《光电成像与》PPT课件.ppt
75页
第五章第五章 光电成像与成像系统光电成像与成像系统 杨晓占杨晓占光电信息学院光电信息学院 v1. 光电成像系统概述光电成像系统概述; v2. 图像探测器简介图像探测器简介; v3. 点扩展函数及基于点扩展函数的性能指标；点扩展函数及基于点扩展函数的性能指标；v 4. 光学传递函数；光学传递函数；v 5. 调制与调制传递函数；调制与调制传递函数；v6. 光学系统的调制传递函数；光学系统的调制传递函数； v7.光电成像系统简介；光电成像系统简介；v8. 非扫描光电成像系统性能的进一步描述；非扫描光电成像系统性能的进一步描述；v9. 扫描光电成像系统性能的进一步描述扫描光电成像系统性能的进一步描述 5.1 光电成像系统概述光电成像系统概述 一、光电成像器件的发展一、光电成像器件的发展•1934年，光电像管（年，光电像管（Iconoscope），应用于室内外的广播），应用于室内外的广播电视摄像灵敏度非常低，需要电视摄像灵敏度非常低，需要10000lx的照度，达到图像的照度，达到图像信噪比的要求；信噪比的要求；•1947年，超正析像管（年，超正析像管（Image Orthicon），照度降低到），照度降低到2000lx；；•1954年，视像管，灵敏度＆分辨率高，成本低，体积小，年，视像管，灵敏度＆分辨率高，成本低，体积小，惯性大，不适用于高速运动图像测量，不能取代超正析像惯性大，不适用于高速运动图像测量，不能取代超正析像管用于彩色广播电视摄像机；管用于彩色广播电视摄像机； v1965年，氧化铅管（年，氧化铅管（Plumbicon），成功取代超正析像管，），成功取代超正析像管，惯性小，广泛应用于彩色电视摄像机，结构简单，体积小，惯性小，广泛应用于彩色电视摄像机，结构简单，体积小，灵敏度＆分辨率都很高。
灵敏度＆分辨率都很高v1976年，硒靶管＆硅靶管，灵敏度进一步提高且成本更低；年，硒靶管＆硅靶管，灵敏度进一步提高且成本更低；v1970年后，年后，CCD的出现使光电成像器件进入新的阶段体积的出现使光电成像器件进入新的阶段体积更小，灵敏度更高，应用更灵活、更方便更小，灵敏度更高，应用更灵活、更方便 二、光电成像器件的类型二、光电成像器件的类型光光电电成成像像器器件件（（成成像像原原理理））扫扫描描型型非非扫扫描描型型真空电子束真空电子束扫描扫描固体自扫描：固体自扫描：CCD光电型光电型热电型：热释电摄像管热电型：热释电摄像管光电发射光电发射式摄像管式摄像管变像管（完成变像管（完成图像光谱变换）图像光谱变换）红外变像管红外变像管紫外变像管紫外变像管X射线变像管射线变像管像增强管（图像增强管（图像强度的变换）像强度的变换）串联式串联式级联式级联式微通道板式微通道板式负电子亲和势阴极负电子亲和势阴极常由像敏常由像敏面，电子面，电子透镜＆显透镜＆显像面构成像面构成光电导式光电导式摄像管摄像管 三、光电成像系统要研究的问题三、光电成像系统要研究的问题v光电成像涉及到一系列复杂信号的传递过程，有光电成像涉及到一系列复杂信号的传递过程，有四个方面问题需要研究四个方面问题需要研究§能量方面能量方面——物体、光学系统和接收器的光度学和辐物体、光学系统和接收器的光度学和辐射度学性质，解决能否探测到目标的问题。
射度学性质，解决能否探测到目标的问题§成像方面成像方面——能分辨的光信号在空间和时间方面的细能分辨的光信号在空间和时间方面的细致程度，对多光谱成像还包括它的光谱分辨率致程度，对多光谱成像还包括它的光谱分辨率 §噪声方面噪声方面——决定接收到的信号不稳定的程度或可靠决定接收到的信号不稳定的程度或可靠性§信息传递速率方面信息传递速率方面——成像特性、噪声信息传递问题，成像特性、噪声信息传递问题，决定能被传递的信息量大小决定能被传递的信息量大小 光光电成像系成像系统基本基本组成成 