常用场效应管型号全参数管脚识别及检测表.docx

精品word学习资料可编辑常用场效应管型号参数管脚识别与检测表场效应管管脚识别场效应管的检测和使用场效应管的检测和使用 一，用指针式万用表对场效应管进展判别〔1〕用测电阻法判别结型场效应管的电极依据场效应管的 PN 结正，反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极；具体方法：将万用表拨在R1k 档上，任选两个电极，分别测出其正，反向电阻值；当某两个电极的正，反向电阻值相等，且为几千欧姆时，如 此该两个电极分别是漏极 D 和源极 S；由于对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极确定是栅极Ｇ；也可 以将万用表的黑表笔〔红表笔也行〕任意接触一个电极，另名师归纳总结——欢迎下载精品word学习资料可编辑一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值；当显现两次测得的电阻值近似相等时，如此黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极；假如两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；假如两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极；假如不显现上述情形，可以调换黑，红表笔按上述方法进展测试，直到判别出栅极为止；〔2〕用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极，栅极与源 极，栅极与漏极，栅极Ｇ 1 与栅极Ｇ 2 之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏；具体方法：第一将万用表置于Ｒ１０或Ｒ 100 档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻， 通常在几十欧到几千欧 X 围〔在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不一样的〕 ，假如测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；假如测得阻值是无穷大，可能是内部断极；然后把万用表置于Ｒ １０ｋ档，再测栅极Ｇ 1 与Ｇ 2 之间，栅极与源极，栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，如此 说明管是正常的；假如测得上述各阻值太小或为通路，如此 说明管是坏的；要留意，假如两个栅极在管内断极，可用元名师归纳总结——欢迎下载精品word学习资料可编辑件代换法进展检测；〔3〕用感应信号输人法估测场效应管的放大才能具体方法：用万用表电阻的 R 100 档，红表笔接源极Ｓ， 黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上 1.5Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值；然后用手捏住结型场效应 管的栅极Ｇ，将人体的感应电压信号加到栅极上；这样，由于管的放大作用， 漏源电压 VDS 和漏极电流 Iｂ都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化，由此可以观看到表针有较大幅度的摇摆；假如手捏栅极表针摇摆较小，说明管的放大才能较差；表针摇摆较大，明确管的放大才能大；假如表针不动，说明管是坏的；依据上述方法，我们用万用表的 R 100 档，测结型场效应管 3DJ2F；先将管的Ｇ极开路， 测得漏源电阻 RDS 为 600Ω， 用手捏住Ｇ极后， 表针向左摇摆， 指示的电阻 RDS 为 12kΩ， 表针摇摆的幅度较大，说明该管是好的，并有较大的放大能力；运用这种方法时要说明几点：第一，在测试场效应管用手捏住栅极时，万用表针可能向右摇摆〔电阻值减小〕 ，也可能向左摇摆〔电阻值增加〕 ；这是由于人体感应的沟通电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同〔或者工作在饱和区或者在不饱和区〕所致，试验明确，多数管的 RDS 增大，即表针向左摇摆；少数管的 RDS 减小，名师归纳总结——欢迎下载精品word学习资料可编辑使表针向右摇摆；但无论表针摇摆方向如何，只要表针摇摆 幅度较大，就说明管有较大的放大才能；其次，此方法对MOS 场效应管也适用；但要留意， MOS 场效应管的输人电阻高，栅极Ｇ答应的感应电压不应过高，所以不要直接用手 去捏栅极，必需用于握螺丝刀的绝缘柄，用金属杆去碰触栅 极，以防止人体感应电荷直接加到栅极，引起栅极击穿；第三，每次测量完毕，应当 G-S 极间短路一下；这是由于 G-S 结电容上会充有少量电荷，建立起Ｖ GＳ电压，造成再进展 测量时表针可能不动，只有将 G-S 极间电荷短路放掉才行；〔4〕用测电阻法判别无标志的场效应管第一用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚，也就是源极Ｓ和漏极Ｄ，余下两个脚为第一栅极 G1 和其次栅极 G2；把先用两表笔测的源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻值登记来，对调表笔再测量一次，把其测得电阻值登记来，两次测得阻值较大的一次，黑表笔所接的电极为漏极Ｄ；红表笔所接的为 