mos管驱动电流计算.doc

第一种:可以使用如下公式估算：lg=Qg/T on其中：Ton=t3-t0 宀 td(on)+trtd(on) : MO导通延迟时间，从有驶入电压上升到 10紡始到VDSF降到其幅值90%勺时间Tr :上升时间输出电压 VDS从90%F降到其幅值10%勺时间Qg=(CEI) (VGS)或 Qg=Qgs+Qgd+Qod(可在 datasheet 中找到)？第二种：(第一种的变形)密勒效应时间(开关时间)Ton/off=Qgd/lg ;Ig=[Vb-Vgs(th)]/Rg ;Ig : MOSS极驱动电流；Vb：稳态栅极驱动电压；？第三种：以IR的IRF640为例，看DATASHEEH有条Total Gate Charge 曲线该曲线先上升 然后几乎水平再上升水平那段是管子开通(密勒效应)假定你希望在 0.2us内使管子开 通，估计总时间(先上升然后水平再上升)为 0.4us，由Qg=67nC和0.4us可得： 67nC/0.4us=0.1675A，当然，这是峰值，仅在管子开通和关短的各 0.2us里有电流，其他时间几乎没有电流，平均值很小，但如果驱动芯片不能输出这个峰值，管子的开通就会变 慢。

>① 69o/\ 0050^1053 ・s0AParameterMin.Typ.Max.UnitsV(BR)DSSDrain-to-Source Breakdown Voltage200VVgs =AV(BR)DSS/ATjBreakdown Voltage Temp. Coefficient—0.25—v/°cRefer^DS(on)Static Drain-to-Source On-Resistance——0.15aVgs =VGS(th)Gate Threshold Voltage2.04.0VVds =StsForward Transconductance6.8sVds ='DS3Drain-to-Source Leakage Current—25PAVds =250Vds =•gssGate-to-Source Forward Leakage100nAVqs =Gate-to-Source Reverse Leakage-100Vgg •QgTotal Gate Charge——67nCb = 1 Vds = Vgs =QgsGate-to-Source Charge11QgdGate-to-Drain ("Miller") Charge33td(on)Turn-On Delay Time10nsVdd =Id = 1Rg =Rd =trRise Time—19—^d(oft)Turn-Off Delay Time23tfFall Time5.5LqInternal Drain Inductance4.5nHBetwi6mm from and cInternal Source Inductance—7.5—GssInput Capacitance1160PFVgs =VDS =/=1C(D3SOutput Capacitance—185—C『3SReverse Transfer Capacitance53。