景物景物同步扫描同步扫描视频信号视频信号光学成像光学成像光电变换光电变换图像分割图像分割传送传送同步扫描同步扫描视频解调视频解调图像再现图像再现摄像部分摄像部分显像部分显像部分光电成像系统原理方框图光电成像系统原理方框图 5.2 图像探测器简介图像探测器简介 v特点：能够输出可视图像信息特点：能够输出可视图像信息真真空空成成像像器器件件固体成像器件固体成像器件光光电成成像像器器件件像增像增强强管管光光电导型型摄像管像管光光电发射型射型摄像管像管变像管像管像管像管直直视型光型光电成成像器像器件件摄像像型光型光电成成像器像器件件热释电型型摄像管像管CMOS图像像传感器感器电耦合器件耦合器件（（CCD））红外焦面外焦面阵列器件列器件（（IRFPA））摄像管像管 1. 真空成像器件真空成像器件 像管像管结构原理示意构原理示意图 常见像管常见像管-变像管变像管v红外变像管红外变像管 红外变像管的应用红外变像管的应用 v紫外变像管紫外变像管 v选通式变像管选通式变像管 常见像增强管常见像增强管v级联式像增强管级联式像增强管v微通道板像增微通道板像增强强管管 v第三代像增强器第三代像增强器§第二代微通道结构配以负电子亲和势光第二代微通道结构配以负电子亲和势光电阴极，就构成了第三代像增强器。
电阴极，就构成了第三代像增强器vX射线像增强器射线像增强器§实质：变像管实质：变像管§作用：将不可见的作用：将不可见的X射线转换成可见光射线转换成可见光图像，并使图像亮度增强图像，并使图像亮度增强 摄摄 像像 管管v作用：把按空间光强分布的光学图像记录并转换作用：把按空间光强分布的光学图像记录并转换成视频信号的成像装置成视频信号的成像装置v分类（按光电转换形式）分类（按光电转换形式）§光电发射型摄像管：利用外光电效应进行光电光电发射型摄像管：利用外光电效应进行光电转换的摄像管，又称转换的摄像管，又称摄像管摄像管§光电导型摄像管：利用内光电效应进行光电转光电导型摄像管：利用内光电效应进行光电转换的摄像管，又称换的摄像管，又称视像管视像管 摄像管像管结构原理构原理图视像管像管结构原理构原理图 摄像管的结构和工作原理摄像管的结构和工作原理v基本功能：光电转换，光电信息的积累、储存和扫描输出基本功能：光电转换，光电信息的积累、储存和扫描输出 2. 固固 体体 成成 像像 器器 件件v电荷耦合器件电荷耦合器件 (CCD，，charge coupled device)、互补、互补金属氧化物半导体图像传感器金属氧化物半导体图像传感器CMOS、电荷注入器、电荷注入器件（件（CID，，charge injection device）和）和IRFPAv都利用了自扫描技术，能完成光学图像的转换、信都利用了自扫描技术，能完成光学图像的转换、信息的存储和扫描输出。
息的存储和扫描输出 vCCD图像传感器被广泛应用于生活、天文、医疗、图像传感器被广泛应用于生活、天文、医疗、电视、、通信以及工业检测和自动控制系统电视、、通信以及工业检测和自动控制系统 v电电荷荷耦耦合合器器件件（（CCD））特特点点））——以以电电荷荷作作为为信信号号vCCD的基本功能的基本功能——电荷存储和电荷转移电荷存储和电荷转移v优优点点：：集集成成度度高高、、功功耗耗小小、、分分辨辨力力高高、、动动态态范范围围大等vCCD工工作作过过程程——信信号号电电荷荷的的产产生生、、存存储储、、传传输输和检测的过程和检测的过程 v基本结构：转移电极结构、转移沟槽结构、信号基本结构：转移电极结构、转移沟槽结构、信号输入结构、信号输出结构、信号检测结构输入结构、信号输出结构、信号检测结构v构成构成CCD的基本单元：的基本单元：CMOS电容电容vCCD类型：类型：§表面沟道表面沟道CCD（（SCCD）：电荷包存储在半导）：电荷包存储在半导体与绝缘体之间的界面，并沿界面传输；体与绝缘体之间的界面，并沿界面传输；§体沟道体沟道CCD（（BCCD）：电荷包存储在离半导）：电荷包存储在离半导体表面一定深度的体内，并在半导体体内沿一体表面一定深度的体内，并在半导体体内沿一定方向传输。
