第12章金属化.ppt

第12章金属化集成电路工艺第第12章章 金属化金属化第12章金属化目标1. 解释金属化；2. 列出并描述在芯片制造中的6种金属，讨论它们的性能要求并给出每种金属的应用；3. 解释在芯片制造过程中使用金属化的优点，描述应用铜的挑战；4. 叙述溅射的优点和缺点；5. 描述溅射的物理过程，讨论不同的溅射工具及其应用；6. 描述金属CVD的优点和应用；7. 解释铜电镀的基础；8. 描述双大马士革法的工艺流程9/12/20242集成电路工艺第12章金属化提纲•1.概述•2.金属类型•3.金属淀积系统•4.金属化方案•5.金属化质量检查及故障排除9/12/20243集成电路工艺第12章金属化1.概述•RC延迟——需要减小信号的传播延迟•芯片金属化是应用化学或物理处理方法在芯片上淀积导电金属薄膜的过程•互连(interconnect)指由导电材料(铝、多晶硅或铜)制成的连线将电信号传输到芯片的不同部分•接触(contact)指硅芯片内的器件与第一层金属层之间在硅表面的连接•通孔(via)是穿过各种介质层从某一金属层到毗邻的另一金属层形成电通路的开口9/12/20244集成电路工艺第12章金属化多层金属化层间介质金属互连结构在硅中扩散的有源区亚0.25µm CMOS 剖面具有钨塞的通孔互连结构复合金属互连局部互连（钨）初始金属接触9/12/20245集成电路工艺第12章金属化铜制程•双大马士革工艺(dual damascene)•首先淀积介质覆盖层、平整化介质、光刻成图形、在介质层为通孔和连接金属线刻蚀孔；•然后淀积金属覆盖层到孔中，平坦化、研磨金属层直到介质层表面以确定金属互连。

9/12/20246集成电路工艺第12章金属化传统和大马士革金属化比较传统互连流程氧化硅通孔2刻蚀 钨淀积 + CMP金属2淀积 + 刻蚀覆盖 ILD 层和 CMP双大马士革流程覆盖 ILD 层和 CMP氮化硅刻蚀终止层 (光刻和刻蚀)第二层 ILD 淀积和穿过两层氧化硅刻蚀铜填充铜CMP9/12/20247集成电路工艺第12章金属化铜金属化9/12/20248集成电路工艺第12章金属化2.金属类型1.1.导电率导电率: : 要求高导电率，能够传道高电流密度2.2.黏附性：黏附性：能够黏附下层衬底，容易与外电路实现电连接3.3.淀积：淀积：易于淀积，经相对低温处理后有均匀的结构和组分4.4.刻印图形刻印图形/ /平坦化：平坦化：提供高分辨率的光刻图形/ 大马士革金属化易于平坦化5.5.可靠性：可靠性：经受温度循环变化，相对柔软且有好的延展性6.6.抗腐蚀性：抗腐蚀性：很好的抗腐蚀性，层与层以及下层器件区有最 小的化学反应7.7.应力：应力：很好的抗机械应力特性，以便减少硅片的扭曲和材 料的失效9/12/20249集成电路工艺第12章金属化硅和硅片制造业中所选择的金属 (20℃)9/12/202410集成电路工艺第12章金属化常见的金属和金属合金•铝•铝铜合金•铜•阻挡层金属•硅化物•金属填充塞9/12/202411集成电路工艺第12章金属化2.1 铝•最早的互连金属是铝铝•铝在20℃时具有 2.65µΩ-cm的低电阻率，比铜、金及银的电阻率稍高。

•铜和银都比较容易腐蚀，在硅和二氧化硅中有高的扩散率，这些都阻止它们被用于半导体制造金和银比铝昂贵得多，而且在氧化膜上附着不好•铝能够很容易和氧化硅反应，加热形成氧化铝（Al2O3），这促进了氧化硅和铝之间的附着铝容易淀积在硅片上，可用湿法刻蚀而不影响下层薄膜9/12/202412集成电路工艺第12章金属化铝 互 连9/12/202413集成电路工艺第12章金属化欧姆接触•在硅上加热烘烤铝形成期望的电接触界面，被称为欧姆接触•通常在惰性气体或还原的氢气环境中，在450～500℃进行，此过程被称为低温退火或烧结•欧姆接触有很低的电阻•在现代芯片设计中，欧姆接触用特殊的难熔金属（如以硅化物形式出现的钛），在硅表面作为接触以减小电阻、增强附着9/12/202414集成电路工艺第12章金属化欧姆接触•欧姆接触是应用自对准硅化过程制备的，使它能很准确位于源/漏的上方并且靠近栅结构Gate阻挡层金属欧姆接触铝、钨、铜等SourceDrainOxide9/12/202415集成电路工艺第12章金属化结结“穿通穿通”•在加热过程中，铝和硅之间易出现不希望的反应，该反应导致接触金属和硅形成微合金，这一过程被称为结“穿通”。

