【2017年整理】单晶寿命测定规程Ⅱ.doc

上海申和热磁电子有限公司单晶寿命测定规程Ⅱ 受控状态 实施日期 2006年 3月 1日适用 硅材料事业一部 受控 实施责任者 品质课注：本文件的更改，应由建议者提出申请，经批准后方可变更 作成 审核 批准 承认汪金柱 李九州 冯文丽文件编号 版 /次 总 3 页变更内容：S/QW52IN82401-14 A/1 第 1 页1.目的通过正确的操作准确的测定载流子的真实寿命2.适用范围① 电阻率不小于 0.1Ω·cm，厚度不大于 1.5mm（最好为 1mm 以下）的单晶锭或样片② 可测单晶少子寿命范围：100nS～5000mS3.使用设备·治工具1、WT-1000 型 SEMILAB 单晶寿命仪 4.使用材料①大于 5％HF ②约 70％HNO 3 ③0.2～5％碘酒 5.环境要求①温度：10～35℃ ②湿度：＜80％ ③电源：220V, 50Hz（建议使用稳压源）6.重要工艺参数见操作步骤7.操作步骤1) 将主机和显示器电源与外部交流电源连接起来2) 打开主机电源和显示器电源（显示器右下角） ，然后双击显示屏幕上的图标 uPCD，最后显示测试画面。

如下图：样片处理：3.1 目前使用的切片机有外圆切片机和内圆切片两种，所切的样片的厚度为 2mm 左右3.2 用混酸腐蚀 10 分钟（一次腐蚀的样片的数为 6—8 片） ，保证样片表面层去除量大于 200μm.3.3 用腐蚀槽旁边的纯水冲洗 30 秒 （纯水的电导率为 2MΩ.cm ）3.4 然后用液流槽里的纯水液流 3 分钟 （纯水的电导率为 10 MΩ.cm）3.5 用 10%的 HF 酸漂 30 秒3.6 用腐蚀槽旁边的纯水冲洗 30 秒3.7 然后用液流槽里的纯水液流 3 分钟3.8 用压缩空气吹干3.9 .加 3%的碘酒测试寿命3) 样片测试：有如下二种方法测试，将根据客户关联比对情况来选择测试方法4.1 将处理后的样品置于样片袋中，将袋口打开，向里注射约 1CM3碘酒并将碘酒均匀的涂在样片上，排除里面上海申和热磁电子有限公司单晶寿命测定规程Ⅱ 受控状态 实施日期 2006年 3月 1日适用 硅材料事业一部 受控 实施责任者 品质课注：本文件的更改，应由建议者提出申请，经批准后方可变更 作成 审核 批准 承认汪金柱 李九州 冯文丽文件编号 版 /次 总 3 页变更内容：S/QW52IN82401-14 A/1 第 2 页的气泡后闭合袋口。

约 1 分钟后放置在仪器的载物台上开始准备测试4.2 将处理后的样片直接放置在仪器的载物台上4) 载物台上的样片根据样片尺寸来准确定位5.1 载物台上有二排成扇型的小孔，由中心向边缘分布，分别测试 3 英寸；4 英寸；5 英寸；6 英寸；8 英寸； 12 英寸样片5.2 小孔里有限位栓，可根据测试不同的样片来调整限位栓的位置具体如下图所示：5) 样片位置确定后，点击测试画面左上角的“AUTOSET” ，自动进入测试状态，几秒钟后屏幕上方显示测试结果即载流子寿命和衰减曲线如下图所示：6) 把测试结果记录在《单晶寿命测试台帐Ⅱ》里7) 测试完毕后同电脑一样关闭测试设备9）异常处理1) 测试结果出现为“NA”时请向上长反映10）安全事项1) 腐蚀时注意安全，防止酸溅到身上2) 使用电源电压 220V，避免触电危险11）记录表格单晶寿命检测台帐Ⅱ （见附录 1）中心测试点 （测试头所在位置）限位栓测 12 英寸测 8 英寸测 6 英寸测 5 英寸测 4 英寸测 3 英寸上海申和热磁电子有限公司单晶寿命测定规程Ⅱ 受控状态 实施日期 2006年 3月 1日适用 硅材料事业一部 受控 实施责任者 品质课注：本文件的更改，应由建议者提出申请，经批准后方可变更。

作成 审核 批准 承认汪金柱 李九州 冯文丽文件编号 版 /次 总 3 页变更内容：S/QW52IN82401-14 A/1 第 3 页附录 1单晶寿命检测台帐ⅡS/QRIN8240107-01样片编号 寿命值 测试时间 测试员 备 注。