薄膜物理-CH5化学气相沉积.ppt

Ch.5 化学气相沉积化学气相沉积本章主要内容本章主要内容 ★★★★ 化学气相沉积的基本原理化学气相沉积的基本原理 ★★★★ 化学气相沉积的特点化学气相沉积的特点 ★★★★ CVD方法简介方法简介 ★★★★ 低压化学气相沉积（低压化学气相沉积（LPCVD）） ★★★★ 等离子体化学气相沉积等离子体化学气相沉积 ★★★★ 其他其他CVD方法方法化学气相沉积化学气相沉积——基本原理基本原理基本原理基本原理★★ 化学气相沉积的基本原理化学气相沉积的基本原理化学气相沉积的基本原理化学气相沉积的基本原理q 化学气相沉积的定义化学气相沉积的定义 化化学学气气相相沉沉积积是是利利用用气气态态物物质质通通过过化化学学反反应应在在基基片片表表面形成固态薄膜的一种成膜技术面形成固态薄膜的一种成膜技术 化学气相沉积（化学气相沉积（CVD）） ——Chemical Vapor Deposition CVD反反应应是是指指反反应应物物为为气气体体而而生生成成物物之之一一为为固固体体的的化化学反应。

学反应 CVD完全不同于物理气相沉积（完全不同于物理气相沉积（PVD））化学气相沉积化学气相沉积——基本原理基本原理基本原理基本原理q CVD和和PVD化学气相沉积化学气相沉积——基本原理基本原理基本原理基本原理 CVD法法实实际际上上很很早早就就有有应应用用，，用用于于材材料料精精制制、、装装饰饰涂涂层层、、耐耐氧氧化化涂涂层层、、耐耐腐腐蚀蚀涂涂层层等等在在电电子子学学方方面面PVD法法用用于于制制作作半导体电极等半导体电极等 CVD法法一一开开始始用用于于硅硅、、锗锗精精制制上上，，随随后后用用于于适适合合外外延延生生长法制作的材料上长法制作的材料上 表表面面保保护护膜膜一一开开始始只只限限于于氧氧化化膜膜、、氮氮化化膜膜等等，，之之后后添添加加了了由由Ⅲ、、Ⅴ族族元元素素构构成成的的新新的的氧氧化化膜膜，，最最近近还还开开发发了了金金属属膜膜、、硅化物膜等硅化物膜等 以以上上这这些些薄薄膜膜的的CVD制制备备法法为为人人们们所所注注意意CVD法法制制各各的的多多晶晶硅硅膜膜在在器器件件上上得得到到广广泛泛应应用用，，这这是是CVD法法最最有有效效的的应应用场所。

用场所化学气相沉积化学气相沉积——基本原理基本原理基本原理基本原理q CVD的化学反应热力学的化学反应热力学 按按热热力力学学原原理理，，化化学学反反应应的的自自由由能能变变化化 可可以以用用反反应物和生成物的标准自由能应物和生成物的标准自由能 来计算，即来计算，即 CVD热热力力学学分分析析的的主主要要目目的的是是预预测测某某些些特特定定条条件件下下某某些些CVD反应的可行性（反应的可行性（化学反应的方向和限度化学反应的方向和限度） 在在温温度度、、压压强强和和反反应应物物浓浓度度给给定定的的条条件件下下，，热热力力学学计计算算能能从从理理论论上上给给出出沉沉积积薄薄膜膜的的量量和和所所有有气气体体的的分分压压，，但但是是不不能能给出沉积速率给出沉积速率 热力学分析可作为确定热力学分析可作为确定CVD工艺参数的参考工艺参数的参考化学气相沉积化学气相沉积——基本原理基本原理基本原理基本原理 与反应系统的化学平衡常数与反应系统的化学平衡常数 有关有关 设气相反应设气相反应 ，， 则则 例：热分解反应例：热分解反应化学气相沉积化学气相沉积——基本原理基本原理基本原理基本原理反应方向判据：反应方向判据： 可可以以确确定定反反应温度。

