3.一些电子常用名词供参考.docx

第一章 常用英文缩写1.1 PROMPROM （Programmable Read-Only Memory），可编程只读存储器，也叫One-Time Programmable (OTP)ROM“一次可编程只读存储器”，是一种可以用程序操作的只读内存最主要特征是只允许数据写入一次，如果数据烧入错误只能报废1.2 EPROMEPROM（Erasable Programmable Read Only Memory），可擦除可编程只读寄存器EPROM是一种具有可擦除功能，擦除后即可进行再编程的ROM内存，写入前必须先把里面的内容用紫外线照射它的IC卡上的透明视窗的方式来清除掉这一类芯片比较容易识别，其封装中包含有“石英玻璃窗”，一个编程后的EPROM芯片的“石英玻璃窗”一般使用黑色不干胶纸盖住，以防止遭到阳光直射EPROM芯片可重复擦除和写入，解决了PROM芯片只能写入一次的弊端1.3 E2PROMEEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)，电可擦可编程只读存储器，一种掉电后数据不丢失的存储芯片 EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。

一般用在即插即用EEPROM（带电可擦写可编程只读存储器）是用户可更改的只读存储器（ROM），其可通过高于普通电压的作用来擦除和重编程（重写）不像EPROM芯片，EEPROM不需从计算机中取出即可修改1.4 CMOS和TTLCMOS，全称Complementary Metal Oxide Semiconductor，即互补金属氧化物半导体，是一种大规模应用于集成电路芯片制造的原料采用CMOS技术可以将成对的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）集成在一块硅片上CMOS由PMOS管和NMOS管共同构成，它的特点是低功耗由于CMOS中一对MOS组成的门电路在瞬间要么PMOS导通、要么NMOS导通、要么都截至，比线性的三极管（BJT）效率要高得多，因此功耗很低相对于其他逻辑系列，CMOS逻辑电路具有以下优点：1、允许的电源电压范围宽，方便电源电路的设计2、逻辑摆幅大，使电路抗干扰能力强3、静态功耗低4、隔离栅结构使CMOS器件的输入电阻极大，从而使CMOS期间驱动同类逻辑门的能力比其他系列强得多TTL（Transistor-Transistor Logic）,即BJT-BJT逻辑门电路，是数字电子技术中常用的一种逻辑门电路，应用较早，技术已比较成熟。

TTL主要有BJT（Bipolar Junction Transistor 即双极结型晶体管，晶体三极管）和电阻构成，具有速度快的特点最早的TTL门电路是74系列，后来出现了74H系列，74L系列，74LS,74AS,74ALS等系列但是由于TTL功耗大等缺点，正逐渐被CMOS电路取代比较1,TTL电平：输出高电平>2.4V，输出低电平<0.4V在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是0.4V2，CMOS电平：1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V而且具有很宽的噪声容限3，电平转换电路：因为TTL和CMOS的高低电平的值不一样（ttl5v<==>cmos 3.3v），所以互相连接时需要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压，没有什么高深的东西4，驱动门电路OC门，即集电极开路门电路，OD门，即漏极开路门电路，必须外接上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用否则它一般只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱动门电路5，TTL和CMOS电路比较：1）TTL电路是电流控制器件，而CMOS电路是电压控制器件。

2）TTL电路的速度快，传输延迟时间短（5-10ns），但是功耗大CMOS电路的速度慢，传输延迟时间长（25-50ns），但功耗低CMOS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象3）CMOS电路的锁定效应（擎柱效应）：CMOS电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大这种效应就是锁定效应当产生锁定效应时，CMOS的内部电流能达到40mA以上，很容易烧毁芯片防御措施：1）在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超过不超过规定电压2）芯片的电源输入端加去耦电路，防止VDD端出现瞬间的高压3）在VDD和外电源之间加限流电阻，即使有大的电流也不让它进去4）当系统由几个电源分别供电时，开关要按下列顺序：开启时，先开启CMOS电路得电源，再开启输入信号和负载的电源；关闭时，先关闭输入信号和负载的电源，再关闭CMOS电路的电源6，CMOS电路的使用注意事项1）CMOS电路时电压控制器件，它的输入总抗很大，对干扰信号的捕捉能力很强所以，不用的管脚不要悬空，要接上拉电阻或者下拉电阻，给它一个恒定的电平2）输入端接低内阻的信号源时，要在输入端和信号源之间要串联限流电阻，使输入的电流限制在1mA之内。

