器件型号命名方法优秀课件.ppt

元器件型号命名、规格参数标志方法器件型号命名方法优秀课件一、固定电阻器、固定电容器型号命名、规格参数标志方法1、固定电阻器型号命名、规格参固定电阻器型号命名、规格参 数标志方法数标志方法⑴⑴固定电阻器型号命名方法固定电阻器型号命名方法①① ②② ③③ ④④ 第四部分：序号序号 第三部分：特征特征 第二部分：材料材料 第一部分：主称主称⑵⑵固定电阻器规格参数标志方法固定电阻器规格参数标志方法 ①① ②② ③③ ④④ 第四部分：允许偏差允许偏差 第三部分：标称阻值标称阻值 第二部分：额定功率额定功率 第一部分：元件型号元件型号器件型号命名方法优秀课件⑶电阻器型号命名、规格参数标志方法实例型号命名示例型号命名示例R J 7 1　　 第四部分：序号序号 第三部分：特征特征（精密） 第二部分：材料材料（金属膜） 第一部分：主称主称（电阻器） 规格参数标志示例规格参数标志示例 RJ71－0.125—510—±1% 第四部分：允许偏差允许偏差（1%） 第三部分：标称阻值标称阻值（510） 第二部分：额定功率额定功率（1/8W） 第一部分：元件型号元件型号（精密金属膜）　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　　　　 器件型号命名方法优秀课件⑴⑴固定电容器型号命名方法固定电容器型号命名方法①① ②② ③③ ④④ 第四部分：序号序号 第三部分：特征特征 第二部分：材料材料 第一部分：主称主称⑵⑵固定电容器规格参数标志方法固定电容器规格参数标志方法①① ②② ③③ ④④ 第四部分：允许偏差允许偏差 第三部分：标称容值标称容值 第二部分：额定耐压额定耐压 第一部分：元件型号元件型号2、固定电容器型号命名、规格参数标志方法固定电容器型号命名、规格参数标志方法器件型号命名方法优秀课件⑶电容器型号命名、规格参数标志方法实例型号命名示例型号命名示例C D 1 1　　　　 第四部分：序号序号　 第三部分：特征特征（箔式）　 第二部分：材料材料（铝电解） 第一部分：主称主称（电容器） 规格参数标志示例规格参数标志示例CD11-16V-100μF-±20％％ 第四部分：允许偏差允许偏差(±20%） 第三部分：标称容值标称容值（100μF） 第二部分：额定耐压额定耐压（16V） 第一部分：元件型号元件型号（CD11）器件型号命名方法优秀课件二、贴片电阻器、贴片电容器型号命名、规格参数标志方法1、贴片电阻器型号命名、规格参数贴片电阻器型号命名、规格参数标志方法标志方法⑴⑴贴片电阻器型号命名方法贴片电阻器型号命名方法①① ②② ③③ ④④ ⑤⑤ ⑥⑥ ⑦⑦ 第七部分：包装方式 第六部分：允许偏差允许偏差 第五部分：标称阻值标称阻值 第四部分：温度系数 第三部分：封装尺寸封装尺寸 第二部分：额定功率额定功率 第一部分：主称⑵⑵贴片电阻器规格参数标志方法贴片电阻器规格参数标志方法①① ②② — ③③ — ④④— ⑤⑤ 第五部分：允许偏差允许偏差 第四部分：标称阻值标称阻值 第三部分：封装尺寸封装尺寸 第二部分：额定功率额定功率 第一部分：元件主称元件主称器件型号命名方法优秀课件⑶贴片电阻器型号命名、规格参数标志方法实例型号命名示例型号命名示例R S-05 K 1002 F TR S-05 K 1002 F T 第七部分：包装方式（T：编带） 第六部分：允许偏差允许偏差（F±1%） 第五部分：标称阻值标称阻值（1002：10K） 第四部分：温度系数（K：±100ppm/℃） 