应温度化学气相沉积化学气相沉积——基本原理基本原理基本原理基本原理 平衡常数平衡常数 的意义：的意义： § 计算理论转化率计算理论转化率§ 计算总压强、配料比对反应的影响计算总压强、配料比对反应的影响通过平衡常数可以确定系统的热力学平衡问题通过平衡常数可以确定系统的热力学平衡问题化学气相沉积化学气相沉积——基本原理基本原理基本原理基本原理q CVD的（化学反应）动力学的（化学反应）动力学 反反应应动动力力学学是是一一个个把把反反应应热热力力学学预预言言变变为为现现实实，，使使反反应应实实际际进进行行的的问问题题；；它它是是研研究究化化学学反反应应的的速速度度和和各各种种因因素素对其影响的科学对其影响的科学 CVD反反应应动动力力学学分分析析的的基基本本任任务务是是：：通通过过实实验验研研究究薄薄膜膜的的生生长长速速率率，，确确定定过过程程速速率率的的控控制制机机制制，，以以便便进进一一步步调调整工艺参数，获得高质量、厚度均匀的薄膜整工艺参数，获得高质量、厚度均匀的薄膜 反反应应速速率率 是是指指在在反反应应系系统统的的单单位位体体积积中中，，物物质质（（反反应物或产物）随时间的变化率。

应物或产物）随时间的变化率化学气相沉积化学气相沉积——基本原理基本原理基本原理基本原理 Van’t Hoff规规则则：：反反应应温温度度每每升升高高10℃，，反反应应速速率率大大约约增加增加2-4倍这是一个近似的经验规则这是一个近似的经验规则 Arrhenius方程：方程：温度对反应速率的影响：温度对反应速率的影响：式中，式中， 为有效碰撞的频率因子，为有效碰撞的频率因子， 为活化能为活化能化学气相沉积化学气相沉积——基本原理基本原理基本原理基本原理q CVD法制备薄膜过程描述（四个阶段）法制备薄膜过程描述（四个阶段）（（1）反应气体向基片表面扩散；）反应气体向基片表面扩散；（（2）反应气体吸附于基片表面；）反应气体吸附于基片表面；（（3）在基片表面发生化学反应；）在基片表面发生化学反应；（（4））在在基基片片表表面面产产生生的的气气相相副副产产物物脱脱离离表表面面，，向向空空间间扩散或被抽气系统抽走；扩散或被抽气系统抽走；（（5）基片表面留下不挥发的固相反应产物）基片表面留下不挥发的固相反应产物——薄膜 CVD基基本本原原理理包包括括：：反反应应化化学学、、热热力力学学、、动动力力学学、、输输运过程、薄膜成核与生长、反应器工程等学科领域。

运过程、薄膜成核与生长、反应器工程等学科领域化学气相沉积化学气相沉积——基本原理基本原理基本原理基本原理 最最常常见见的的几几种种CVD反反应应类类型型有有：：热热分分解解反反应应、、化化学学合合成反应、化学输运反应等分别介绍如下成反应、化学输运反应等分别介绍如下q 热分解反应（吸热反应）热分解反应（吸热反应）通式：通式： 主主要要问问题题是是源源物物质质的的选选择择（（固固相相产产物物与与薄薄膜膜材材料料相相同同））和确定分解温度和确定分解温度1）氢化物）氢化物 H-H键能小，热分解温度低，产物无腐蚀性键能小，热分解温度低，产物无腐蚀性化学气相沉积化学气相沉积——基本原理基本原理基本原理基本原理（（2）金属有机化合物）金属有机化合物 M-C键能小于键能小于C-C键，广泛用于沉积金属和氧化物薄膜键，广泛用于沉积金属和氧化物薄膜 金金属属有有机机化化合合物物的的分分解解温温度度非非常常低低，，扩扩大大了了基基片片选选择择范范围以及避免了基片变形问题围以及避免了基片变形问题3）氢化物和金属有机化合物系统）氢化物和金属有机化合物系统 广泛用于制备化合物半导体薄膜。