定方向传输 MOS电容器组成的光敏元及数据面的显微照片电容器组成的光敏元及数据面的显微照片CCD光敏元显微照片光敏元显微照片CCD读出移位寄存器的数据读出移位寄存器的数据面显微照片面显微照片 彩色彩色CCD显微照片（放大显微照片（放大7000倍）倍） CCD的基本工作原理的基本工作原理v组成：光敏元、转移栅、移位寄存器及一些辅助输入、输组成：光敏元、转移栅、移位寄存器及一些辅助输入、输出电路 vCCD工作时，在设定的积分时间内，光敏元对光信号进行工作时，在设定的积分时间内，光敏元对光信号进行取样，将光的强弱转换为各光敏元的电荷量取样结束后，取样，将光的强弱转换为各光敏元的电荷量取样结束后，各光敏元的电荷在转移栅信号驱动下，转移到各光敏元的电荷在转移栅信号驱动下，转移到CCD内部的内部的移位寄存器相应单元中移位寄存器在驱动时钟的作用下，移位寄存器相应单元中移位寄存器在驱动时钟的作用下，将信号电荷顺次转移到输出端输出信号可接到示波器、将信号电荷顺次转移到输出端输出信号可接到示波器、图象显示器或其他信号存储、处理设备中，可对信号再现图象显示器或其他信号存储、处理设备中，可对信号再现或进行存储处理。
或进行存储处理 v构成构成CCD的基本单元是的基本单元是MOS（金属－氧化物－半导体）（金属－氧化物－半导体）结构当栅极结构当栅极G施加正偏压施加正偏压UG之前（之前（UG=0），），P型半导体型半导体中的空穴（多数载流子）的分布是均匀的；中的空穴（多数载流子）的分布是均匀的；v当栅极电压加正向偏压（当栅极电压加正向偏压（UG 的反比例线性关系可以可以“势阱势阱”的概的概念来解释念来解释 u010V10VUG=5VUG=10VUG=15V空势阱空势阱填充填充1/3势阱势阱全满势阱全满势阱电子被加有栅极电压的电子被加有栅极电压的MOS结构吸引到势能最低的氧化层与结构吸引到势能最低的氧化层与半导体地交界面处半导体地交界面处MOS电容存储信号电荷的容量为：电容存储信号电荷的容量为：Q=Cox•UG•A 二、电荷耦合二、电荷耦合v假定开始有一些电荷存储在偏压为假定开始有一些电荷存储在偏压为20V的第二个电极下面的的第二个电极下面的势阱里，其他电极上均加有大于阈值得较低电压（例如势阱里，其他电极上均加有大于阈值得较低电压（例如2V）v设设a图为零时刻，经过一段时间后，各电极的电压发生变化，图为零时刻，经过一段时间后，各电极的电压发生变化，第二个电极仍保持第二个电极仍保持10V，第三个电极上的电压由，第三个电极上的电压由2V变为变为10V，因这两个电极靠的很近（几个微米），它们各自的对应，因这两个电极靠的很近（几个微米），它们各自的对应势阱将合并在一起原来在第二个电极下的电荷变为这两势阱将合并在一起原来在第二个电极下的电荷变为这两个电极下势阱所共有。 如图个电极下势阱所共有如图b＆＆cv若此后第二个电极上的电压由若此后第二个电极上的电压由10V变为变为2V，第三个电极电压，第三个电极电压仍为仍为10V，则共有的电荷转移到第三个电极下的势阱中，如，则共有的电荷转移到第三个电极下的势阱中，如图图e由此可见，深势阱及电荷包向右移动了一个位置由此可见，深势阱及电荷包向右移动了一个位置 2V10V 2V2Va存有电荷存有电荷的势阱的势阱b2V10V2V10V2V2V10V 10V 2V2V10V2V10V 2V2V2V10V 2VcdefФ1Ф2Ф3 v通过将一定规则变化的电压加到通过将一定规则变化的电压加到CCD各电极上，电极下的各电极上，电极下的电荷包就能沿半导体表面按一定方向移动通常把电荷包就能沿半导体表面按一定方向移动通常把CCD电电极分为几组，并施加同样的时钟脉冲如图极分为几组，并施加同样的时钟脉冲如图f，为三相时，为三相时钟脉冲，此种钟脉冲，此种CCD称为三相称为三相CCDvCCD电极间隙必须很小，否则被电极间的势垒所间隔电极间隙必须很小，否则被电极间的势垒所间隔v产生完全耦合条件的最大间隙一般由具体电极结构，表面产生完全耦合条件的最大间隙一般由具体电极结构，表面态密度等因素决定。 