第三部分：封装尺寸封装尺寸（05：0805） 第二部分： 额定功率额定功率（S：1/8W） 第一部分：器件主称（R：电阻器） 规格参数标志示例规格参数标志示例R S-0805-5.1K-±1%R S-0805-5.1K-±1% 第五部分：允许偏差允许偏差（±1%） 第四部分：标称阻值标称阻值（5.1K） 第三部分：封装尺寸封装尺寸（0805） 第二部分：额定功率额定功率（S系列） 第一部分：元件主称元件主称（R：电阻器）器件型号命名方法优秀课件2、贴片电容器型号命名、规格参数标志方法贴片电容器型号命名、规格参数标志方法⑴⑴贴片电容器型号命名方法贴片电容器型号命名方法①①②② ③③ ④④ ⑤⑤ ⑥⑥ ⑦⑦ ⑧⑧ ⑨⑨ 第九部分：包装方式 第八部分：个别规格 第七部分：允许偏差允许偏差 第六部分：标称容值标称容值 第五部分： 额定电压额定电压 第四部分： 材质 第三部分：厚度 第二部分：封装尺寸封装尺寸 第一部分：产品型号产品型号 ⑵⑵贴片电容器规格参数标志方法贴片电容器规格参数标志方法①① ②② ③③ ④④ ⑤⑤ 第五部分：允许偏差允许偏差 第四部分：标称容值标称容值 第三部分：额定耐压额定耐压 第二部分：封装尺寸封装尺寸 第一部分：元件型号元件型号器件型号命名方法优秀课件⑶贴片电容器型号命名、规格参数标志方法实例型号命名示例型号命名示例GRM 18 8 R7 1C 225 K E15 D①② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ⑨ 第九部分：包装方式（D：纸编带） 第八部分：个别规格（E15） 第七部分：允许偏差允许偏差（（K：±10%） 第六部分： 标称容值标称容值（（2.2μμF F）） 第五部分：额定电压额定电压（（1C：：16V）） 第四部分：材质（R7：X7R） 第三部分：厚度（8：0.8mm) 第二部分： 封装尺寸封装尺寸（（18：：0603）） 第一部分：产品型号产品型号(GRM:普通陶瓷)规格参数标志示例规格参数标志示例CC41-1210-50V-22μμF-F-±20％％ 第五部分：允许偏差允许偏差（±20%） 第四部分：标称容值标称容值（22μμF F） 第三部分：额定耐压额定耐压（50V） 第二部分：封装尺寸封装尺寸（1210） 第一部分：元件型号元件型号(CC41)器件型号命名方法优秀课件三、固定小型电感器型号命名、规格参数标志方法⑴⑴固定电感器型号命名方法固定电感器型号命名方法固定小型电感器型号命名方法由下列四部分组成：①① ②② ③③ ④④ 第四部分：序号序号 第三部分：形式形式 第二部分：特征特征 第一部分：主称主称⑵⑵固定电感器规格参数标志方法固定电感器规格参数标志方法固定小型电感器规格参数标志方法由下列四部分组成：①① ②② ③③ ④④ 第四部分：允许偏差允许偏差 第三部分：标称电感标称电感 第二部分：额定电流额定电流 第一部分：元件型号元件型号器件型号命名方法优秀课件⑶固定小型电感器型号命名、规格参数标志方法实例型号命名示例型号命名示例L G X 1 　　　　　 第四部分：序号序号　 第三部分：形式形式（小型）　 第二部分：特征特征（高频） 第一部分：主称主称（电感器）规格参数标志示例规格参数标志示例LGX1—A—10μH—±5%　　　　　 第四部分：允许偏差允许偏差（5%）　　　　　 第三部分：标称电感标称电感（10μH）　　　 第二部分：额定电流（额定电流（50mA)　　　 