广泛用于制备化合物半导体薄膜化学气相沉积化学气相沉积——基本原理基本原理基本原理基本原理（（4）其它气态络合物、复合物）其它气态络合物、复合物羰基化合物：羰基化合物：单氨络合物：单氨络合物：化学气相沉积化学气相沉积——基本原理基本原理基本原理基本原理q 化学合成反应化学合成反应 化化学学合合成成反反应应是是指指两两种种或或两两种种以以上上的的气气态态反反应应物物在在热热基片上发生的相互反应基片上发生的相互反应 (1) 最最常常用用的的是是氢氢气气还还原原卤卤化化物物来来制制备备各各种种金金属属或或半半导导体薄膜；体薄膜； (2) 选选用用合合适适的的氢氢化化物物、、卤卤化化物物或或金金属属有有机机化化合合物物来来制制备各种介质薄膜备各种介质薄膜 化学合成反应法比热分解法的应用范围更加广泛化学合成反应法比热分解法的应用范围更加广泛 可以制备单晶、多晶和非晶薄膜容易进行掺杂可以制备单晶、多晶和非晶薄膜容易进行掺杂化学气相沉积化学气相沉积——基本原理基本原理基本原理基本原理化学气相沉积化学气相沉积——基本原理基本原理基本原理基本原理q 化学输运反应化学输运反应 将将薄薄膜膜物物质质作作为为源源物物质质（（无无挥挥发发性性物物质质）），，借借助助适适当当的的气气体体介介质质与与之之反反应应而而形形成成气气态态化化合合物物，，这这种种气气态态化化合合物物经经过过化化学学迁迁移移或或物物理理输输运运到到与与源源区区温温度度不不同同的的沉沉积积区区，，在在基基片片上上再再通通过过逆逆反反应应使使源源物物质质重重新新分分解解出出来来，，这这种种反反应应过过程称为化学输运反应。

程称为化学输运反应 设源为设源为A，，输运剂为输运剂为B，，输运反应通式为：输运反应通式为：化学气相沉积化学气相沉积——基本原理基本原理基本原理基本原理化学输运反应条件：化学输运反应条件：Ø 不能太大；不能太大；Ø 平衡常数平衡常数KP接近于接近于1化学输运反应判据：化学输运反应判据： 根根据据热热力力学学分分析析可可以以指指导导选选择择化化学学反反应应系系统统，，估估计计输输运温度 首首先先确确定定 与与温温度度的的关关系系，，选选择择 的的反反应应体系 大于大于0的温度的温度T1；； 小于小于0的温度的温度T2 根据以上分析，确定合适的温度梯度根据以上分析，确定合适的温度梯度 化学气相沉积化学气相沉积——基本原理基本原理基本原理基本原理化学气相沉积化学气相沉积——特点特点特点特点★★ 化学气相沉积的特点化学气相沉积的特点化学气相沉积的特点化学气相沉积的特点q 优点优点Ø 即可制作金属薄膜，又可制作多组分合金薄膜；即可制作金属薄膜，又可制作多组分合金薄膜；Ø 成膜速率高于成膜速率高于LPE和和MBE；；（（几微米至几百微米？）几微米至几百微米？）Ø CVD反应可在常压或低真空进行，绕射性能好；反应可在常压或低真空进行，绕射性能好；Ø 薄膜纯度高、致密性好、残余应力小、结晶良好；薄膜纯度高、致密性好、残余应力小、结晶良好；Ø 薄膜生长温度低于材料的熔点；薄膜生长温度低于材料的熔点；Ø 薄膜表面平滑；薄膜表面平滑；Ø 辐射损伤小。

辐射损伤小化学气相沉积化学气相沉积——特点特点特点特点q 缺点缺点Ø 参参与与沉沉积积的的反反应应源源和和反反应应后后的的气气体体易易燃燃、、易易爆爆或或有毒，需环保措施，有时还有防腐蚀要求；有毒，需环保措施，有时还有防腐蚀要求；Ø 反反应应温温度度还还是是太太高高，，尽尽管管低低于于物物质质的的熔熔点点；；工工件件温度高于温度高于PVD技术，应用中受到一定限制；技术，应用中受到一定限制；Ø 对对基基片片进进行行局局部部表表面面镀镀膜膜时时很很困困难难，，不不如如PVD方方便化学气相沉积化学气相沉积——特点特点特点特点q CVD的分类及其在微电子技术中的应用的分类及其在微电子技术中的应用化学气相沉积化学气相沉积——CVDCVD方法简介方法简介方法简介方法简介★★ CVDCVD方法简介方法简介方法简介方法简介q CVD反应体系必须具备三个条件反应体系必须具备三个条件Ø 在在沉沉积积温温度度下下，，反反应应物物具具有有足足够够的的蒸蒸气气压压，，并并能能以适当的速度被引入反应室；以适当的速度被引入反应室；Ø 反反应应产产物物除除了了形形成成固固态态薄薄膜膜物物质质外外，，都都必必须须是是挥挥发性的；发性的；Ø 沉积薄膜和基体材料必须具有足够低的蒸气压，沉积薄膜和基体材料必须具有足够低的蒸气压，化学气相沉积化学气相沉积——CVDCVD方法简介方法简介方法简介方法简介q 开口体系开口体系CVD 包包括括：：气气体体净净化化系系统统、、气气体体测测量量和和控控制制系系统统、、反反应应器、尾气处理系统、抽气系统等。

