半导体专业用语.docx

金属前介质层(PMD)金属间介质层(IMD)W塞(WPLUG)钝化层(Passivation)acceptor受主，如B，掺入Si中需要接受电子Acid：酸actuator激励ADIAfterdevelopinspection显影后检视AEIAfteretchinginspection蚀科后检查AFMatomicforcemicroscopy原子力显微ALDatomiclayerdeposition原子层淀积Alignmark(key)：对位标记Alignment排成一直线，对平Alloy：合金Aluminum：铝Ammonia：氨水Ammoniumfluoride：NHFAmmoniumhydroxide：NHOHAmorphoussilicon:a-Si，非晶硅(不是多晶硅)amplifier放大器AMU原子质量数Analog：模拟的analyzermagnet磁分析器Angstrom:A(E-m)埃Anisotropic:各向异性(如POLYETCH)Antimony(Sb)锑arcchamber起弧室ARC:anti-reflectcoating防反射层Argon(Ar)氩Arsenictrioxide(AsO)三氧化二砷Arsenic(As)砷Arsine(AsH)ASHER一种干法刻蚀方式Asher:去胶机ASI光阻去除后检查ASIC特定用途集成电路Aspectration:形貌比(ETCH中的深度、宽度比)ATE自动检测设备Backend:后段(CONTACT以后、PCM测试前)BacksideEtch背面蚀刻Backside晶片背面Baseline：标准流程Beam-Current电子束电流Benchmark:基准BGAballgridarray高脚封装Bipolar:双极Boat:扩散用(石英)舟Cassette装晶片的晶舟CD:criticaldimension关键性尺寸，临界尺寸Chamber反应室Chart图表Childlot子批chiller制冷机Chip（die）晶粒Chip:碎片或芯片。

clamp夹子CMP化学机械研磨Coater光阻覆盖（机台）Coating涂布，光阻覆盖Computer-aideddesign（CAD）:计算机辅助设计ContactHole接触窗ControlWafer控片Correlation:相关性Cp:工艺能力，详见processcapabilityCriticallayer重要层CVD化学气相淀积Cycletime生产周期Defectdensity:缺陷密度单位面积内的缺陷数Defect缺陷DEPdeposit淀积Depthoffocus（DOF）:焦深Descum预处理Developer显影液；显影（机台）developer：I）显影设备；n）显影液Development显影DGdualgate双门DIfilter离子交换器DIwater去离子水Diffusion扩散disk靶盘disk/flagfaraday束流测量器Doping掺杂Dose剂量Downgrade降级DRCdesignrulecheck设计规则检查DryClean干洗Duedate交期Dummywafer挡片E/Retchrate蚀刻速率EE设备工程师ELSextendedlifesource高寿命离子源enclosure外壳ICPinductivecoupleplasma感应等离子体ID辨认，鉴定IGBT绝缘门双极晶体管images:去掉图形区域的版implant注入Implant植入impurityn掺杂impurity：杂质inductivecoupledplasma(ICP)：感应等离子体inertgas:惰性气体initialoxide：一氧insulator:绝缘isolatedline:隔离线junction结junctionspikingn铝穿刺kerf划片槽landingpadnPADLayer层次LDDlightlydopeddrain轻掺杂漏linerdrive直线往复运动lithographyn制版loadlockvalve靶盘腔装片阀Localdefocus局部失焦因机台或晶片造成之脏污LOCOSlocaloxidationofsilicon局部氧化多数载流子Mask(reticle)光罩masks,deviceseriesofn一成套光刻版materialn原料matrixn矩阵meann平均值measuredleakraten测得漏率mediann中间值memoryn记忆体Merge合并Loop巡路Lot批LP(低压)淀积多晶硅(LPPOLY)Parentlot母批mainframe主机maintainability,equipment设备产能maintenancen保养majoritycarriernBPSG含有硼磷的硅玻璃Break中断，stepper机台内中途停止键cassette晶片盒EndPoint蚀刻终点e-shower中性化电子子发生器ETetch蚀刻Exhaust排气(将管路中的空气排除)Exposure曝光extrantionelectrode高压吸极FAB工厂fab：常指半导体生产的制造工厂。