第三部分：元件型号元件型号（高频小型电感）器件型号命名方法优秀课件四、小型贴片电感器型号命名、规格贴片电感器型号命名、规格参数标志方法参数标志方法⑴⑴贴片电感器型号命名方法贴片电感器型号命名方法①① ②② ③③ ④④ ⑤⑤ ⑥⑥ ⑦⑦ ⑧⑧ ⑨⑨ ⑩⑩ 第十部分：包装 第九部分：电极 第八部分：特征 第七部分：允许偏差允许偏差 第六部分：标称电感标称电感 第五部分：类型 第四部分：应用特性 第三部分：封装尺寸封装尺寸 第二部分：结构形式结构形式 第一部分：产品型号产品型号⑵⑵贴片电感器规格参数标志方法贴片电感器规格参数标志方法①① ②② ③③ ④④ ⑤⑤ 第五部分：允许偏差允许偏差 第四部分：标称电感标称电感 第三部分：额定电流额定电流 第二部分：器件封装器件封装 第一部分：元件型号元件型号器件型号命名方法优秀课件⑶小型贴片电感器型号命名、规格参数标志方法实例型号命名示例型号命名示例LQ H 32 M N 331 K 2 LQ H 32 M N 331 K 2 3 3 L L①① ②② ③③ ④④ ⑤⑤ ⑥⑥ ⑦⑦ ⑧⑧ ⑨⑨ ⑩⑩ 第十部分：包装（L：编带） 第九部分：电极（3：无铅焊剂） 第八部分：特征（2：标准型） 第七部分：允许偏差允许偏差（K：±10%) 第六部分：标称电感标称电感（331：330μH） 第五部分：类型（N：标准型） 第四部分：应用特性（M：薄膜型） 第三部分：封装尺寸封装尺寸（32：1210） 第二部分：结构形式结构形式（H：绕线型，铁氧体芯） 第一部分：产品型号产品型号（LQ) 规格参数标志示例规格参数标志示例 LQ-1210-65mA-330 LQ-1210-65mA-330μH-±10% 第五部分：允许偏差允许偏差（±10%） 第四部分：标称电感标称电感(330 μH) 第三部分：额定电流额定电流（65mA) 第二部分：器件封装器件封装（1210） 第一部分：元件型号元件型号（LQ）器件型号命名方法优秀课件五、半导体分立器件型号命名、规格参数标志方法1、半导体分立器件型号命名、规半导体分立器件型号命名、规格参数标志方法格参数标志方法⑴⑴半导体分立器件型号命名方法半导体分立器件型号命名方法①①②② ③③ ④④ ⑤⑤ 第五部分：规格号规格号 第四部分：序号序号 第三部分：器件类别器件类别 第二部分：材料极性材料极性 第一部分：电极数目电极数目 ⑵⑵半导体分立器件规格参数标志方法半导体分立器件规格参数标志方法①① ②② ③③ ④④ 第四部分：附加参数附加参数 第三部分：规格参数规格参数 第二部分：封装形式封装形式 第一部分：元器件型号元器件型号 器件型号命名方法优秀课件⑶半导体分立器件型号命名、规格参数标志方法实例型号命名示例型号命名示例3 A D 50 C　 第五部分：规格号规格号（C） 第四部分：序号序号（50）　　 第三部分：器件类别器件类别（D：低频大功率 ） 第二部分：材料极性材料极性（A：PNP型、锗材料 ） 第一部分：电极数目电极数目（3：三极管）　规格参数标志示例规格参数标志示例1N4732A-1N4732A-（（ DO-41DO-41））-4.7V-1W-4.7V-1W 第四部分：附加参数附加参数（功率） 第三部分：器件参数器件参数（稳压值） 第二部分：器件封装器件封装（DO-41) 第一部分：器件型号器件型号(1N4732A） 第四部分：附加参数附加参数（功率）（功率） 第三部分：规格参数规格参数（稳压值）（稳压值） 第二部分：器件封装器件封装（（1206）） 第一部分：器件型号器件型号（（1N4698）） 器件型号命名方法优秀课件型号命名示例型号命名示例CS 2 