TP(电容式)镀膜技术要求.doc

触摸屏镀膜线成套设备技术规格一、镀膜线成套设备技术指标及功能要求：序号指标项技术规格要求1安装场所最大尺寸L29m*W7.3m*H3.5m(其中装卸区H3m)2工件尺寸370mm*470mm；400mm*500mm厚度0.33mm—1.1mm3生产能力每月满足TPsensor产品5万片的生产能力4极限真空1.33*10-4Pa5温度350℃（基板表面温度）6温度均匀性±5℃装片小车范围内所有基板7膜层SiO2；ITO；MOALMO等8靶位配置2MF+6DC9功率密度视用户膜层品质可调整10膜厚及均匀性SiO2:10～100nm≤±7%ITO：20～200nm≤±5%MO:20～250nm≤±5%AL:50～250nm≤±5%11靶材利用率ITO靶材、金属靶材≥40%12ITO方块电阻膜厚200nm时，基板内：＜10Ω/□13ITO透过率当λ=550nm，ITO：200nm时基板内：≥93%，以基板为参考14ITO附着性在光玻璃上成膜后，用3M胶带快速拉扯300次；附着性测试后的膜厚，电阻率，透过率变化＜5%15溅射稳定性异常放电出现机率小于1%16成膜绕射不能绕射到基板背面17颗粒基片架传送一次后基板内颗粒增加的情况：装载位置→腔内→卸载位置.：＜1对于颗粒尺寸D＞20μm：＜3对于颗粒尺寸17≦D≦20μm：＜100对于颗粒尺寸10≦D≦17μm18电源品牌MF：德国霍丁格DC：美国AE19真空泵德国莱宝或日本真空，要求：不能有漏油20等离子清洗和蚀刻通过调节可以满足：1、基板清洁；2、蚀刻10nm金属膜层。

21工控方式日本三菱机电或德国西门子22设备稳定性设备连续运行150小时无故障23UTT电力规格：3φ、50Ｈｚ、200V和380V冷却水：压力0.5Mpa，18℃±2℃压缩空气：0.5~0.7MPa（标准）气压氮气：0.5~0.7MPa（标准）气压说明：双面ITO钼铝钼玻璃1）、产品结构：双面玻璃ITO电阻70~90Ω正面：钼/铝/钼膜层厚度：50um/250um/50um 电阻：小于0.3Ω2）、加工玻璃基板规格：最大1500mmx800mm、厚度0.4mm--3.2mm        单面ITO钼铝钼玻璃                                                        双面ITO钼铝钼玻璃二、 镀膜线成套设备验收标准编号项目规格测量与认证方法说明1真空要求1)极限压力加热/传送腔、反转腔、溅射腔：≦1.33ｘ10-4Pa･测量工具：电离真空计･测试值获取条件：在室温下洁净的真空腔中,不放入样品和基板的情况下,并安装内部治具,进行12小时连续排气后测得2）排气速度进/出片腔：在50秒内从大气压抽至26.6Pa･测量工具：皮拉尼真空计･排气速度的测量：当充满氮气的腔回到大气压后立即进行排气。

3)漏率加热/传送腔、反转腔、溅射腔：≦6.7x10-4Pa.m3/sec･方式：确认到达极限压力后关闭主阀，在10分钟后测量真空腔压力.･测量工具：电离真空计･公式：(10分钟后压力–极限压力)×VQ=10×60秒Q：漏率(Pa.m3/sec)V：每个腔的内容积(m3)4)工作压力溅射腔：0.4–1.3Pa･方法：氩气和氧气的P-Q曲线图.･测量工具：测氩气压力用隔膜式真空计测氧气压力用电离式真空计･P-Q曲线图通过调节TMP的旋转速度，以及氩气和氧气的流量来获得5)工作压力加热/传送腔、反转腔：0.4–1.3Pa･方法：氩气和氧气的P-Q曲线图.･测量工具：测氩气和氧气压力用电离式真空计･P-Q曲线图通过调节氩气、氧气的流量来获得编号项目规格测量与认证方法说明1真空要求6）腔室从大气状态到抽气完成所需的时间･测量工具：电离真空计抽气完成：装、卸片以外的所有腔室气压需≦1.33ｘ10-3Pa2SiO2溅射要求1)膜厚：约10～1000nm2)膜厚均一性.基板内：≦7%基板间：≦5%･生产节拍：设备设计节拍.･基板温度：160℃.･基板尺寸：400×500×0.7(mm)･所用AC阴极：同时用2台･溅射压力：大约0.5Pa･测量工具：膜厚台阶测量仪･基板：抛光玻璃･测量点：9点/基板×2基片架基板･公式基板内：基板间：Tmax:：一片玻璃上9点的最大值Tmin：一片玻璃上9点的最小值Tave.max:：所有基板平均值的最大值Tave.min：所有基板平均值的最小值･测量点请见备注1。