源极Ｓ；用这种方法判别出来的Ｓ，Ｄ极，仍可以用估测其 管的放大才能的方法进展验证，即放大才能大的黑表笔所接 的是Ｄ极；红表笔所接地是８极，两种方法检测结果均应一 样；当确定了漏极Ｄ，源极Ｓ的位置后，按Ｄ，Ｓ的对应位 置装人电路，一般 G1，G2 也会依次对准位置，这就确定了两个栅极 G1，G2 的位置，从而就确定了Ｄ， S，G1，G2 管脚的次序；名师归纳总结——欢迎下载精品word学习资料可编辑〔5〕用测反向电阻值的变化判定跨导的大小对ＶＭＯＳ Ｎ沟道增强型场效应管测量跨导性能时，可用红表笔接源极Ｓ，黑表笔接漏极Ｄ，这就相当于在源，漏极之间加了一个反向电压；此时栅极是开路的，管的反向电阻值是很不稳固的；将万用表的欧姆档选在 R 10k Ω的高阻档，此时表内电压较高；当用手接触栅极Ｇ时，会发觉管的反向电阻值有明显地变化，其变化越大，说明管的跨导值越高；假如被测管的跨导很小，用此法测时，反向阻值变化不大；二，.场效应管的使用须知事项〔1〕为了安全使用场效应管，路的设计中不能超过管的耗散功率，最大漏源电压，最大栅源电压和最大电流等参数的极限值；〔2〕各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的偏置接人电路中，要遵守场效应管偏置的极性；如结型场效应管栅源漏之间是ＰＮ结，Ｎ沟道管栅极不能加正偏压；Ｐ沟道管栅极不能加负偏压，等等；〔3〕MOS 场效应管由于输人阻抗极高，所以在运输，贮藏中必需将引出脚短路，要用金属屏蔽包装，以防止外来感应电势将栅极击穿；特别要留意，不能将 MOS 场效应管放人塑料盒子内，储存时最好放在金属盒内，同时也要留意管的防潮；名师归纳总结——欢迎下载精品word学习资料可编辑〔4〕为了防止场效应管栅极感应击穿，要求一切测试仪器，工作台，电烙铁，线路本身都必需有良好的接地；管脚在焊接时，先焊源极；在连入电路之前，管的全部引线端保持相互短接状态，焊接完后才把短接材料去掉；从元器件架上取下管时，应以适当的方式确保人体接地如接受接地环等；当然，假如能接受先进的气热型电烙铁，焊接场效应管是比拟便利的，并且确保安全；在未关断电源时，确定不行以把管插人电路或从电路中拔出；以上安全措施在使用场效应管时必需留意；〔5〕在安装场效应管时，留意安装的位置要尽量防止靠近发热元件；为了防管件振动，有必要将管壳体紧固起来；管脚引线在弯曲时，应当大于根部尺寸５毫米处进展，以防止弯断管脚和引起漏气等；对于功率型场效应管，要有良好的散热条件；由于功率型场效应管在高负荷条件下运用，必需设计足够的散热器， 确保壳体温度不超过额定值，使器件长期稳固牢靠地工作；总之，确保场效应管安全使用，要留意的事项是多种多样，实行的安全措施也是各种各样，宽敞的专业技术人员，特别是宽敞的电子爱好者，都要依据自己的实际情形动身， 实行切实可行的方法，安全有效地用好场效应管；名师归纳总结——欢迎下载精品word学习资料可编辑常用场效应管型号参数表型号参数IRF530NMOS100V14A79WIRFP9530PMOS100V名师归纳总结——欢迎下载精品word学习资料可编辑12A75WIRF540NMOS100V28A150WIRFP9540PMOS60V名师归纳总结——欢迎下载精品word学习资料可编辑18A100WIRF630NMOS200V9A75WIRFP9630PMOS200V名师归纳总结——欢迎下载精品word学习资料可编辑75WIRF640NMOS200V18A125WIRF720NMOS400V名师归纳总结——欢迎下载精品word学习资料可编辑50WIRF730NMOS400V75WIRF740NMOS400V名师归纳总结——欢迎下载精品word学习资料可编辑10A125WIRF830NMOS500V75WIRF840NMOS500V名师归纳总结——欢迎下载精品word学习资料可编辑8A125W场效应管分类型号耐压电流 封装 DISCRETE MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETEMOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23DISCRETEMOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220DISCRETEMOS FET IRF530A 100V,14A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF540A 100V,28A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF620A 200V,5A TO-220 DISCRETE名师归纳总结——欢迎下载精品word学习资料可编辑MOS FETIRF630A200V,9ATO-220DISCRETEMOS FETDISCRETEIRF634A250V,8.1ATO-220MOS FETIRF640A200V,18ATO-220DISCRETEMOS FETIRF644A250V,14ATO-220DISCRETEMOS FETIRF650A200V,28ATO-220DISCRETEMOS FETIRF654A250V,21ATO-220DISCRETEMOS FETDISCRETEIRF720A400V,3.3ATO-220MOS FETIRF730A400V,5.5ATO-220DISCRETEMOS FETIRF740A400V,10ATO-220DISCRETE。