器、尾气处理系统、抽气系统等Ø 卧式：卧式：化学气相沉积化学气相沉积——CVDCVD方法简介方法简介方法简介方法简介化学气相沉积化学气相沉积——CVDCVD方法简介方法简介方法简介方法简介 冷冷壁壁CVD：：器器壁壁和和原原料料区区都都不不加加热热，，仅仅基基片片被被加加热热，，沉沉积积区区一一般般采采用用感感应应加加热热或或光光辐辐射射加加热热缺缺点点是是有有较较大大温差温差，，温度均匀性问题需特别设计来克服温度均匀性问题需特别设计来克服 适适合合反反应应物物在在室室温温下下是是气气体体或或具具有有较较高高蒸蒸气气压压的的液液体 热热壁壁CVD：：器器壁壁和和原原料料区区都都是是加加热热的的，，反反应应器器壁壁加加热热是是为为了了防防止止反反应应物物冷冷凝凝管管壁壁有有反反应应物物沉沉积积，，易易剥剥落落造成污染造成污染 卧卧式式反反应应器器特特点点：：常常压压操操作作；；装装、、卸卸料料方方便便但但是是薄膜的均匀性差薄膜的均匀性差化学气相沉积化学气相沉积——CVDCVD方法简介方法简介方法简介方法简介Ø 立式：立式：化学气相沉积化学气相沉积——CVDCVD方法简介方法简介方法简介方法简介化学气相沉积化学气相沉积——CVDCVD方法简介方法简介方法简介方法简介q 封闭式（闭管沉积系统）封闭式（闭管沉积系统）CVD化学气相沉积化学气相沉积——CVDCVD方法简介方法简介方法简介方法简介化学气相沉积化学气相沉积——CVDCVD方法简介方法简介方法简介方法简介 闭闭管管法法的的优优点点：：污污染染的的机机会会少少，，不不必必连连续续抽抽气气保保持持反应器内的真空，可以沉积蒸气压高的物质。

反应器内的真空，可以沉积蒸气压高的物质 闭闭管管法法的的缺缺点点：：材材料料生生长长速速率率慢慢，，不不适适合合大大批批量量生生长，一次性反应器，生长成本高；管内压力检测困难等长，一次性反应器，生长成本高；管内压力检测困难等 闭闭管管法法的的关关键键环环节节：：反反应应器器材材料料选选择择、、装装料料压压力力计计算、温度选择和控制等算、温度选择和控制等化学气相沉积化学气相沉积——LPCVDLPCVD★★ 低压化学气相沉积（低压化学气相沉积（低压化学气相沉积（低压化学气相沉积（LPCVDLPCVD））））q LPCVD原理原理 早早 期期 CVD技技 术术 易易 开开 管管 系系 统统 为为 主主 ，， 即即 Atmosphere Pressure CVD (APCVD) 近近年年来来，，CVD技技术术令令人人注注目目的的新新发发展展是是低低压压CVD技技术术，，即即Low Pressure CVD（（LPCVD） LPCVD原理于原理于APCVD基本相同，主要差别是：基本相同，主要差别是： 低低压压下下气气体体扩扩散散系系数数增增大大，，使使气气态态反反应应物物和和副副产产物物的的质量传输速率加快，形成薄膜的反应速率增加。

质量传输速率加快，形成薄膜的反应速率增加化学气相沉积化学气相沉积——LPCVDLPCVD化学气相沉积化学气相沉积——LPCVDLPCVDq LPCVD优点优点 （（1））低低气气压压下下气气态态分分子子的的平平均均自自由由程程增增大大，，反反应应装装置置内内可可以以快快速速达达到到浓浓度度均均一一，，消消除除了了由由气气相相浓浓度度梯梯度度带带来来的的薄膜不均匀性薄膜不均匀性 （（2））薄薄膜膜质质量量高高：：薄薄膜膜台台阶阶覆覆盖盖良良好好；；结结构构完完整整性性好好；；针孔较少针孔较少 （（3））沉沉积积过过程程主主要要由由表表面面反反应应速速率率控控制制，，对对温温度度变变化化极极为为敏敏感感，，所所以以，，LPCVD技技术术主主要要控控制制温温度度变变量量LPCVD工艺重复性优于工艺重复性优于APCVD （（4）卧式）卧式LPCVD装片密度高，生产成本低装片密度高，生产成本低化学气相沉积化学气相沉积——LPCVDLPCVDq LPCVD在微电子技术中的应用在微电子技术中的应用 广广泛泛用用于于沉沉积积掺掺杂杂或或不不掺掺杂杂的的氧氧化化硅硅、、氮氮化化硅硅、、多多晶晶硅硅、、硅硅化化物物等等薄薄膜膜，，以以及及钨钨、、钼钼、、钽钽、、钛钛等等难难熔熔金金属属薄膜。

