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双极晶体管的基础【教案】.ppt

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卖家[上传人]：小**

文档编号：45465571

上传时间：2018-06-16

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1、双极型晶体管的结构双极型晶体管的结构示意图如图所示它有两种类型:npn型和pnp型e-b间的pn结称为发射结(Je)c-b间的pn结称为集电结(Jc)中间部分称为基区，连上电极称为基极，用B或b表示（Base）；另一侧称为集电区和集电极，用C或c表示（Collector）两种极性的双极型晶体管3.1 3.1 双极晶体管的基础双极晶体管的基础由两个相距很近的由两个相距很近的pnpn结结组成：组成：一侧称为发射区，电极称为发射极，用E或e表示（Emitter）；双极型晶体管的符号在图的下方给出，发射极的箭头代表发射极电流的实际方向从外表上看两个N区,(或两个P区)是对称的，实际上发射区的掺杂浓度大，集电区掺杂浓度低，且集电结面积大基区要制造得很薄，其厚度一般在几个微米至几十个微米定义电压参考方向： PNP 管：NPN管：根据两个结上电压的正负，晶体管可有 4 种工作状态： E 结＋＋－－工作状态放大状态，用于模拟电路饱和状态，用于数字电路截止状态，用于数字电路倒向放大状态C 结－＋－＋2、偏压与工作状态放大状态：饱和状态：截止状态：倒向放大状态：3、少子分布与能带图 pnpppnnppppnnPE0nPC0pPB0nPE0nPC0pPB0nPE0nPC0pPB0pPB0nPC0nPE0NPN 晶体管在平衡状态下的能带图：NNP4、NPN 晶体管在 4 种工作状态下的能带图：EC EFEVNPN 晶体管在 4 种工作状态下的能带图：放大状态：饱和状态：截止状态：倒向放大状态：。

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