电子科技大学微电子与固体学院导师.docx

学院现拥有一支以中国科学院院士陈星弼教授领衔的雄厚科研、教学师资力量，其中特聘教授 4 人（李言荣、张怀武、邓龙江、林媛），讲座教授 1 人（肖强），教授 44 人（博士生导师 26 人）、副教授和高级工程师 47 人，90%以上的中青年教师具有博士、硕士学位中国科学院院士陈星弼特聘教授李言荣 张怀武 邓龙江 林 媛讲座教授肖 强博士生导师张树人 杨传仁 李 平 张 波 包生祥 邓 宏 兰中文 刘孝波 刘兴泉 杨成韬 刘兴钊 石 玉 高正平 唐先忠 何 为 钟智勇 刘颖力李晶泽郝建原 罗 萍教 授张 鹰 夏建新 钟朝位 张国俊 李 威 胡文成 吴孟强 刘洋 王忆文 侯新宇 陈远富 薛卫东 陶伯万 朱 俊 唐 武 张万里 谢建良 韩满贵 向 勇 罗佳慧俞永康 靳 敏副教授张庆中 王鲁豫 梁迪飞 余 忠 赵建明 叶星宁 陈 勇王志红 王京梅 夏都灵 刘 诺 周 伟 方 健 李竞春 于 奇 李泽宏贾利军 蒋书文 蒋洪川 冯哲圣 贾春阳 阮爱武 胡永达 罗玉香 曲 健 苏桦 王 宁 王守绪 文岐业 翁小龙 袁 颖 张继华 王向展 罗小蓉 彭 斌 陈 良唐晓莉 汪晓光 白飞明 杨青慧 李 波 宁 宁 熊 杰何泓材 贺雅娟赵晓辉 高级工程师刘布民 姬 洪 荣丽梅 魏建明 郭曙光 邓新武 陈宏伟张素梅 师资简介微电子学与固体电子学陈星弼， 男，教授，博士生导师， 1952 年毕业于同济大学，后在厦门大学、南京工学院及中国科学院物理研究所工作。

1956 年开始在成都电讯工程学院工作1980 年美国俄亥俄州大学作访问学者1981 年加州大学伯克莱分校作访问学者、研究工程师1983 年任电子科技大学微电子科学与工程系系主任、微电子研究所所长曾先后被聘为加拿大多伦多大学电气工程系客座教授，英国威尔斯大学天鹅海分校高级客座教授1999 年当选中国科学院院士 陈星弼教授是我国第一批学习及从事半导体科技的人员之一，他在半导体器件方面有著作六部，作为唯一或第一作者发表论文四十多篇 他从 1981 年起开始半导体功率器件的研究，第一个提出了各种终端技术的物理解释及解析理论他近年来提出了两类纵向导电的器件新耐压结构，获批准的美国发明专利四项，中国发明专利三项，并且作了唯一的三维电场分析结果国外称这是功率器件的新里程碑这个结构大大突破了功率器件中比导通电阻 Ron 与耐压 VB 的极限关系我国已从三项美国专利及二项中国专利中获转让费四十余万美元他本人还获得美国3D 公司奖章及授奖说明由他发明的 MOS 类器件由外国公司制造，已在市场上销售他的专利被 180 多项美国发明专利所引用，专利及相关论文有 50 次以上它引 他又提出了最佳表面横向变掺杂的理论及与 CMOS/BiCMOS 工艺兼容的横向（表面）功率器件的新结构，获美国发明专利两项及中国发明专利两项。