当纯铝和硅界面加热时结尖刺发生，并导致硅向铝中扩散硅片中留下空洞，允许穿通形成结尖刺的问题可通过在铝中添加硅和阻挡层金属化两种方法解决结短路浅结9/12/202416集成电路工艺第12章金属化2.2 铝铜合金•铝有电迁徒引起的可靠性问题•在大密度情况下，电子和铝原子碰撞引起原子逐渐移动，从而产生空洞，引起连线减薄，可能断路•在导体其他区域，金属原子堆起来形成小丘，如果大量的小丘形成，毗邻的连线或两层之间的连线有可能短接在一起•在ULIS技术、高级电路的设计中，芯片温度会随着电流密度而增加，两者都会使铝芯片金属化更易引起电迁徒9/12/202417集成电路工艺第12章金属化铝铜合金•由铝和铜形成的合金，当铜含量在0.5~4%时，其连线中的电迁移得到控制小丘短接的两条金属线金属线中的空洞9/12/202418集成电路工艺第12章金属化2.3 铜•由于硅片上电路集成度的增加，金属布线层数的增加，线宽划分得越来越细，金属化工艺已经从简单的单层发展到多层金属布线•由于铜具有更低的电阻率，因此可取代铝成为主要的互连金属材料9/12/202419集成电路工艺第12章金属化为什么引入铜？☺电阻率的减小：在20℃时，互连金属线的电阻率从铝的2.65µΩ-cm减小到铜的1.678µΩ-cm ；减少RC的信号延迟，增加芯片速度。

☺功耗的减少：减小了线的宽度，降低了功耗☺更高的集成密度：更窄的线宽，允许更高密度的电路集成，这意味着需要更少的金属层☺良好的抗电迁徒性能：铜不需要考虑电迁徒问题☺更少的工艺步骤：用大马士革方法处理铜具有减少工艺步骤 20％到30 %的潜力9/12/202420集成电路工艺第12章金属化与 0.25-m 器件比较互连延迟的变化9/12/202421集成电路工艺第12章金属化铝和铜之间特性和工艺的比较9/12/202422集成电路工艺第12章金属化铜面临的挑战!铜快速扩散进氧化硅和硅，一旦进入器件的有源区，将会损坏器件应用常规的等离子体刻蚀工艺，铜不能容易形成图形低温下（＜200℃）空气中，铜很快被氧化，而且不会形成保护层阻止铜进一步氧化9/12/202423集成电路工艺第12章金属化解决的一些方法•采用为铜优化的阻挡层金属处理•用钨塞作为第一层金属，与源、漏和栅区的接触，克服了铜沾污硅的问题•采用双大马士革法，不需要刻蚀铜9/12/202424集成电路工艺第12章金属化2.4 阻挡层金属•阻挡层金属化可消除诸如浅结材料扩散或结尖刺的问题•阻挡金属层是淀积金属或金属塞，作用是阻止层上下的材料互相混合。

阻挡层金属铜9/12/202425集成电路工艺第12章金属化阻挡层金属的基本特性1. 有很好的阻挡扩散作用；2. 高导电率具有很低的欧姆接触电阻；3. 在半导体和金属之间有很好的附着；4. 抗电迁徒；5. 在很薄的并且高温下具有很好的稳定性；6. 抗侵蚀和氧化9/12/202426集成电路工艺第12章金属化多层金属化材料•普通难熔金属钛(Ti)、钨(W)、钽(Ta)、钼(Mo)、钴(Co)和铂(Pt)•钛钨(TiW)和氮化钛(TiN)9/12/202427集成电路工艺第12章金属化铜阻挡层金属1.阻止铜扩散；2.低薄膜电阻；3.对介质材料和铜都有很好的附着；4.与化学机械平坦化过程兼容；5.具有很好的台阶覆盖，填充高深宽比间隙的金属层是连续、等角的；6.允许铜有很小的厚度，占据最大的横截面积9/12/202428集成电路工艺第12章金属化钽作为铜的阻挡层金属铜钽9/12/202429集成电路工艺第12章金属化2.5 硅化物•难熔金属与硅在一起发生反应，熔合时形成硅化物•硅化物是一种具有热稳定性的金属化合物，并且在硅/难熔金属的分界面具有低的电阻率•难熔金属硅化物是非常重要的，因为为了提高芯片性能，需要减小许多源漏和栅区硅接触的电阻。