3）当接长信号传输线时，在CMOS电路端接匹配电阻4）当输入端接大电容时，应该在输入端和电容间接保护电阻电阻值为R=V0/1mA.V0是外界电容上的电压5）CMOS的输入电流超过1mA，就有可能烧坏CMOS7，TTL门电路中输入端负载特性（输入端带电阻特殊情况的处理）：1）悬空时相当于输入端接高电平因为这时可以看作是输入端接一个无穷大的电阻2）在门电路输入端串联10K电阻后再输入低电平，输入端出呈现的是高电平而不是低电平因为由TTL门电路的输入端负载特性可知，只有在输入端接的串联电阻小于910欧时，它输入来的低电平信号才能被门电路识别出来，串联电阻再大的话输入端就一直呈现高电平这个一定要注意CMOS门电路就不用考虑这些了8，TTL和CMOS电路的输出处理TTL电路有集电极开路OC门，MOS管也有和集电极对应的漏极开路的OD门，它的输出就叫做开漏输出OC门在截止时有漏电流输出，那就是漏电流，为什么有漏电流呢？那是因为当三极管截止的时候，它的基极电流约等于0，但是并不是真正的为0，经过三极管的集电极的电流也就不是真正的0，而是约0而这个就是漏电流开漏输出：OC门的输出就是开漏输出；OD门的输出也是开漏输出。

它可以吸收很大的电流，但是不能向外输出的电流所以，为了能输入和输出电流，它使用的时候要跟电源和上拉电阻一齐用OD门一般作为输出缓冲/驱动器、电平转换器以及满足吸收大负载电流的需要9，什么叫做图腾柱，它与开漏电路有什么区别？TTL集成电路中，输出有接上拉三极管的输出叫做图腾柱输出，没有的叫做OC门因为TTL就是一个三级关，图腾柱也就是两个三级管推挽相连所以推挽就是图腾一般图腾式输出，高电平400UA，低电平8MA.1.5 SRAMSRAM是英文Static RAM的缩写，即静态随机存储器它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积，且功耗较大所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积1.6 DRAMDRAM（Dynamic Random Access Memory），即动态随机存取存储器最为常见的系统内存。

DRAM 只能将数据保持很短的时间为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以 必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失（关机就会丢失数据）1.7 SDRAMSDRAM : Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存储器，同步是指 Memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写1.8 DDR严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。

DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据DDL本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRAM的两倍从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准1.9 FLASHFLASH是存储芯片的一种，通过特定的程序可以修改里面的数据FLASH电子以及半导体领域内往往表示Flash Memory的意思，即平时所说的“闪存”，全名叫Flash EEPROM Memory。

Flash存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还可以快速读取数据（NVRAM的优势），使数据不会因为断电而丢失U盘和MP3里用的就是这种存储器在过去的20年里，嵌入式系统一直使用ROM（EPROM）作为它们的存储设备，然而近年来Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码，或者直接当硬盘使用（U盘）目前Flash主要有两种NORFlash和NANDFlashNORFlash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NORFLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本NANDFlash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价用户不能直接运行NANDFlash上的代码，因此好多使用NANDFlash的开发板除了使用NANDFlash以外，还加上了一块小的NORFlash来运行启动代码一般小容量的用NORFlash，因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息，而大容量的用NANDFLASH，最常见的NANDFLASH应用是嵌入式系统采用的DOC（Disk On Chip）和我们通常用的“闪盘”，可以擦除。

目前市面上的FLASH主要来自Intel，AMD，Fujitsu和Mx。