内存颗粒编号与内存品牌知识介绍95039.doc

内存颗粒编号与内存品牌知识介绍95039内存颗粒编号与内存品牌知识介绍.txt如果有来生，要做一棵树，站成永恒，没有悲伤的姿势一半在土里安详，一半在风里飞扬，一半洒落阴凉，一半沐浴阳光，非常沉默非常骄傲，从不依靠从不寻找内存颗粒编号与内存品牌知识介绍 通过查验内存颗粒的型号，我们就可以计算出内存的容量 三星内存颗粒 　　目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义 　　编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X 　　主要含义： 　　第1位——芯片功能K，代表是内存芯片 　　第2位——芯片类型4，代表DRAMv　　第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM 　　第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。

　　第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据 　　第11位——连线“-” 　　第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz) 　　知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位） × 16片/8bits=256MB（兆字节） 　　注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。

所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存 Micron内存颗粒 　　Micron（美光）内存颗粒的容量辨识相对于三星来说简单许多下面就以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则 　　含义： 　　MT——Micron的厂商名称 　　48——内存的类型48代表SDRAM；46 代表DDR 　　LC——供电电压LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V 　　16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度 　　A2——内存内核版本号 　　TG——封装方式，TG即TSOP封装 　　-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz 　　实例：一条Micron DDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造该内存支持ECC功能所以每个Bank是奇数片内存颗粒 　　其容量计算为：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字节） 　　西门子内存颗粒 　　目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。

编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的 　　HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits 　　Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率 　　-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz； 　　-8——表示该内存的工作频率是100MHz 　　例如： 　　1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产其容量计算为： 128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节） 　　1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产其容量计算为： 128Mbits（兆数位） × 8 片/8=128MB（兆字节）。

Kingmax内存颗粒 　　Kingmax内存都是采用TinyBGA封装（Tiny ball grid array）并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来 　　容量备注： 　　KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间 × 4位数据宽度； 　　KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间 × 8位数据宽度； 　　KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间 × 4位数据宽度； 　　KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间 × 8位数据宽度； 　　KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空间 × 16位数据宽度 　　Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率： 　　-7A——PC133 /CL=2； 　　-7——PC133 /CL=3； 　　-8A——PC100/ CL=2； 　　-8——PC100 /CL=3 　　例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造，其容量计算为： 64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）。

HY颗粒编号 HY XX X XX XX XX X X X X X XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 1、HY代表是现代的产品 　　2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)； 　　3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V　 　　4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref 　　5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位 　　6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系 　　7、I/O界面：1 :SSTL_3、　2 :SSTL_2 　　8、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新 　　9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片 　　10、内存芯片封装形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ 　　11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L :DDR200、H :DDR266B、　K :DDR266A 三星DDR内存： 　　在目前的DDR内存市上三星的DDR内存销量可以说是最大的。

搞清楚内存颗粒上的编号的含义，对于用户的选购是绝对有好处的，下面我们就来看看这些数字代表什么意思 KM KM X XX X XX X X X X X 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 　　1、KM或者K表示相应的内存颗粒是三星生产的 　　2、内存芯片类型：4表示DDR SDRAM 　　3、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位 　　4、工作电压：H=DDR SDRAM，3.3V、L=DDR SDRAM，2.5V 　　5、内存密度组成：4：4Mbit、8：8 Mbit、16：16 Mbit、32：32 Mbit、64：64 Mbit、12：128 Mbit、25：256 Mbit、51：512 Mbit 　　6、芯片容量和刷新速度：0：64m /4K [15.6μs]、1：32m/2K [15.6μs]、2：128m/8K [15.6μs]、3：64m/8K [7.8μs]、4：128m/16K [7.8μs] 　　7、表示内存排数：3：4排、4：8排 　　8、代表接口电压：0：混合接口LVTTL+SSTL_3(3.3V)、1：SSTL_2(2.5V) 　　9、表示封装类型：T：66针TSOP II、B：BGA、C：微型BGA(CSP) 　　10、工作频率：0：10ns、100MHz(200Mbps)；8：8ns、125MHz(250Mbps)；Z：7.5ns、133MHz(266Mbps)；Y：6.7ns、150MHz(300Mbps)；6：6ns、166MHz(333Mbps)；5：5ns、200MHz(400Mbps) Micron公司是世界上知名内存生产商之一，其SDRAM芯片编号格式为：MT48 ab cdMef Ag TG-hi j MT XX XX XX X XX XX XX XX X 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 　　1、MT代表Micron的产品 　　2、代表产品种类：48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus 　　3、代表处理工艺：C=5V Vcc CMOS，LC=3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS 　　5、容量单位：无字母=Bits，K=Kilobits（KB），M=Megabits（MB），G=Gigabits（GB） 　　6、表示数据位宽：4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位 　　7、代表封装:TG=TSOPⅡ封装，DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针8*16 FBGA，FC=60针11*13 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，U=μ BGA 　　8、代表速度：-8支持PC200（CL2）、-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=2.5）、-7支持PC200（CL2）、PC266B（CL2）、PC266A（CL=2.5） 　　9、代表功耗：L=低耗，空白=普通 TOSHIBA DDR内存: TC XX X XX XX X XX X XX 1 2 3 4 5 6 7 8 9 　　1、TC代表是东芝的产品 　　2、59代表SDRAM代表是SDRAM 　　3、代表内存种类：S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM 　　4、代表容量：64=64Mb，M7=128Mb 　　5、表示数。