间隙长度应小于态密度等因素决定间隙长度应小于3umv以电子为信号电荷的以电子为信号电荷的CCD称为称为N型沟道型沟道CCD（工作频率高）（工作频率高）,而以空穴为信号电荷的而以空穴为信号电荷的CCD称为称为P型沟道型沟道CCD 三、电荷的注入＆检测三、电荷的注入＆检测v1、电荷的注入、电荷的注入v（（1）光注入）光注入v当光照射当光照射CCD硅片时，在栅极附近的半导体体内产生电子硅片时，在栅极附近的半导体体内产生电子空穴对，其多数载流子被栅极电压排开，少数载流子则被空穴对，其多数载流子被栅极电压排开，少数载流子则被收集在势阱中形成信号电荷它有可分为正面照射式＆背收集在势阱中形成信号电荷它有可分为正面照射式＆背面照射式其光注入电荷：面照射式其光注入电荷：材料的量材料的量子效率子效率入射光的光入射光的光子流速率子流速率光敏电光敏电压的受压的受光面积光面积光注入光注入时间时间 U+U+势垒势垒P-Si背面照射式光注入背面照射式光注入 （（（（2 2）电注入：）电注入：）电注入：）电注入：CCDCCD通过输入结构对信号电压或电流进行采样，通过输入结构对信号电压或电流进行采样，通过输入结构对信号电压或电流进行采样，通过输入结构对信号电压或电流进行采样，将信号电压或电流转换为信号电荷将信号电压或电流转换为信号电荷将信号电压或电流转换为信号电荷将信号电压或电流转换为信号电荷。 ØØ电流注入法电流注入法电流注入法电流注入法IDuINuIDN+IGФ1Ф2Ф3Ф2PID为源极，为源极，IG为栅极为栅极,而而为漏极，当它工作在饱和为漏极，当它工作在饱和区时，输入栅下沟道电流区时，输入栅下沟道电流为：为：经过经过Tc时间注入后，其信号电荷量为：时间注入后，其信号电荷量为：Ф2 IDIGФ2Ф1Ф3Ф2Ф3Ф1N+P-SiØ电压注入法电压注入法与电流注入法类似，但与电流注入法类似，但输入栅极输入栅极IG加与加与Ф2同同位相的位相的选通脉冲，在通脉冲，在选通脉冲作用下，通脉冲作用下，电荷被荷被注入到第一个注入到第一个转移移栅极极Ф2下的势阱里，直到下的势阱里，直到阱的电位与阱的电位与N+区的电区的电位相等时，注入电荷才位相等时，注入电荷才停止往下一级转移前，停止往下一级转移前，由于选通脉冲的终止，由于选通脉冲的终止，IG的势垒把的势垒把Ф2＆＆N+的的势阱分开电荷注入量与时钟脉电荷注入量与时钟脉冲频率无关冲频率无关 2、电荷的检测信号电荷在转移过程中与时钟脉冲无任何电容耦合，信号电荷在转移过程中与时钟脉冲无任何电容耦合，而在输出端需选择适当地输出电路以减小时钟脉冲而在输出端需选择适当地输出电路以减小时钟脉冲容性的馈入输出电路的程度。 容性的馈入输出电路的程度 由反向偏置二极管收集信号电荷来控制由反向偏置二极管收集信号电荷来控制A点电位的变化，直流点电位的变化，直流偏置的输出栅极偏置的输出栅极OG用来使漏扩散＆时钟脉冲之间退耦，由于用来使漏扩散＆时钟脉冲之间退耦，由于二极管反向偏置，形成一个深陷落信号电荷的势阱，转移到二极管反向偏置，形成一个深陷落信号电荷的势阱，转移到Ф2电极下的极下的电荷包越荷包越过输出出栅极，流入到深极，流入到深势阱中UDRDRgAOGФ1Ф2放大放大P-Si图图aN+电流流输出：如出：如图a (2)浮置扩散放大器输出浮置扩散放大器输出OGФ1Ф2浮置扩浮置扩散散T1（复位（复位管）管）T2（放大管）（放大管）RgUDD图图b 浮置扩浮置扩散放大器输散放大器输出出复位管在复位管在Ф2下的下的势阱未形成前，在阱未形成前，在RG端加复位脉冲，使端加复位脉冲，使复位管复位管导通，把浮通，把浮置置扩散区剩余散区剩余电荷荷抽走，复位到抽走，复位到UDD，而当，而当电荷到来荷到来时，，复位管截止，由浮复位管截止，由浮置置扩散区收集的信散区收集的信号号电荷来控制放大荷来控制放大管管栅极极电位位变化 （（3）浮置栅放大器输出：如下图。 