利用这种结构，可以不采用 BCD 技术，而只采用最通常的集成电路工艺，就可研制出电学性能比现有技术更好的高压（及功率）器件实验证明了此功率器件无论在击穿电压、电流密度、开关时间及导通电阻上，均优于现有的横向器件而且还可以用最小面积同时研制出高侧及低侧功率器件以及推动高侧器件的“盆”部级鉴定结论为“性能属国际领先，结构属国际首创”其发明专利已应用于某公司的一产品中 他还在功率集成电路中利用高 K 材料制作功率器件，并获得一项美国专利（U. S. 6936907）和三项中国专利（ZL 01141993；ZL 01139957；ZL 02142183.8） 以上均属于半导体器件中较为基础性的创新陈院士的这些发明突破了历来耐压区（或称漂移区）的做法，它可用于各类器件，也适用于各种材料，有极大的应用领域及价值联系：028-83201919 电子邮箱：xbchen@返回顶部李平，男，教授，博导，1957 年 9 月出生现任“电子薄膜与集成器件”国家重点实验室副主任、微电子技术所所长，“信息产业部 VLSI设计重点实验室”、“四川省 VLSI 设计重点实验室”主任；为四川省突出贡献优秀专家，1999 年起享受四川省政府津贴、四川省学术和技术带头人；为电子部电子部科技进步奖评委、国家科技进步奖评委(1999 年)、国家自然科学奖评委(2000 年)；获国家科技进步三等奖一项，电子部科技进步二等奖两项，电子部科技进步三等奖一项。

获中国发明专利授权四项；在 IEEE Trans . ED ， IEEE BCTM ， IEEE EDL，ISPSD 等重要国际学术刊物或会议发表几十篇论文第一负责完成国家自然科学基金三项，国家教委留学归国人员科研基金一项；完成横向技术转让和技术合作项目多项；第一负责国家重大基础研究(973）项目“红外读出电路 VLSI 芯片设计”、国家 863 VLSI SoC 专项“可编程逻辑器件 VLSI 芯片设计及 IP 核开发”、国家自然科学基金项目“SiGe 源漏区 MOS 器件与集成电路”等国家级科研项目多项；目前为国家重大专项“高密度 FPGA”项目第一负责人 联系：028-83201794 电子邮箱：pli@返回顶部张波，男，教授，博导，国家科技重大专项“高端芯片”实施专家组专家；国家自然科学基金委员会第十二届专家评审组专家；国家集成电路人才培养基地专家指导组专家，四川省电子学会半导体集成技术专委会主任，中国半导体行业协会理事，同时兼任多家 IC 公司技术顾问、多个国际会议分会 Co-Chair、多个国家级奖励评选及项目评审组专家（评委）2002 年教育部“高校青年教师奖”获得者，2004 年“成都市有突出贡献优秀专家”，2005 年成都市“十大杰出青年”。

从 1980 年代起即致力于新型功率半导体芯片研究，其中 1996.05-1999.11 以 Visiting Professor 身份在美国从事新型功率半导体器件研究工作现领导包括 20 位教师、100 余名博士、硕士研究生在内的团队专注于功率半导体芯片的研究与开发，开展了从功率半导体器件结构设计、硅基和 SOI 基高低压工艺整合、电源管理集成电路和功率驱动集成电路设计、能量高效转换控制理论到单芯片功率集成的系统研究；发表 SCI 收录论文 50 余篇、 EI 收录论文 150 余篇；受邀为三本国内外著名百科全书或半导体学术丛书撰写功率半导体器件章节，获国家科技进步奖及省部级科研奖励7 项，申请发明专利 50 余项，已获专利授权 16 项为全球多家企业开发成功数十款功率半导体芯片，市场销售过亿只联系：028-83204101 电子邮箱：zhangbo@返回顶部夏建新，男，教授，1963 年 4 月出生1984 年 7 月毕业于四川大学物理系，获理学学士学位1987 年 6 月从西安交通大学电子工程系毕业，获工学硕士学位1987 年 6 月至 1995 年 10 月在电子科技大学微电子所工作，从事功率电子学方面的研究。

