微机原理与接口技术(楼顺天)-第6章1.ppt

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,第六章 存储器设计,本章要点,本章要求在了解半导体存储器分类及技术指,标的基础上，掌握存储器芯片的最小读出时间与,最小写入时间的计算，着重掌握微机或微机应用,系统内存储器系统的构成及与,CPU,的连接方法在内存储器系统的构成及与,CPU,的连接中，重点,掌握存储器的位扩展和字节扩展，存储器的地址,译码方法及译码电路，总线负载的计算和总线驱,动与控制方法本章要点,最后需要指出的是，在,8086,微机系统中,进行内存电路设计时，一定要注意寄片存储器,与偶片存储器要分开设计，并注意数据总线的,连接及片选信号的产生本教案内容,第,6,章 存储器设计,1.,存储器分类及主要技术指标,2.,常用存储器芯片介绍,3.,扩展存储器设计,位扩展,字节扩展,字节和位扩展,存储器地址译码,扩展存储器接口电路设计,总线负载能力,存储器系统由外存储器和内存储器两部分组成内存储器的分类如下：,6.1,存储器分类,微机系统中存储器的层次结构如下图所示6.1,存储器分类,6.2,存储器主要技术指标,存储容量,读写速度,半导体存储器芯片的速度一般用存取时间和,存储周期两个指标来衡量。

在选择存储器芯片时应注意是否与微处理器的,总线周期时序匹配作为一种保守的估计，在,存储器芯片的手册中可以查得最小读出周期,tcyc(R)(Read,Cycle Time),和最小写周期,tcyc(W)(Write,Cycle Time),6.2,存储器主要技术指标,如果根据计算，微处理器对存储器的读写周,期都比存储器芯片手册中的最小读写周期大，,那么我们认为该存储器芯片是符合要求的，否,则要另选速度更高的存储器芯片存储器芯片的最小读出时间应满足如下表达式,:,tcyc(R),4T,tda,tD,T,6.2,存储器主要技术指标,存储器芯片的最小写入时间应满足如下表达式,:,tcyc(W),4T,tdatDT,3.,非易失性,4.,可靠性,6.3,几种常用存储器芯片介绍,SRAM,芯片,Intel 6264,Intel 6264,引脚排列及功能,6.3,几种常用存储器芯片介绍,SRAM,芯片,Intel 6264,A12A0,为片内,地址寻址线,CS1,、,CS2,为片外,地址寻址线,6.3,几种常用存储器芯片介绍,2.SRAM,芯片,Intel 2114,Intel 2114,引脚排列及功能,CS,WE,D1D4,0,0,写入数据,0,1,读出数据,1,X,高阻,6.3,几种常用存储器芯片介绍,3.EPROM,芯片,Intel 2764,2764,的引脚安排,作业,6.1 6.2,。