•在铝互连技术中，钛和钴是用于接触的普通难熔金属 9/12/202430集成电路工艺第12章金属化硅接触上的难溶金属硅化物钛/钛钽阻挡层金属金属钨钛硅化物接触Silicon substrate多晶硅栅钛硅化物接触OxideOxideSourceDrain9/12/202431集成电路工艺第12章金属化多晶硅化物•如果难熔金属和多晶硅反应，被称为多晶硅化物•掺杂的多晶硅被用作栅电极，相对而言它有较高的电阻率（约500µΩ-cm），正是这导致了不应有的RC信号延迟多晶硅化物对减小连接多晶硅的串联导致是有益的，同时也保持了多晶硅对氧化硅好的界面特性9/12/202432集成电路工艺第12章金属化多晶硅化物钛多晶硅化物钛硅化物多晶硅栅掺杂硅9/12/202433集成电路工艺第12章金属化硅化物的一些特性9/12/202434集成电路工艺第12章金属化TiSi2的退火相9/12/202435集成电路工艺第12章金属化自对准硅化物•自对准硅化物技术：一个可提供稳定接触结构、减小源/漏区接触电阻的工艺•自对准硅化物的方法被用于产生硅化物，它能很好地与露出的源、漏以及多晶硅栅的硅对准9/12/202436集成电路工艺第12章金属化与自对准硅化物有关的芯片性能问题STITiSi2STISGDTiSi2TiSi2TiSi2减少的方阻减少栅的电阻减少的接触电阻减少的二极管漏电9/12/202437集成电路工艺第12章金属化自对准金属硅化物的形成2. 钛淀积Silicon substrate1. 有源硅区场氧化层侧墙氧化层多晶硅有源硅区3. 快速热退火处理钛硅反应区4. 去除钛TiSi2 形成9/12/202438集成电路工艺第12章金属化2.6 金属填充塞•被用于填充的最普通的金属是钨，因此填充薄膜常常被称为钨填充薄膜。

•钨具有均匀填充高深宽比通孔的能力，因此被选作传统的填充材料钨可抗电迁徒引起的失效，因此也被用作阻挡层以禁止硅和第一层之间的扩散及反应•钨是难熔材料，熔点为：3417℃，在20℃时，体电阻率是52.8µΩ-cm9/12/202439集成电路工艺第12章金属化多层金属的钨填充塞早期金属化技术1. 厚氧化层淀积2. 氧化层平坦化3. 穿过氧化层刻蚀接触孔4. 阻挡层金属淀积5. 钨淀积6. 钨平坦化1. 穿过氧化层刻蚀接触孔2. 铝淀积3. 铝刻蚀在接触孔 (通孔)中的钨塞氧化硅(介质)铝接触孔氧化硅(介质)现代金属化技术9/12/202440集成电路工艺第12章金属化IC 中的金属塞9/12/202441集成电路工艺第12章金属化3.金属淀积系统蒸发溅射金属CVD铜电镀9/12/202442集成电路工艺第12章金属化3.1 蒸发•蒸发由待蒸发的材料放进坩锅，在真空系统中加热并使之蒸发•最典型的加热方法是利于电子束加热放置在坩锅中的金属在蒸发中保持高真空环境，蒸气分子的自由程增加，并在真空腔里以直线形式运动，直到它撞到表面凝结形成薄膜•蒸发的最大缺点是不能产生台阶覆盖；性能上不能形成具有深宽比大于1.0:1的连续薄膜；还有对淀积合金的限制。