3）SIO2折射率λ=550nm时，折射率＜1.464）Na+析出44小时水煮实验，Na+析出量≤10μg/dm23ITO溅射要求1)膜厚：约20～200nm2)膜厚均一性基板内：≦5%基板间：≦5%･生产节拍：设备设计节拍.･基板加热温度：300℃.･基板尺寸：400×500×0.7(mm)･所用ITO阴极：同时用2台･溅射压力：大约0.5Pa･测量工具：膜厚台阶测量仪･基板：抛光玻璃･测量点：9点/基板×2基片架基板･公式基板内：･测量点请见备注1编号项目规格测量与认证方法说明3ITO溅射要求1)膜厚：约20～200nm2)膜厚均一性基板内：≦5%基板间：≦5%基板间：Tmax:：一片玻璃上9点的最大值Tmin：一片玻璃上9点的最小值Tave.max:：所有基板平均值的最大值Tave.min：所有基板平均值的最小值3)ITO方块电阻基板内：在膜厚为200nm时＜10Ω/□･生产节拍：设备设计节拍.･基板加热温度：300℃･基板尺寸：400×500×0.7(mm)･所用ITO阴极：同时用2台･溅射压力：约0.5Pa･测量工具：4端子方块电阻仪･基板：抛光玻璃･测量点：9点/基板×2基片架基板･测量点请见备注1。

4)ITO透过率基板内：在膜厚为200nm时当λ=550nm,ITO200nm,≧90%以基板为参考･生产节拍：设备设计节拍.･基板加热温度：300℃･基板尺寸：400×500×0.7(mm)･所用ITO阴极：同时用2台･溅射压力：约0.5Pa･测量工具：双波长分光计･基板：抛光玻璃･测量点：9点/基板×2基片架基板･测量点请见备注15）ITO附着性附着性测试后膜厚，电阻率，透过率变化率：＜5%･基板尺寸：400×500×0.7(mm)･测量工具：3M胶带300次快速拉扯后脱落･基板：抛光玻璃4Mo溅射要求1)膜厚：约20～250nm2)膜厚均一性.基板内：≦5%基板间：≦5%･生产节拍：设备设计节拍.･基板加热温度：150℃.･基板尺寸：400×500×0.7(mm)･所用Mo阴极：同时用2台･溅射压力：大约0.5Pa･测量工具：膜厚台阶测量仪･基板：抛光玻璃･测量点请见备注1编号项目规格测量与认证方法说明4Mo溅射要求1)膜厚：约20～250nm2)膜厚均一性.基板内：≦5%基板间：≦5%･测量点：9点/基板×2基片架基板･公式：基板内：基板间：Tmax:：一片玻璃片上9点的最大值。

Tmin：一片玻璃片上9点的最小值Tave.max:：所有基板平均值的最大值Tave.min：所有基板平均值的最小值･测量点请见备注13）百目测试百目后使用3M-610胶带黏贴后无脱落测试基板：ITO玻璃和白玻璃两种5Al溅射要求1)膜厚：约50～250nm2)膜厚均一性.基板内：≦5%基板间：≦5%･生产节拍：设备设计节拍.･基板加热温度：150℃.･基板尺寸：400×500×0.7(mm)･所用Al阴极：同时用2台･溅射压力：大约0.5Pa･测量工具：膜厚台阶测量仪･基板：抛光玻璃･测量点:9点/基板×2基片架基板･公式：基板内：基板间：Tmax:：一片玻璃片上9点的最大值Tmin：一片玻璃片上9点的最小值Tave.max:：所有基板平均值的最大值Tave.min：所有基板平均值的最小值･测量点请见备注13）百目测试百目后使用3M-610胶带黏贴后无脱落基板：ITO玻璃和白玻璃两种编号项目规格测量与认证方法说明6加热要求1) 1st溅射腔:160℃±5℃SiO2成膜前2)2nd溅射腔:350℃±5℃ITO成膜前3)3rd溅射腔:150℃±5℃Mo&Al成膜前测量范围：装片小车范围内所有基板･生产节拍：设备设计节拍.･基板尺寸：400×500×0.7(mm)･测量工具：温度测量器･基板：抛光玻璃･测量点：3点/基片･加热条件由设备生产厂家选择。

･测量点请见备注2所有加热器规格一样，需保证玻璃基片表面温度可以达到350℃7ITO与金属靶材利用率1)靶材利用率：≧45%wt(重量效率)在靶材耗尽时的利用率･公式：　重量效率=(含新靶材的B.P重量－含残靶材的B.P.)÷最初靶材重量×(靶材厚度÷残靶材的最大腐蚀深度)8颗粒1)传送颗粒基片架传送一次后基板内颗粒增加的情况：装载位置→腔内→卸载位置.：＜1对于颗粒尺寸D＞20μm：＜3对于颗粒尺寸17≦D≦20μm：＜100对于颗粒尺寸10≦D≦17μm･生产节拍：设备设计节拍.･基板尺寸：400×500×0.7(mm)･测量工具：激光计数器･基板：抛光玻璃･方程：颗粒的增加=腔内传送前后基板的颗粒平均值的差值(一台基片架)9SiO2镀膜稳定性1） 膜稳定性：异常放电出现机率小于1%10SiO2绕射1）绕射程度正面镀SIO2膜(50nm)时,背面不能出现绕射现象･检验方法：背面涂正性胶，经过溅射后，再把正型胶剥膜，看是否有正型胶残留来判断11设备可靠性1）可靠性测试：2) ＞150小时无故障膜质缺陷率：可靠性测试时特性数据（膜厚分布、方块电阻、透过率/反射率）变化＜5%･生产节拍：设备设计节拍.･基板加热温度：实际工艺条件･基板尺寸：400×500×0.7(mm)编号项目规格测量与认证方法说明12手动操作每种模式的功能检查･手动操作检查各部件的操作正常无误.13自动操作每种模式的功能检查･检查各种模式的操作正常无误.1。