浮置栅放大器输出：如下图浮栅浮栅T2UDDФ1Ф3Ф2Ф1Ф3Ф2Ф3T2的栅极不是直接与信号电荷的转移沟道相连接，而是与沟的栅极不是直接与信号电荷的转移沟道相连接，而是与沟道上面的浮置栅相连当信号电荷转移到浮置栅下面的沟道道上面的浮置栅相连当信号电荷转移到浮置栅下面的沟道时，在浮置栅上感应出镜像电荷，以此来控制时，在浮置栅上感应出镜像电荷，以此来控制T2的栅极电位的栅极电位 四、四、CCD的特性参数的特性参数v1、转移效率＆转移损失率、转移效率＆转移损失率v转移效率：一次转移后，到达下一个势阱中的电转移效率：一次转移后，到达下一个势阱中的电荷与原来势阱中的电荷之比荷与原来势阱中的电荷之比转移损失率：转移损失率： ε(t)Q(0)/C5MHz1MHz影响电荷转移效率影响电荷转移效率的主要因素为界面的主要因素为界面态对电荷的俘获态对电荷的俘获为此，常采用为此，常采用“胖胖零零”工作模式，即工作模式，即让让“零信号零信号”也有也有一定的电荷一定的电荷 2、工作频率、工作频率f（（1）下限：为避免由于热产生的少数载流子对注入信号的）下限：为避免由于热产生的少数载流子对注入信号的干扰，注入电荷从一个电极转移到另一个电极所用的时间干扰，注入电荷从一个电极转移到另一个电极所用的时间必须小于少数载流子的平均寿命，对于三相必须小于少数载流子的平均寿命，对于三相CCD,t 为：为：t=T/3=1/3f,故，故，f>1/3ζ。 2）上限：当工作频率升高时，若电荷本身从一个电极转）上限：当工作频率升高时，若电荷本身从一个电极转移到另一个电极所需的时间大于驱动脉冲使其转移地时间移到另一个电极所需的时间大于驱动脉冲使其转移地时间T/3,那么信号电荷跟不上驱动脉冲的变化，使转移效率大那么信号电荷跟不上驱动脉冲的变化，使转移效率大大降低故大降低故t≤T/3，即，即f ≤1/3t ε(t)驱动脉冲频率驱动脉冲频率驱动脉冲频率驱动脉冲频率f fQ(0)/C=2V5V10Vε驱动脉冲频率驱动脉冲频率驱动脉冲频率驱动脉冲频率f f实测三相多晶硅实测三相多晶硅N沟道沟道SCCD的关系曲线的关系曲线10MHz 五、电荷耦合摄像器件（五、电荷耦合摄像器件（ICCD））1、工作原理、工作原理利用光学成像系统将景物图像成在利用光学成像系统将景物图像成在CCD地像敏面上地像敏面上像敏面将照在每一像敏面的图像照度信号转变为像敏面将照在每一像敏面的图像照度信号转变为少数载流子数密度信号存储于像敏单元（少数载流子数密度信号存储于像敏单元（MOS电电容）中，然后，再转移到容）中，然后，再转移到CCD的移位寄存器（转的移位寄存器（转移电极下的势阱）中，在驱动脉冲的作用下顺序移电极下的势阱）中，在驱动脉冲的作用下顺序地移出器件，成为视频信号。 地移出器件，成为视频信号 v2、类型、类型v（（1）线型）线型CCD摄像器件摄像器件§单沟道线型单沟道线型ICCD§双沟道线型双沟道线型ICCDv（（2）面阵）面阵ICCD§帧转移面阵帧转移面阵ICCD§隔列转移型面阵隔列转移型面阵ICCD§线转移型面阵线转移型面阵ICCD 线阵线阵CCD外形外形 面阵面阵CCD 面阵面阵CCD能在能在x、、y两两个方向都能实现电子自扫描，可以获得二维个方向都能实现电子自扫描，可以获得二维图像 面阵面阵CCD外形（续）外形（续） 200万和万和1600万像素的面阵万像素的面阵CCD 面阵面阵CCD外形（续）外形（续） 面阵面阵CCD外形（续）外形（续） 3、、ICCD的基本特性参数的基本特性参数（（1）光电转换特性）光电转换特性良好，光电转换因子可达到良好，光电转换因子可达到99.7%2）光谱响应）光谱响应 ICCD常采用背面照射的受光方式，采用硅衬底的常采用背面照射的受光方式，采用硅衬底的ICCD，其光谱响应范围为，平均量子效率为，其光谱响应范围为，平均量子效率为25％，％，绝对响应为绝对响应为0.1~0.2A*W-1。 