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CMOS 工艺流程详解说！必看！今天偷个懒，网上下了个标准CMOS流程，给大家看看，顺便简单介绍一下其中步骤，废话少说，直接开始CMOS 工艺流程介绍1. 衬底选择：选择合适的衬底，或者外 延片，本流程是带外延的衬底； 2. 开始： Pad oxide氧化，如果直接淀积氮化硅，氮化硅对衬底应力过大，容易出问题；接着 就淀积氮化硅3.A-A 层的光刻： STI （浅层隔离）1） A-A隔离区刻蚀：先将hard mask氮化硅和oxide 起刻掉；（2） STI 槽刻蚀： Si3N4 的刻蚀菜单刻蚀硅速率过 快，不好控制，需要分开刻蚀； （ 3）刻蚀完成后去胶，为了 节省空间，后面的层次去胶将会用一句话带过； 4） STI 用氧化硅填充：这里没有讲，其实刻蚀STI会对衬底造成损伤，般要先长一层薄氧化层，然后再腐蚀掉的，这样可以消除表现损伤；STI填充：HDP高密度等离子淀积STI槽，用其 他机器填充会提前将STI槽封死，里面会出现空洞，HDP 机台是一遍淀积，一遍刻蚀，可以防止提前封口；简单的做法是直接CMP 将二氧化硅磨平，但一般该步骤直接CMP会造成STI表面下陷，STI槽不满的情况，会再加般还 一层，将STI区域保护起来，将中间区域刻蚀掉，然后再 CMP ，这里简化处理。

6）热磷酸腐蚀掉氮化硅，这个不叫常规；4. Nwell光刻、注入：光刻前都有一层pad oxide，这里也没 有画Nwell 注入： 般要注一个阱，一个防传统注入， 个 VT调节注入，三次注入分别对应深， 中，浅，注入玩去胶，准备做 Pwell 注入；5. Pwell光刻、注入：方式与Nwell类似，注入改为B注入，然后 去胶，去胶后要将Nwell和PweM —起推进，使两者有定的结深和浓度梯度；6.Gate 栅的形成：腐蚀掉表现氧化层，再长一层牺牲氧化层，然后再腐蚀掉牺牲氧化层；1）栅氧化层生长：非常薄，质量非常关键，要控制好厚度，电荷，可动离子等；POLY 淀积：淀积Insu-Poly ，或者后面掺杂后再光刻POLY光刻、刻蚀：光刻Gate，并刻蚀POLY，然后去胶；POLY SI3N4 spacer 刻蚀的停止层；7NLDD/PLDD 的形成：1)NLDD去胶；（ 2）PLDD 光刻，注入，去胶；（3 ） Si3N4 spacer 的刻蚀：氮化硅淀积及刻蚀8NSD/PSD 形成1）NMOS的源漏注入：Si3N4 spacer挡住的区域NSD注入注不进去，因此NSD区域要离开gate —小段距离；（2）PMOS源漏注入：做完PSD，一起做一次RTP来退回，激活离子。

到此，器件工艺完成了，平面图如下：9. Salicide : Ti与硅形成低阻层Salicide ；只有与硅接触的T 与硅反应了，其它区域Ti未反应可以腐蚀掉10.ILD淀积及contac 形成：1） BPSG 淀积及 CMP 抛光2） contact 孔光刻即刻蚀：W-plug ：W 塞淀积及 CMP 11. Metal-1淀积及光刻，亥蚀：12. IMD淀积，CMP及Via光刻、刻蚀：（1） IMD淀积，CMP抛光：（2）Via光刻、刻蚀，去胶：13. Via-W plug 淀积，CMP :基本与 Conctact W-plug的做法；14. Metal-2的淀积及Metal-2的光刻、刻蚀、去胶：（1 ）Metal-2淀积：（2）Metal-2光刻刻蚀15. 钝化层淀积及钝化层光刻、刻蚀、去胶：敦化刻蚀后般要做一步 alloy 对于高级一点的工艺，可能会有更多层的metal，做法类似，继续Via和Metal的堆叠即可好了，今天就偷懒了，简单看看CMOS流程吧！先有个初步认识，后面有机会慢慢详细介绍每个关键步骤的注 意事项，以上的流程也是相对简化的，关键步骤都没有介绍很详细，因为这些关键步骤都是各个工厂的不传之密，也是各位要学的东西哦。

好了，今天就到这里，继续关注“半导体内功修炼”，不知不觉自己也就进入学习状态了，挺好的，不是吗！欢迎 广泛传播。