ 1）（a）电流方向向外，大小为；(b) 电流方向向外，大小为 5mA2) （ a）1mA5mA10100 ;（ b）50A100 A（ 3）（ a）该管为 NPN 型；（b ），该管为 PNP 型。

a）为 PNP 型；（b ）为 NPN 型；（ c）为 NPN 型；（d）为 PNP型；（ e）为 PNP型；（ f）为（ a）不能正常放大 （ b）无交流放大作用 （ c）能够实现交流放大 （ d）不能实现交流放大 e）不能实现交流放大 （ f）电路能够正常放大1）UBEQ0.7V ； I BQ50μ A； I CQ 2mA ； U CEQ6V 1）当 IBQ0.3mA 时， Q1 的150 ；Q2点的2252）U (BR)CEO 40V； PCM7.2W（ a）三极管工作在截止区 （ b）三极管工作在放大区 （ c）三极管工作在饱和区1） RBVCC12V200kBμ AIBQ60（2）VCC 12V，U CEQ4V，ICQ2mA ，RC4k，RB300k ，RL 1.33kuom2V 1） Rc2.5k， Rb 250k， RL 3.75k2）、该电路先出现截止失真刚出现失真时，输出电压的峰-峰值为 6V3） Ri 863， Au87， Ro2k4） I BQ40A，ICQ= 1mA ， U CEQ7.5V， Au42.8 。

1） IBQ20.4μ A ， I EQ2mA ，U CEQ4V 2） rbe1513 3） Au99 ， Ri1.5k， Ro3k4）产生了截止失真；若使截止失真消失，应该提高静态工作点，减小偏置电阻Rb a） I BQ46.3μA ， 20℃时电路的静态工作点：I CQ1 =2.3mA ， U CEQ1 5.56V；55℃时电路的静态工作点：I CQ2 =3.2mA ， U CEQ23Vb ） U BQ = 3V， ICQ2.4mA 20℃时电路的静态工作点：I BQ1 48μ A ， U CEQ15.28V ；55℃时电路的静态工作点： I BQ2 34.3μ A ， U CEQ2 U CEQ1 5.28V 从以上分析可知，分压式偏置电路能够起到稳定静态工作点的作用1）UBQ3.3V ， I CQI EQ 2mA ， I BQ20μ A ， UCEQ（2） Au7.9 ， Ri3.7k， Roc5k 3）UBQ =3.3V ，I CQ IEQ2mA，UCEQ7.4V 不变， I BQ7.4V 10μ A 4）若电容 Ce 开路，AuRcRL将变小， RiRb1Rb2 [rbe(1)( Re Re)]rbe(1)( ReRe)将变大，输出电阻Ro 基本不变。

1）UCEQ5.19V ， I CQ2.27mA （ 2） C1 右为正， C2 左为正3）当环境温度发生改变时：TI CU RC(U BE不变）U RBI BI C（1） RB550k（ 2） RE 短路时，I BQ79μA ， I CQ3.95mA ， U CEQ20V 1） IBQ0.275mA ，当20 时，有 I CQ5.5mA ， U CEQ8.5V 2)Au0.855 ， Ri7.93k， RoRC1k3）当稳压管反接时，UBQ UDU BEQ1.4V， IBQ0.717mA， ICQ14.34mA，U CEQ= 4.96V； Au15.84 ， Ri1.14k， RoRC1k 1） IBQVCCU BEQ； ICQIBQ 1)( Rc1+ Rc2 )(Rb1Rb2 )（2） Auuo(RcRb1RL )Rb2 rbe B rbe ； RoRc uirbe； Ri（1）UBQ4.3V， ICQI EQ1.8mA ， I BQ18μA ， U CEQ2.8V ， rbe1.66k 3） Au1 ， Ri7.9k， Aus0.8 ， Ro321）UBQ2.8V， ICQI EQ1mA ， I BQ5μA ， U CEQ5V 。

2） Au10.98 ， Au20.99 3） Au10.5， Au20.97rbe[(1)rbe ]( RB2PRE PRL )RiRB3， Ri RB1 PRi；rbe1RB3Ro( rbe RB3RB1 ) ， RoRB2 PRE Ro 1Au77 ， Aus5.7 ， Ri12， RoRc2kAu273 ， Ri27，RoRC 7.5k1）UBQ5V， ICQI EQ10mA ， I BQ0.2mA ， U CEQ10V2）最大不失真输出电压的幅值为5V3） Au75， Ri6.4， RoRC500 1） Aum100， fL10Hz ， f H105&10 jf 2） Auj f(1)(1jf 5 )&10105（ 1） Aum100， f L10Hz ， fH10Hz 第四章（ a） P 沟道耗尽型MOS 管；（ b） N 沟道耗尽型MOS 管；（ c） P 沟道结型FET a）N 沟道增强型MOS 管， U GS(th)2V；（ b）P 沟道增强型MOS 管， U GS(th)3V；（ c）。