9/12/202443集成电路工艺第12章金属化简单的蒸发装置机械泵高真空阀高真空泵工艺腔(钟罩)坩锅蒸发金属载片盘9/12/202444集成电路工艺第12章金属化3.2 溅射•更好的台阶覆盖•更好的间隙填充•更好的溅射速率•在溅射过程中，高能粒子在撞击具有高纯度的靶材料固体平板，按物理过程撞击出原子这些被撞击出的原子穿过真空，最后淀积在硅片上9/12/202445集成电路工艺第12章金属化溅射的优点1.具有淀积并保持复杂合金原组分的能力；2.能够淀积高温熔化和难熔金属；3.能够在直径为200mm或更大的硅片上控制淀积均匀薄膜；4.具有多腔集成设备，能够在淀积金属前清除硅片表面沾污和本身的氧化层 (被称为原位溅射刻蚀)9/12/202446集成电路工艺第12章金属化基本溅射步骤•在高真空腔等离子体中产生正氩离子，并向具有负电势的靶材料加速；•在加速过程中获得动量，并轰击靶；•离子通过物理过程从靶上撞击出（溅射）原子，靶具有想要的材料组分；•被撞击出（溅射）的原子迁移到硅片表面；•被溅射的原子在硅片表面凝聚形成薄膜，与靶材料相比，薄膜具有与它基本相同的材料组分；•额外材料由真空泵抽走。

9/12/202447集成电路工艺第12章金属化简单平行金属板直流二极管溅射系统尾气e-e-e-e-e-e-DC 直流二极管溅射装置衬底 1) 电场产生 Ar+ 离子 2) 高能Ar+ 离子和 金属靶撞击 3) 将金属原子 从 靶中撞击阳极(+)阴极 (-)氩原子电场金属靶等离子体 5) 金属淀积在衬底上 6) 用真空泵将多余 物质从腔中抽走4) 金属原子向衬底迁移.进气+ ++ ++ ++ ++ +9/12/202448集成电路工艺第12章金属化溅射中的物理学•氩被用做溅射离子，是因为它相对较重并且化学上是惰性气体，这避免了和生长薄膜或靶发生化学反应•如果一个高能电子撞击中性的氩原子，碰撞电离外层电子，产生了带正电荷的氩离子这个具有能量的粒子被用于轰击带负电的靶材料以便被溅射9/12/202449集成电路工艺第12章金属化溅射的机制•带正电荷的氩离子在等离子体中被阴极靶的负电位强烈吸引当这些带电的氩离子通过辉光放电区的电压降时，它们被加速并获得动能•当氩离子轰击靶表面时，氩离子的动量转移给靶材料以撞击出一个或多个原子被撞出的这些原子穿过等离子体抵达硅片表面。

•入射离子的能量必须大到能够撞击出靶原子，但又不能太大以致渗透进入靶材料的内部典型溅射离子的能量范围为500到5000eV9/12/202450集成电路工艺第12章金属化溅射过程+0高能 Ar+ 离子被溅射的金属原子金属原子阴极(-)弹回的氩离子和自由电子复合形成中性原子9/12/202451集成电路工艺第12章金属化溅射产额•溅射产额定义为每个入射离子轰击靶以后，由靶喷射出的原子数产额很大程度决定了溅射淀积的速率•溅射产额取决于：1.轰击离子的入射角2.靶材料的组分和它的几何因素3.轰击离子的质量4.轰击离子的能量9/12/202452集成电路工艺第12章金属化不同核素淀积在衬底上阳极(+)阴极 (-)电场金属靶等离子体辉光产生的光子被溅射的原子Substrate高能原子中子包含杂质的阴离子轰击靶产生的X-射线阴离子–e e- -9/12/202453集成电路工艺第12章金属化溅射期间的污染源•不纯的溅射气体•从承片台释放的气体•从腔壁释放的气体•真空系统的泄露9/12/202454集成电路工艺第12章金属化三类溅射系统•RF（射频）•磁控•IMP（离子化的金属等离子体）9/12/202455集成电路工艺第12章金属化RF溅射•在RF溅射系统中，等离子体由RF场产生。

