gasb基量子阱激光器材料的结构设计与特性表征.doc

光学专业优秀论文光学专业优秀论文 GaSbGaSb 基量子阱激光器材料的结构设计与特性表基量子阱激光器材料的结构设计与特性表征征关键词：量子阱激光器关键词：量子阱激光器 锑化物锑化物 外延生长外延生长 量子阱材料量子阱材料 结构特性结构特性 光学特性光学特性摘要：本论文针对高质量的 InGaAsSb/AlGaAsSb 量子阱激光器的特点和存在的 问题，对激光器的结构进行了优化设计，并进行了锑化物的分子束外延(MBE)生 长、激光器的制备以及材料的研究分析了各结构参数对量子阱材料性能的影 响取得了如下结果： 从 GaSb 基材料(InGaAsSb、AlGaAsSb)的基本性质着 手，通过二元系和三元系材料参数计算四元系材料的晶格常数、禁带宽度等， 着重分析了单层 InGaAsSb、AlGaAsSb 材料的 MBE 生长参数及工艺，设计并生长 了 InGaAsSb/AlGaAsSb 多量子阱半导体外延材料利用 X 射线双晶衍射和 PL 谱 研究了材料的结构特性和光学特性通过生长条件的优化并结合理论分析，我 们制备了不同波长的 GaInAsSb/AlGaAsSb 多量子阱材料，阱厚为 10nm 的 Inlt;,0.173gt;Galt;,0.827gt;Aslt;0.02gt;S blt;,0.98gt;/Allt;,0.2gt;Gaolt;,0.8gt;A slt;,0.02gt;Sblt;,0.98gt;5 个量子阱材料，在 X 射线 双晶衍射曲线中我们观察到了 5 级卫星峰，在变温(10K-300K)PL 实验曲线中， PL 谱中样品的半峰宽 23meV，室温 PL 峰发光波长为 1.92μm。

低温 10K 的实验 曲线的发光波长为 1.72μm，PL 谱的半峰宽达到 5meV说明我们获得了高质量 的多量子阱外延材料正文内容正文内容本论文针对高质量的 InGaAsSb/AlGaAsSb 量子阱激光器的特点和存在的问 题，对激光器的结构进行了优化设计，并进行了锑化物的分子束外延(MBE)生长、 激光器的制备以及材料的研究分析了各结构参数对量子阱材料性能的影响 取得了如下结果： 从 GaSb 基材料(InGaAsSb、AlGaAsSb)的基本性质着手， 通过二元系和三元系材料参数计算四元系材料的晶格常数、禁带宽度等，着重 分析了单层 InGaAsSb、AlGaAsSb 材料的 MBE 生长参数及工艺，设计并生长了 InGaAsSb/AlGaAsSb 多量子阱半导体外延材料利用 X 射线双晶衍射和 PL 谱研 究了材料的结构特性和光学特性通过生长条件的优化并结合理论分析，我们 制备了不同波长的 GaInAsSb/AlGaAsSb 多量子阱材料，阱厚为 10nm 的 Inlt;,0.173gt;Galt;,0.827gt;Aslt;0.02gt;S blt;,0.98gt;/Allt;,0.2gt;Gaolt;,0.8gt;A slt;,0.02gt;Sblt;,0.98gt;5 个量子阱材料，在 X 射线 双晶衍射曲线中我们观察到了 5 级卫星峰，在变温(10K-300K)PL 实验曲线中， PL 谱中样品的半峰宽 23meV，室温 PL 峰发光波长为 1.92μm。

低温 10K 的实验 曲线的发光波长为 1.72μm，PL 谱的半峰宽达到 5meV说明我们获得了高质量 的多量子阱外延材料 本论文针对高质量的 InGaAsSb/AlGaAsSb 量子阱激光器的特点和存在的问题， 对激光器的结构进行了优化设计，并进行了锑化物的分子束外延(MBE)生长、激 光器的制备以及材料的研究分析了各结构参数对量子阱材料性能的影响取 得了如下结果： 从 GaSb 基材料(InGaAsSb、AlGaAsSb)的基本性质着手，通 过二元系和三元系材料参数计算四元系材料的晶格常数、禁带宽度等，着重分 析了单层 InGaAsSb、AlGaAsSb 材料的 MBE 生长参数及工艺，设计并生长了 InGaAsSb/AlGaAsSb 多量子阱半导体外延材料利用 X 射线双晶衍射和 PL 谱研 究了材料的结构特性和光学特性通过生长条件的优化并结合理论分析，我们 制备了不同波长的 GaInAsSb/AlGaAsSb 多量子阱材料，阱厚为 10nm 的 Inlt;,0.173gt;Galt;,0.827gt;Aslt;0.02gt;S blt;,0.98gt;/Allt;,0.2gt;Gaolt;,0.8gt;A slt;,0.02gt;Sblt;,0.98gt;5 个量子阱材料，在 X 射线 双晶衍射曲线中我们观察到了 5 级卫星峰，在变温(10K-300K)PL 实验曲线中， PL 谱中样品的半峰宽 23meV，室温 PL 峰发光波长为 1.92μm。

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低温 10K 的实验 曲线的发光波长为 1.72μm，PL 谱的半峰宽达到 5meV说明我们获得了高质量 的多量子阱外延材料 本论文针对高质量的 InGaAsSb/AlGaAsSb 量子阱激光器的特点和存在的问题， 对激光器的结构进行了优化设计，并进行了锑化物的分子束外延(MBE)生长、激 光器的制备以及材料的研究分析了各结构参数对量子阱材料性能的影响取 得了如下结果： 从 GaSb 基材料(InGaAsSb、AlGaAsSb)的基本性质着手，通 过二元系和三元系材料参数计算四元系材料的晶格常数、禁带宽度等，着重分 析了单层 InGaAsSb、AlGaAsSb 材料的 MBE 生长参数及工艺，设计并生长了 InGaAsSb/AlGaAsSb 多量子阱半导体外延材料利用 X 射线双晶衍射和 PL 谱研 究了材料的结构特性和光学特性通过生长条件的优化并结合理。