薄膜化学气相沉积化学气相沉积——等离子化学气相沉积等离子化学气相沉积等离子化学气相沉积等离子化学气相沉积★★ 等离子化学气相沉积等离子化学气相沉积等离子化学气相沉积等离子化学气相沉积 在在普普通通CVD技技术术中中，，产产生生沉沉积积反反应应所所需需要要的的能能量量是是各各种种方方式式加加热热衬衬底底和和反反应应气气体体，，因因此此，，薄薄膜膜沉沉积积温温度度一一般般较高 如如果果能能在在反反应应室室内内形形成成低低温温等等离离子子体体（（如如辉辉光光放放电电）），，则则可可以以利利用用在在等等离离子子状状态态下下粒粒子子具具有有的的较较高高能能量量，，使使沉沉积积温度降低温度降低 这这种种等等离离子子体体参参与与的的化化学学气气相相沉沉积积称称为为等等离离子子化化学学气气相相沉沉积积用用来来制制备备化化合合物物薄薄膜膜、、非非晶晶薄薄膜膜、、外外延延薄薄膜膜、、超超导薄膜等，特别是导薄膜等，特别是IC技术中的表面钝化和多层布线技术中的表面钝化和多层布线化学气相沉积化学气相沉积——等离子化学气相沉积等离子化学气相沉积等离子化学气相沉积等离子化学气相沉积等离子化学气相沉积：等离子化学气相沉积：Plasma CVDPlasma Associated CVDPlasma Enhanced CVD这里称这里称PECVD PECVD是是指指利利用用辉辉光光放放电电的的物物理理作作用用来来激激活活化化学学气气相相沉沉积积反反应应的的CVD技技术术。

广广泛泛应应用用于于微微电电子子学学、、光光电电子子学学、、太阳能利用等领域，太阳能利用等领域，化学气相沉积化学气相沉积——等离子化学气相沉积等离子化学气相沉积等离子化学气相沉积等离子化学气相沉积化学气相沉积化学气相沉积——等离子化学气相沉积等离子化学气相沉积等离子化学气相沉积等离子化学气相沉积按照产生辉光放电等离子方式，可以分为许多类型按照产生辉光放电等离子方式，可以分为许多类型Ø直流辉光放电等离子体化学气相沉积（直流辉光放电等离子体化学气相沉积（DC-PCVC））Ø射频辉光放电等离子体化学气相沉积（射频辉光放电等离子体化学气相沉积（RF-PCVC））Ø微波等离子体化学气相沉积（微波等离子体化学气相沉积（MW-PCVC））Ø电电子子回回旋旋共共振振等等离离子子体体化化学学气气相相沉沉积积（（ECR-PCVD））化学气相沉积化学气相沉积——等离子化学气相沉积等离子化学气相沉积等离子化学气相沉积等离子化学气相沉积化学气相沉积化学气相沉积——等离子化学气相沉积等离子化学气相沉积等离子化学气相沉积等离子化学气相沉积化学气相沉积化学气相沉积——等离子化学气相沉积等离子化学气相沉积等离子化学气相沉积等离子化学气相沉积等离子体在等离子体在CVD中的作用：中的作用：Ø 将反应物气体分子激活成活性离子，降低反应温度；将反应物气体分子激活成活性离子，降低反应温度；Ø 加速反应物在表面的扩散作用，提高成膜速率；加速反应物在表面的扩散作用，提高成膜速率；Ø 对对基基片片和和薄薄膜膜具具有有溅溅射射清清洗洗作作用用，，溅溅射射掉掉结结合合不不牢牢的的粒子，提高了薄膜和基片的附着力；粒子，提高了薄膜和基片的附着力；Ø 由由于于原原子子、、分分子子、、离离子子和和电电子子相相互互碰碰撞撞，，使使形形成成薄薄膜膜的厚度均匀。