•RF频率通常为13.56MHz•RF溅射系统的溅射产额不高，导致它的沉积速率低，因此应用受到限制9/12/202456集成电路工艺第12章金属化磁控溅射•磁控溅射系统是在靶的周围和后面装置了磁体以俘获并限制电子于靶的前面•这种设置增加了离子在靶上的轰击率，产生更多的二次电子，进而增加等离子体中电离的速率最后的结果是，更多的离子引起对靶更多的溅射，因此增加了系统的淀积速率9/12/202457集成电路工艺第12章金属化磁控溅射系统DC 电源被加热的硅片吸盘磁铁氩气入口真空泵 靶 阴极9/12/202458集成电路工艺第12章金属化准直溅射•为了在接触孔或通孔的底部和边沿取得较好的覆盖，通过利用准直溅射能够获得直接的增强•任何从靶上被溅射出的高角度中性核素被中断，并淀积在准直器上从靶上直线喷射的其他原子将通过准直器淀积在接触孔的底部，准直器在接触孔中减少了对侧墙的覆盖9/12/202459集成电路工艺第12章金属化准直溅射表明溅射薄膜覆盖通孔的剖面图Ar靶准直器准直溅射系统Figure 12.21 9/12/202460集成电路工艺第12章金属化离子化的金属等离子体•当特征尺寸缩小时，溅射进入具有高深宽比的通孔和狭窄沟道的能力受到限制。

•IMP方法是在压力20－40mTorr的RF等离子体中，溅射的金属被离子化，由于硅片上加了负的偏置电压，正的金属离子沿着垂直路径向硅片运动9/12/202461集成电路工艺第12章金属化离子化的金属等离子体SubstrateElectrode电极钛靶++RF场高能氩离子钛离子被溅射的钛原子e e- -e e- -离子体DC 电源RF 发生器DC 场DC 偏置电源电感线圈9/12/202462集成电路工艺第12章金属化3.3 金属CVD•由于化学气相淀积具有良好的台阶覆盖以及对高深宽比接触通孔无间隙式的填充，在金属淀积方面它的应用正在增加•钨 CVD•铜 CVD9/12/202463集成电路工艺第12章金属化钨 CVD•作为淀积通孔填充薄膜以及在第一金属层与硅化物接触之间扮演接触填充物的过程，钨CVD被用于多层互连技术•1.极好的台阶覆盖和间隙填充，特别是在高深宽比通孔的填充方面•2.良好的抗电迁移特性9/12/202464集成电路工艺第12章金属化具有 Ti/TiN 阻挡层金属的垫膜钨 CVDTi2 准直钛淀积覆 盖通孔底部间隙填充介质铝通孔PECVD SiO21. 层间介质通孔刻蚀3.CVD TiN 4. 等角淀积TiN4. CVD 钨淀积钨通孔薄膜5. 钨平坦化钨填充薄膜9/12/202465集成电路工艺第12章金属化PVD 多腔集成设备9/12/202466集成电路工艺第12章金属化铜 CVD•为淀积铜电镀所必需的种子层，铜CVD是最具有潜力的工艺。

•Cu(hfac)2（铜的先驱物，气体）＋H2（气体） Cu0（固体）＋2H(hfac)(气体）9/12/202467集成电路工艺第12章金属化3.4 铜电镀•高性能微处理器和快速静态存储器使用铜工艺•电镀铜金属的基本原理是将具有导电表面的硅片沉浸在硫酸铜溶液中，这个溶液包含所需要淀积的铜硅片和种子层作为带负电荷的平板或阴极电连接到外电源固体铜块沉浸在溶液中并构成带正电荷的阳极电流从硅片进入溶液到达铜阴极当电流流动时，下列反应在硅片表面淀积铜金属：Cu2+ + 2e- Cuo9/12/202468集成电路工艺第12章金属化铜电镀系统- 阴极+ 阳极衬底电镀液入口出口出口铜离子 铜原子附着在硅片上++9/12/202469集成电路工艺第12章金属化铜电镀工具Used with permission from Novellus Systems, Inc.9/12/202470集成电路工艺第12章金属化4.金属化方案•传统的铝结构•铜大马士革结构9/12/202471集成电路工艺第12章金属化双大马士革法的铜金属化双大马士革法的铜金属化1: SiO2 淀积说说明明：： 用 PECVD 淀积内层氧化硅到希望的厚度，这里没有关键的间隙填充，因此PECVD 是可以接受的。