3)动态范围：由势阱的最大电荷存储量与噪声电荷动态范围：由势阱的最大电荷存储量与噪声电荷量之比决定量之比决定 （（4）噪声：电荷注入噪声；电荷量变化引起的噪声（转移）噪声：电荷注入噪声；电荷量变化引起的噪声（转移噪声）＆检测时产生的噪声（输出噪声）噪声）＆检测时产生的噪声（输出噪声）5）暗电流）暗电流产生的主要原因：产生的主要原因：u耗尽的硅衬底中电子自价带至导带的本征跃迁；耗尽的硅衬底中电子自价带至导带的本征跃迁；u少数载流子在中性体内的扩散；少数载流子在中性体内的扩散；u来自来自SiO2表面（硅中缺陷＆杂质数目）引起的暗电流；表面（硅中缺陷＆杂质数目）引起的暗电流；uSi-SiO2界面表面的晶体缺陷＆玷污等；界面表面的晶体缺陷＆玷污等；u温度，温度越高，暗电流越大温度，温度越高，暗电流越大 （（6）分辨力）分辨力2856K白炽光源白炽光源单色光源单色光源MTF频率频率MTF频率频率600nm700nm800nm1000nm 线阵线阵CCD在扫描仪中的应用在扫描仪中的应用 六、六、CCD图像传感器的应用图像传感器的应用 线阵线阵CCD在图像扫描中的应用在图像扫描中的应用 线阵线阵CCD摄像机可摄像机可用于彩色印刷中的用于彩色印刷中的套色工艺监控套色工艺监控 风云一号卫星可以对风云一号卫星可以对 地球上空的云层分布地球上空的云层分布 进行逐行扫描进行逐行扫描 线阵线阵CCD用于字符识别用于字符识别 CCD数码照相机数码照相机 v数码相机简称数码相机简称DC，它采用，它采用CCD作为光电转换器件，作为光电转换器件，将被摄物体的图像以数字形式记录在存储器中。 将被摄物体的图像以数字形式记录在存储器中v数码相机从外观看，也有光学镜头、取景器、对数码相机从外观看，也有光学镜头、取景器、对焦系统、光圈、内置电子闪光灯等，但比传统相焦系统、光圈、内置电子闪光灯等，但比传统相机多了液晶显示器（机多了液晶显示器（LCD），内部更有本质的区），内部更有本质的区别，其快门结构也大不相同别，其快门结构也大不相同 CCDCCD用于图像记录用于图像记录用于图像记录用于图像记录 数码相机的外形数码相机的外形 三基色分离原理三基色分离原理 CCD数码照相机的结构 数码相机的结构数码相机的结构解剖解剖（索尼（索尼F828））CCD CCD数码显微镜数码显微镜拍摄的金属表面显微照片拍摄的金属表面显微照片 CCD数码摄像机数码摄像机 CMOS图像传感器是采用互补金属图像传感器是采用互补金属-氧化物氧化物-半导体工艺制作半导体工艺制作的另一类图像传感器，简称的另一类图像传感器，简称CMOS现在市售的视频摄像头现在市售的视频摄像头多使用多使用CMOS作为光电转换器件虽然目前的作为光电转换器件虽然目前的CMOS图像传图像传感器成像质量比感器成像质量比CCD略低，但略低，但CMOS具有体积小、耗电量具有体积小、耗电量小、售价便宜的优点。 随着硅晶圆加工技术的进步，小、售价便宜的优点随着硅晶圆加工技术的进步，CMOS的各项技术指标有望超过的各项技术指标有望超过CCD，它在图像传感器中的应用，它在图像传感器中的应用也将日趋广泛也将日趋广泛 七、七、CMOS图像传感器图像传感器 CMOS视频摄像头视频摄像头 带红外带红外LED照明的照明的CMOS视频摄像头视频摄像头 CMOS视频摄像头的外部结构视频摄像头的外部结构 CMOS视频摄像头的外形及内部结构视频摄像头的外形及内部结构 。