FIBfocusedionbeam聚焦离子束FieldOxide场氧化层filament灯丝film：薄膜，圆片上的一层或多层迭加的物质flataligener平边检测器flat：平边flatbandcapacitanse：平带电容flatbandvoltage：平带电压Flatness平坦度flowcoefficicent：流动系数flowvelocity：流速计flowvolume：流量计flux：单位时间内流过给定面积的颗粒数Focus焦距forbiddenenergygap：禁带Foundry代工four-pointprobe：四点探针台FSG含有氟的硅玻璃functionalarea：功能区Furnace炉管gateoxide:栅氧glasstransitiontemperature：玻璃态转换温度GOIgateoxideintegrity门氧化层完整性gowning：净化服grayarea:灰区gyrodrive两方向偏转hardbake:后烘，坚烘,softbake(软烘)HCIhotcarrierinjection热载流子注入HDP：highdensityplasma高密度等离子体heatexchange热交换机High-Voltage高压host：主机Hotbake烘烤metaln金属MetalVia金属接触窗MFG制造部Mid-Current中电流Module部门nanometer(nm)n:纳米nanosecond(ns)n:纳秒NITSiN氮化硅nitrideetchn:氮化物刻蚀nitrogen(N)n:氮气，一种双原子气体Non-critical非重要NPn-dopedplus(N+)N型重掺杂n-typeadj:n型NWn-dopedwellN阱ODoxidedefinition定义氧化层ohmspersquaren：欧姆每平方方块电阻OMopticmicroscope光学显微镜OOC超出控制界线OOS超出规格界线orientationn:晶向，一组晶列所指的方向OverEtch过蚀刻Overflow溢出overlapn:交迭区Overlay测量前层与本层之间曝光的准确度OXSiO二氧化硅Ppoly多晶硅PA;passivation钝化层Particle含尘量/微尘粒子PHphoto黄光或微影phosphorus(P)n:磷，一种有毒的非金属元素photomaskn:光刻版，用于光刻的版photomask,negativen：反刻photomask,positiven:正刻Pilot实验的PVD物理气相淀积PWp-dopedwellP阱quadrupolelens磁聚焦透镜quartzcarriern石英舟。

Queuetime等待时间内层介电层(ILD)、内金属介电层(IMD)hotcarriers：热载流子hydrophilic：亲水性hydrophobic：疏水性pnjunctionn：pn结Pod装晶舟与晶片的盒子Polymer聚合物PORProcessofrecordpostaccel后加速器Plasma电浆PMDpremetaldielectric电容PPp-dopedplus(P+)P型重掺杂PRPhotoresisit光阻PRphotoresist光阻purewatern纯水半导体生产中所用之水PVD物理气相淀积PWp-dopedwellP阱quadrupolelens磁聚焦透镜quartzcarriern石英舟Queuetime等待时间QTIME-DUMMY：从此步骤到下一个步骤一共停留的时间范围(超出范围会出问题)显影前烘焙(PEB)：降低或消除驻波效应R/Cruncard运作卡SOG是一种相当简易的平坦化技术因为介电层材料是以溶剂的形态覆盖在硅片表面，因此SOG对高低起伏外观的“沟填能力”非常好，可以避免纯粹以CVD法制作介质层时所面临的孔洞问题Spacer：SPACER工艺是通过LPTEPSETCHBACK，在PLOY侧壁形成两个侧壁突出的工艺，用于源漏区注入的自对准和减少由于源漏横向扩散形成的沟道效应。

LPTEOS主要用于SPACER及电容氧化层TEOS=Si(OC2H5)4名称：正硅酸乙脂，又称四乙氧基硅烷Si(OC2H5)4tGroundBounce地弹反射GUI,GraphicalUserInterface图形用户界面Harmonica射频微波电路仿真HFSS三维高频结构电磁场仿真HMDS(六甲基二硅胺)：涂胶前处理，增加圆片衬底与光刻胶的粘附性ICIntegrateCircuit集成电路ImageFiducial电路基准Impedance阻抗In-Circuit-Test测试InitialVoltage初始电压InputRiseTime输入跃升时间Inverter-逆变器Jumper跳线LCDLiquidCrystalDisplay液晶显示LCMLiquidCrystalModule液晶模块LEDLightEmittingDiode发光二极管LinearDesignSuit线性设计软件包LocalFiducial个别基准manufacturing制造业MCMs,Multi-Chip片组件MDE,MaxwellEnvironmentMerge合并MFG制造部NonlinearDesign计软件包UDOFModules多芯DesignSuit非线性设NVT：NMOS调阈值电压ODB++OpenDataBase公开数据库OEM原设备制造商OLEAutomation目标连接与嵌入On-lineDRC设计规则检查ONO：氧化层-氮化层-氧化层介质；用作电容介质Optimetrics优化和参数扫描OSDOnScreenDisplay在屏上显示Overshoot过冲BIST,Built-inSelfTest内建的自测试BusRoute总线布线Carbide碳circuitdiagram电路图Circuit电路基准Clementine专用共形开线设计ClusterPlacement簇布局CM合约制造商COFChipOnFPC将IC固定于柔性线。