SiO29/12/202472集成电路工艺第12章金属化2：：Si3N4 刻蚀阻挡层淀积说明：说明： 厚 250 Å 的 Si3N4 刻蚀阻挡层被淀积在内层氧化硅上SiN需要致密，没有针孔，因此使用 HDPCVD Si3N4双大马士革法的铜金属化双大马士革法的铜金属化9/12/202473集成电路工艺第12章金属化双大马士革法的铜金属化双大马士革法的铜金属化3：：确定通孔图形和阻挡层说明：说明： 光刻确定图形、干法刻蚀通孔窗口进入 SiN. 中，刻蚀完成后去掉光刻胶SiN9/12/202474集成电路工艺第12章金属化双大马士革法的铜金属化双大马士革法的铜金属化4：淀积保留介质的 SiO2说明：说明： 为保留层间介质，PECVD 氧化硅淀积SiO29/12/202475集成电路工艺第12章金属化双大马士革法的铜金属化双大马士革法的铜金属化5：：确定互连图形 说明：说明：光刻确定氧化硅槽图形，带胶在确定图形之前将通孔窗口放在槽里Photoresist9/12/202476集成电路工艺第12章金属化双大马士革法的铜金属化双大马士革法的铜金属化6：：刻蚀互连槽和通孔 说明：说明：在层间介质氧化硅中干法刻蚀沟道，停止在 SiN 层。

穿过 SiN.层中的开口继续刻蚀形成通孔窗口9/12/202477集成电路工艺第12章金属化双大马士革法的铜金属化双大马士革法的铜金属化7：淀积阻挡金属层 说明：说明：在槽和通孔的底部及侧壁用离子化的PVD淀积钽( TaN）和氮化钽扩散层阻挡层金属9/12/202478集成电路工艺第12章金属化双大马士革法的铜金属化双大马士革法的铜金属化8：：淀积铜种子层 说明：说明：用 CVD. 淀积连续的铜种子层，种子层必须是均匀的并且没有针孔铜种子层9/12/202479集成电路工艺第12章金属化双大马士革法的铜金属化双大马士革法的铜金属化9：：淀积铜填充 说明：说明：用电化学淀积 (ECD).淀积铜填充，即填充通孔窗口也填充槽铜层9/12/202480集成电路工艺第12章金属化双大马士革法的铜金属化双大马士革法的铜金属化10：：用CMP清除额外的铜 说明：说明：用CMP 清除额外的铜，这一过程平坦化了表面并为下道工序做了准备最后的表面是一个金属镶嵌在介质内，形成电路的平面结构Copper9/12/202481集成电路工艺第12章金属化双大马士革的优点双大马士革的优点•避免金属刻蚀•在刻蚀好的金属线之间不再需要填充介质间隙•减少了工艺步骤20％－30％9/12/202482集成电路工艺第12章金属化5.金属化质量检查及故障排除1.溅射金属的附着；2.溅射薄膜的应力；3.溅射的膜厚；4.溅射薄膜的均匀性9/12/202483集成电路工艺第12章金属化小结•金属化淀积的金属薄膜，在芯片上形成了互连金属线和接触孔或通孔连接。

有6类金属用于硅片制造业，各有不同的特点满足不同的性能要求•铝用作传统的互联金属线欧姆接触是硅和互连金属之间的低阻接触•铝也常和铜形成合金最大程度地解决电迁徒稳定性问题，铜的含量在0.5％～4％之间•新的互连金属化建立在铜冶金的基础上以减小金属电阻铜和具有低K值的介质联合使用将减小芯片的互连延迟9/12/202484集成电路工艺第12章金属化小结（续）•连接金属时常使用阻挡层金属，不同的阻挡层金属是否具有合适的特性取决于应用•硅化物是难熔金属和硅形成的合金，用于减小接触电阻和附着•自对准硅化物是一种特殊的硅化物，它被用于对准源、漏和栅结构•应用最广泛的系统是溅射溅射的物理特性是轰击靶，以轰击出原子，并在硅片表面淀积这些原子形成薄膜•三类最普通的溅射类型是RF、磁控和粒子化金属等离子体9/12/202485集成电路工艺第12章金属化小结（续）•离子化金属等离子体为高深宽比淀积改进了方向性•CVD金属有最好的均匀性，用于W塞和铜种子层•铜电镀主要是半导体制造业为铜金属线淀积所选择的用双大马士革方法在介质中刻蚀通孔和槽，淀积铜填充这些通孔和槽，然后CMP清除额外的铜9/12/202486集成电路工艺第12章金属化作业•复习题•2、10、359/12/202487集成电路工艺第12章金属化谢谢！。