BTS7960的中文资料.docx

BTS7960智能功率芯片中文资料BTS796Q1NovalithIC家族三个独立的芯片的一部分：一是p型通道的高电位场效应晶体管，二是一个n型通道的低电位场效应晶体管，结合一个驱动晶片,形成一个完全整合的高电流半桥所有三个芯片是安装在一个共同的引线框，利用芯片对芯片和芯片芯片技术电源开关应用垂直场效应管技术来确保最佳的阻态由于p型通道的高电位开关，需要一个电荷泵消除电磁干扰通过驱动集成技术，逻辑电平输入、电流取样诊断、转换速率调整器，失效发生时间、防止欠电压、过电流、短路结构轻易地连接到一个微处理器上BTS7960可结合其他的BTS796cB成全桥和三相驱动结构图框如下:BTS7960vsININHSRISGN口OUT下图显示使用的数据表vs»"口阴用J亡IN-0INHI--OvsBTS7960o.nnGND-oGN口_S)2引脚结构^SD(LS)2.1引脚分配上视图是BTS7960BandBTS7960P的引脚结构引脚的定义和功能PinSymboliroFunction1GND-Ground2IN1InputDefinesv.hetherhigh-orlov^sideswitchisactivated3INH1IrihibilWhensettolowdevicegoesinsleepmode4,8OUToPoweroutputo1thebridge5SR1SlewRateTheslewrateoFIhepowerswitchescarbeadjustedbyconnectingaresistorbfttweenSRandGND6IS0CurrentSenseandDiagnosis7VS■Supply引脚的定义和功能PINSYMBOLI/O功能1GND-接地2INI输入，高电位开关、低］电位开关是否开启决定3INHI抑制，当设定为低电平］进入睡眠状态473OUTk功率输出5SRI]转换速率功率开关的转换速率通过SR和GN呵连接的电阻调整6ISO电流取样诊断7VS-电源应用事例下图是智能功率芯片BTS7960^应用于电机驱动的大电流半桥高集成芯片Microc ontrollerVoltage RegulatorReverse Polarity ProtectionHighCurrentH-BridgeNorm al operation:current sense modeSense output logic二E写匚ZD 本Fault condition: error flag modeVS i™lis c-~~-Sense -output R|S % logic - -上图是正常模式和故障模式下电流检测智能功率芯片BTS7960^应用于电机驱动的大电流半桥高集成芯片，它带有一个P沟道的高边MOSFET一个N沟道的低边MOSFEV口一个驱动Ic,如图1所示。

集成的驱动Ic具有逻辑电平输入、电流诊断、斜率调节、死区时间产生和过温、过压、欠压、过流及短路保护的功能BTS7960!态电阻典型值为16mQ驱动电流可达43A智能功率芯片BTS796妙应用于电机驱动的大电流半桥高集成芯片，它带有一个P沟道的高边MOSFET一个N沟道的低边MOSFE下口一个驱动Ic,如图1所示集成的驱动Ic具有逻辑电平输入、电流诊断、斜率调节、死区时间产生和过温、过压、欠压、过流及短路保护的功能BTS7960!态电阻典型值为16mQ驱动电流可达43ABTS79601勺弓唧Is具有电流检测功能，正常模式下，从Is引脚流出的电流与流经高边MOS管的电流成正比，若RIS=lkQ,则VIS=Iload/8.5;在故障条件下，从Is引脚流出的电流等于IIS(1im)(约4.5mA),最后的效果是Is为高电平如图3所示，图3(a)为正常模式下Is引脚电流输出，图3(b)为故障条件下IS引脚上的电流输出。