BCS 2 B 第五部分：规格号（规格号（B B）） 第四部分：序号（序号（2 2）） 第三部分：器件类别器件类别（场效应晶体管）（场效应晶体管） 规格参数标志示例规格参数标志示例1N4698-1206-11V-1/2W1N4698-1206-11V-1/2W 第四部分：附加参数附加参数(1/2W)(1/2W) 第三部分：规格参数规格参数(11V)(11V) 第二部分：封装尺寸封装尺寸（（12061206）） 第一部分：器件型号器件型号（（1N4698)1N4698)器件型号命名方法优秀课件六、半导体集成电路型号命名、规格参数标志方法1、半导体集成电路型号命名、规格半导体集成电路型号命名、规格参数标志方法参数标志方法⑴⑴半导体集成电路型号命名方法半导体集成电路型号命名方法①① ②② ③③ ④④ ⑤⑤ 第五部分：器件封装器件封装 第四部分：温度范围温度范围 第三部分：品种代号品种代号 第四部分：器件类型器件类型 第五部分：符合国家标准符合国家标准⑵⑵半导体分立器件规格参数标志方法半导体分立器件规格参数标志方法 ①① ②② 第二部分：器件封装器件封装 第一部分：器件型号器件型号器件型号命名方法优秀课件⑶半导体集成电路型号命名、规格参数标志方法实例型号命名示例型号命名示例C F 741 C T 第五部分：器件封装器件封装（T：金属圆形） 第四部分：温度范围温度范围（C：7～70℃） 第三部分：品种代号品种代号（741） 第二部分：器件类型器件类型（F：线性放大器） 第一部分：符合国家标准符合国家标准（C）规格参数标志示例规格参数标志示例ADC0809—（DIP-28） 第二部分：器件封装器件封装（DIP-28） 第一部分：器件型号器件型号（ADC0809） 器件型号命名方法优秀课件七、变压器型号命名、规格参数标志方法1、中频型号命名、规格参数标志中频型号命名、规格参数标志方法方法⑴⑴中频变压器型号命名方法中频变压器型号命名方法①① ②② ③③ 第一部分：级数级数 第二部分：尺寸尺寸 第三部分：主称主称 ⑵⑵中频变压器规格参数标志方法中频变压器规格参数标志方法 ①① ②② 第二部分：器件封装器件封装 第一部分：器件型号器件型号器件型号命名方法优秀课件⑶中频变压器型号命名、规格参数标志方法实例型号命名示例型号命名示例TTF—3 —1 　　　　　　　　　 第三部分：级数级数（第一级） 　　 　　　　　　　　　　　　　　 第二部分：尺寸尺寸（12×12×16 ） 第一部分：主称主称（磁性瓷心式调幅用 中频变压器） 规格参数标志示例规格参数标志示例TTF—3—1—（（12×12×16）） 第二部分：器件封装器件封装 第一部分：器件型号器件型号（（DB-60-2）器件型号命名方法优秀课件2、低频型号命名、规格参数标志低频型号命名、规格参数标志方法方法⑴⑴低频变压器型号命名方法低频变压器型号命名方法①① ②② ③③ 第一部分：序号序号 第二部分：功率功率 第三部分：主称主称⑵⑵低频变压器规格参数标志方法低频变压器规格参数标志方法①① ②② 第二部分：器件封装器件封装 第一部分：器件型号器件型号 器件型号命名方法优秀课件⑶低频变压器型号命名、规格参数标志方法实例型号命名示例型号命名示例DB—60—2 第三部分：序号序号（2） 第二部分：功率功率（60VA） 第一部分：主称（主称（DB：电源变压器）规格参数标志示例规格参数标志示例DB—60—2—（器件封装）（器件封装） 第二部分：器件封装器件封装 第一部分：器件型号器件型号（（DB-60-2）器件型号命名方法优秀课件。