第六章金氧半二极体、电晶体及其电性讨论2说课材料.ppt

6.2.2 MOSFET的種類 N通道增強模式 N通道空乏模式 P通道增強模式 P通道空乏模式基板為p型半導體，汲極與源極為n型摻雜基板為n型半導體，汲極與源極為p型摻雜 N通道增強模式(Enhamcement mode)N通道增強模式：在零閘極電壓，氧化層下沒有電子反轉層，需加正閘極電壓才會有反轉層沒接通電子由基底進入N通道空乏模式(Depletion mode) N通道空乏模式：在零閘極電壓，氧化層下已有電子反轉層存在接通電子由基底進入P通道空乏模式 P通道空乏模式：在零閘極電壓，氧化層下已有電洞反轉層存在接通電子由基底流出6.2.3 臨界電壓控制基板偏壓效應（Substrate bias effects） 基板可不與源極接在一起另接偏壓，但必須保持源極到基板不為導通狀態（逆向偏壓），及VBS必須大於或等於零 VBS大於零時，能帶更彎曲，有更多的空乏區電荷： Qsc增加，故臨界電壓也增加VSB = 0，反轉點能帶圖VSB 0基板偏壓效應（續） 造成臨限電壓的增加 s增加，造成S的減少，on-off特性更佳S大S小在MOS的製程上，VT受到閘極材料種類以及基板摻雜濃度影響例如：對NMOS（P型基板）而言，增加受體摻雜（B），可增加VT，反之，將硼摻入PMOS的基板（N型），可降低VT的絕對值。

調整VT的方法：1. 基板摻雜調整VT的方法：2. 調整氧化層厚度此為場氧化層可作為相鄰MOS隔離技術的原因很大！Figure 6.21. Cross section of a parasitic field transistor in an n-well structure.調整VT的方法：3. 加基板偏壓調整VT的方法：4. 選擇適當的閘極材料l利用調整功函數差來控制VTFigure 6.22. Threshold voltage adjustment using substrate bias.。