
高温蠕变机制.ppt
8页蠕变1 蠕变现象和蠕变曲线 当温度T≥(0.3~0.5)Tm(Tm为熔点,单位为K)时,金属材料在恒载荷的持续作用下,发生与时间相关的塑性变形,称为蠕变 相应的应变与时间关系曲线称为蠕变曲线 金属材料的典型蠕变曲线如图(1)所示 图(1) 典型蠕变曲线 2 蠕变产生的机理 蠕变理论的基础是晶体缺陷的运动, 各种形式的晶体缺陷的运动都与热活化控制相关 针对材料的高温蠕变,提出了解释材料产生蠕变的三种机理,分别为扩散蠕变机理、晶格机理和晶界滑移机理 1)扩散蠕变机理 该机理认为材料内部的空位浓度差是产生蠕变的主要原因; 并且认为空位浓度的变化量与材料的外加应力成正比, 同时晶界对空位的消失和产生起主要作用 由于位错、晶界等非平衡缺陷的存在,在外界应力的作用下,实际材料中原子的力化学势场 分布并不均匀相等,从而导致不同区域之间原子扩散流的产生,材料发生扩散蠕变晶界上的张应力使空位的浓度增加到 c=c0exp(/kT)压应力使浓度减少到: c=c0exp(- /kT)式中: 为空位体积,c0为平衡浓度。
应力造成空位浓度差,质点由高浓度向低浓度扩散,即原子迁移到平行于压应力的晶界,导致晶粒伸长,引起形变 图(2) 扩散蠕变2)晶格机理 晶格机理是由于晶体内部的自扩散而使位错进行攀移在一定温度下,热运动的晶体中存在一定数量空位和间隙原子;位错线处一列原子由于热运动移去成为间隙原子或吸收空位而移去;位错线移上一个滑移面或其他处的间隙原子移入而增添一列原子,使错位线向下移一个滑移面 位错在垂直滑移面方向的运动称为位错的攀移运动,见图(3)图(3) 位错攀移实际生产中利用位错的爬移运动来消除位错位错爬移时,应变速率: U=Anexp(-Q/RT)= Anexp(S /R)exp(- H/RT)式中,Q为自扩散激活能;△S为熵;△H为自扩散激活焓 该方程为杜恩和魏脱迈方程位错爬移是第二阶段蠕变的发生机理,当温度、应力恒定时,应变速率为一常数滑移和爬移的区别:滑移与外力有关;爬移与晶体中的空位和间隙原子有关3)晶界蠕变理论 晶界对蠕变速率有两种影响:①高温下,晶界能彼此相对滑动,使剪应力得到松弛;② 晶界本身是位错源,离晶界约为一个障碍物间距内的位错会消失。
说明: 大角度晶界是晶格匹配差的区域,可以认为是晶粒之间的非晶态结构区域 在高温下,晶界表现为粘滞性 扩散蠕变与晶界蠕变是互动的如果蠕变由扩散过程产生,为了保持晶粒聚在一起,就要求晶界滑动;另一方面,如果蠕变起因于晶界滑动,要求扩散过程来调整。
