三星系列芯片引脚图.doc

三星系列芯片引脚图 :D三星系列在国内的销量很大，拥有众多的用户，所以其元件代换在维修界是一个热点话题，现将三星系列的字库引脚图整理如下，希望能对各位同仁有所帮助！三星系列的字库均采用日本夏普公司所生产的LRS系列CCSP存储器，该系列存储器是将一定容量的SRAM堆叠封装在FLASH上，从而大大的缩小了存储器的封装体积，目前，这种存储器已经成为了中存储器的主流封装形式一、A100/A188/A110/A300/A388/A308/A400/A408/N100/N188/N200/N288/N300/N400/N500/R208/R210/R220的字库：LRS1341,LRS1342,LRS1370,LRS1337L,LRS1337D,LRS1337 二T200/T208/S100/S108/S200/S208/S105/S300/S308的字库：LRS1395 三、N600/N608/N620/N628的字库：LRS1383四、T100/T108/T108+的字库：LRS1387，LRS1806 五、引脚说明（以LRS1395为例）：引脚标识前面标有F的表示该引脚是FLASH专用引脚，标有S的表示该引脚是SRAM专用引脚，未特别标明的表示该引脚为FLASH和SRAM公用。

若引脚标识上面划有一短线则表明该引脚为低电平有效地址总线：A0 to A16，A18，A19公用；F-A17，F-A20，F-A21为FLASH专用地址线；S-A17，SRAM专用地址线LRS1395的容量为：4M*16*2＝128M FLASH；1M*16＝16M SRAM2数据总线：DQ0 to DQ15共16根数据线，FLASH与SRAM公用3控制总线：F1,2-CE：FLASH片使能（片选）信号，低电平有效S-CE1：SRAM片使能（片选）信号，低电平有效S-CE2：SRAM片使能（片选）信号，高电平有效F-OE：FLASH输出使能（读）信号，低电平有效S-OE：SRAM输出使能（读）信号，低电平有效F-WE：FLASH写入使能（写）信号，低电平有效S-WE：SRAM写入使能（写）信号，低电平有效S-LB：SRAM低位字节使能信号，低电平有效，选择DQ0～DQ7S-UB：SRAM高位字节使能信号，低电平有效，选择DQ8～DQ15F-RST：FLASH复位（电源关闭）信号，低电平有效低电平时，FLASH进入掉电状态；高电平时，进入正常的读写状态F-WP：FLASH写保护信号，低电平有效。

低电平时，FLASH的锁定块不能进行解除锁定或读写，而只能读写非锁定块；高电平时屏蔽锁定功能F-RY/BY：FLASH状态输出脚，高电平时，FLASH处于准备好的状态，可进行读写操作；低电平时，FLASH处于忙状态，FLASH的数据线呈高阻状态，不能读写数据供电线：F-VCC：FLASH工作电源S-VCC：SRAM工作电源F-VPP：FLASH监视电源GND：接地5其他：NC：空脚T1 ～ T4：测试引脚，使用时应悬空。