的厚度均匀化学气相沉积化学气相沉积——等离子化学气相沉积等离子化学气相沉积等离子化学气相沉积等离子化学气相沉积PECVD的优点：的优点：Ø 低低温温成成膜膜（（300-350℃）），，对对基基片片影影响响小小，，避避免免了了高高温带来的膜层晶粒粗大及膜层和基片间形成脆性相；温带来的膜层晶粒粗大及膜层和基片间形成脆性相；Ø 低低压压下下形形成成薄薄膜膜，，膜膜厚厚及及成成分分较较均均匀匀、、针针孔孔少少、、膜膜层层致密、内应力小，不易产生裂纹；致密、内应力小，不易产生裂纹；Ø 扩扩大大了了CVD应应用用范范围围，，特特别别是是在在不不同同基基片片上上制制备备金金属属薄膜、非晶态无机薄膜、有机聚合物薄膜等；薄膜、非晶态无机薄膜、有机聚合物薄膜等；Ø 薄膜的附着力大于普通薄膜的附着力大于普通CVD化学气相沉积化学气相沉积——其它其它其它其它CVDCVD方法方法方法方法★★ 其它化学气相沉积方法其它化学气相沉积方法其它化学气相沉积方法其它化学气相沉积方法1 MOCVD 金金属属有有机机化化学学气气相相沉沉积积法法, 简简称称MOCVD ,是是一一种种利利用用有有机机金金属属化化合合物物的的热热分分解解反反应应进进行行气气相相外外延延生生长长薄薄膜膜的的CVD技技术术。

该该方方法法主要用于化合物半导体气相生长方面主要用于化合物半导体气相生长方面2 光光CVD 光光CVD是是利利用用光光能能 使使气气体体分分解解增增加加气气体体的的化化学学活活性性，，促促进进气体之间化学反应的化学气相沉积技术气体之间化学反应的化学气相沉积技术3 电子回旋共振（电子回旋共振（ECR）等离子体沉积）等离子体沉积 在在反反应应室室中中导导入入2.45GHz的的微微波波能能，，在在875Gs（（高高斯斯））的的磁磁场场中中 ，，电电子子的的回回旋旋运运动动和和微微波波发发生生共共振振现现象象电电子子和和气气体体原原子子碰碰撞撞，，促促进放电 MOCVD法的特点：法的特点：优点：优点： （（1）沉积温度低；）沉积温度低； （（2））不不采采用用卤卤化化物物原原料料，，沉沉积积过过程程无无刻刻蚀蚀反反应应，，通通过过稀稀释释载载气气来控制沉积速率；来控制沉积速率；（（3）适用范围广，几乎可生长所有化合物和合金半导体；）适用范围广，几乎可生长所有化合物和合金半导体；（（4）反应装置容易设计，较气相外延简单；）反应装置容易设计，较气相外延简单；（（5）可在蓝宝石、尖晶石基片实现外延生长。

可在蓝宝石、尖晶石基片实现外延生长缺点：缺点：（（1））许许多多有有机机化化合合物物蒸蒸气气有有毒毒和和易易燃燃，，制制备备、、贮贮存存、、运运输输和和适适用用带带来来困困难难，，应应采采用用保保护护措措施施；；（（2））反反应应温温度度低低，，在在气气相相中生成固体颗粒，破坏膜的完整性中生成固体颗粒，破坏膜的完整性化学气相沉积化学气相沉积——习题和思考题习题和思考题习题和思考题习题和思考题1.CVD热力学分析的主要目的？热力学分析的主要目的？2.CVD过程自由能与反应平衡常数的过程判据？过程自由能与反应平衡常数的过程判据？3.CVD热力学基本内容？反应速率及其影响因素？热力学基本内容？反应速率及其影响因素？4.热分解反应、化学合成反应及化学输运反应及其特点？热分解反应、化学合成反应及化学输运反应及其特点？5.CVD的必要条件？的必要条件？6.什么是冷壁什么是冷壁CVD？？什么是热壁什么是热壁CVD？？特点是什么？特点是什么？7.什么是开管什么是开管CVD？？什么是闭管什么是闭管CVD？？特点是什么？特点是什么？8.什么是低压什么是低压CVD和等离子和等离子CVD？？。