1990 年 3 月晋升讲师1995 年10 月至 1999 年 11 月在日本大阪大学留学，从事超大规模集成电路工艺方面的研究1999 年 9 月在大阪大学电气工程系获工学博士学位2000 年 1 月至今在电子科技大学微电子所从事超大规模集成电路工艺和功率电子学方面的教学、研究工作2000 年 6 月晋升为教授 　　研究兴趣主要在功率电子学和超大规模集成电路工艺两个方面曾长期从事功率 MOS 器件方面的研究，先后参加了包括七五攻关项目、自然科学基金重点项目在内的六个科研项目的研究工作，完成的科研课题“矩形槽栅功率 MOS 晶体管”和“高压器件的电阻场板、钝化膜与表面横 向变掺杂终端技术”分别获电子部科技进步三等奖从一九九五年十月开始，从事超大规模集成电路工艺研究，重点在集成电路可靠性、超浅结形成及其工艺模拟、离子注入缺陷和杂质原子的相互作用等方面有多篇论文在 J. Appl. Phys.、Jpn. J. Appl. Phys、The Transactions of IEICE、International Electron Devices Meeting 等杂志和国际会议文集上发表联系：028-83201963 电子邮箱：xia@返回顶部张国俊，男，教授。

1960 年 10 月生1983 年本科半导体器件物理专业毕业曾工作于辽宁晶体管厂、中电集团第四十七研究所；历任工艺线长、研究室副主任、研究室主任、副总工程师；1997 年 8 月晋升为高级工程师；2004 年 12 月晋升为研究员级高工；2007 年 3 月受聘为电子科技大学教授主要从事半导体功率器件、模拟集成电路、微细加工技术的研究工作，曾主持研制的功率器件项目：1500V/5A 高反压功率 BJT、600V/3A 功率 BJT、1200V/50A GTR 及模块、1200V/100A 方片 SCR 及模块、JFET、VDMOS、IGBT 等，曾主持研制的集成电路项目：高速运算放大器、功率运算放大器、四电压比较器、双总线驱动电路、功率驱动电路、电压调整器、AC/DC 开关电源芯片等从事本科《集成电路工艺原理 》课程的教学工作获省级科技成果一等奖一项、二等奖一项，市政府科技进步奖一项、部级鉴定十余项1992 年 12 月被授予市优秀知识分子称号，1996 年 3 月被授予“八五”期间国防工业(电子）先进工作者，2005 年 11 月被信产部、中电集团授予“神州”六号载人航天工程先进个人。

联系：028-83207780 电子邮箱：zgj@返回顶部李威，男，教授，原电子工业部第 47 研究所工作了 16 年，历任工艺线长、科技处处长、技改处处长、所长助理等职，并于 94 年被评为高级工程师；主管军用电子器件研制及生产的计划管理和用户协调工作；组织实施重点军工技改 4 英寸工艺线的组建工作； “934”对俄引进过程中任办公室主任，全面负责技术及工艺设备的引进；在军用电子元器件的设计、制造等方面有较深造诣负责主持了“七五”、“八五”、“九五”研究所的科技攻关项目和重点军工配套项目的研发工作；获原电子工业部科技进步一等奖一项、获国防科工委光华基金三等奖一项、2005 年主持的 CPLD 项目获得国防科学技术三等奖 1991-1992 年，赴乌克兰的国家半导体研究所进修；1993-1994 年，在美国硅谷的 CA LOGIC 公司进修集成电路设计和加工制作1999 年 10 月，来到祖国的大西南——成都，参与华微电子系统有限公司的组建任常务副总裁，主管科研和市场2003 年 10月任总裁至今，全面主持工作总装合同办集成电路专业组的特邀专家；可编程逻辑器件专业组的组长，A/D、D/ A 专业组成员；国家 863专家组专家成员。

2004 年中国集成电路设计产业发展十周年风云人物评选中获突出贡献奖联系：028-85186229电子邮箱：liwei@返回顶部 罗佳慧，女，学科教授，1956 年 7 月出生1982 年 1 月本科毕业于电子科技大学电子材料与元器件专业，并留校任教至今其间在职攻读电子材料与元器件专业和工商管理专业研究生，并于 1990 年获工学硕士学位、20。