干膜培训教材(SES).ppt

单击此处编辑母版标题样式,2021/9/27,*,*,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,干膜介绍及干膜工艺培训教材,2021/9/27,1,主要内容安排：,1.干膜介绍及发展趋势,2.线路板图形制作工艺,(以SES流程为例),3.基本工艺要求,4.各工序注意事项,5.常见缺陷图片及成因,6.讨论,2021/9/27,2,1.,干膜介绍及发展趋势,干膜,(Dry Film),的用途：,干膜是一种感光材料，,是,PCB,生产中的重要物料，用于线路板图形的转移制作近几年也开始广泛应用于选择性化金、电镀金工艺干膜的特性：,感光聚合、感光后耐酸不耐碱、不导电，因此可用作抗蚀层或抗电镀层2021/9/27,3,1.,干膜介绍及发展趋势,干膜的结构,2021/9/27,4,1.,干膜介绍及发展趋势,干膜的主要成分,:,2021/9/27,5,1.,干膜介绍及发展趋势,干膜性能的评估,解晰度,附着力,盖孔能力,填凹陷能力,其他,2021/9/27,6,1.,干膜介绍及发展趋势,为了达到线路板,的多层和高密度要求,，目前干膜一般解像度,要达到线宽间距（/）在50/50,um但在半导体包装（,BGA,CSP),上,，线路板一般设计在,L/S,在 25-40,um。

必需,要高解像度的干膜（,L/S=10/10 um）为了满足客户要求,、我们公司目前新型干膜的解像度可达到,L/S=7.5/7.5 um干膜的发展趋势,2021/9/27,7,1.,干膜介绍及发展趋势,解晰度测试:45/45微米,SEM:45/45微米,2021/9/27,8,1.,干膜介绍及发展趋势,25um Dry Film，L/S=7.5/7.5um,2021/9/27,9,干膜介绍及发展趋势,ASAHI,干膜主要型号及特点,干膜型号,厚度,(um),特点,YQ-40SD,YQ-40PN,40,针对,SES,流程具有良好的盖孔、耐酸性、抗电镀性能等,YQ-30SD,30,适用于,DES,流程，主要用于内层制作，解析度方面较好,YQ-50SD,50,针对,SES,流程具有良好的盖孔、耐酸性、抗电镀性能、减少电镀夹膜问题等特点,AQ-4088,40,针对,DES,流程具有良好的盖孔、耐酸性、追从性等特点,也适用于电镀流程.,SPG-152,15,适用于生产,1.5mil,的精细线路,ADV-401,40,适合于,LDI,工艺,2021/9/27,10,两种镀,通孔线路板制作的比较,贴膜,曝,光,电镀铜/锡或锡/铅,蚀板,去膜,碱性蚀板,脱锡或锡/铅,基铜,玻璃纤维底料,曝,光原件,干膜,Tenting,制程,SES,制程,研磨,全板电镀铜,显影,2.线路板图形制作工艺,2021/9/27,11,SES,流程基本工艺,基铜,玻璃纤维底料,全板电镀铜,贴膜,曝光,曝,光原件,显影,电镀铜锡,或铜锡/铅,去膜,碱性蚀板,脱锡或锡/铅,2.线路板图形制作工艺,2021/9/27,12,SES,工艺流程详细介绍,前处理的作用：去除铜表面的氧化,油污,清洁、粗化铜面，以增大干膜在铜面上的附着力。

前处理的种类：化学微蚀、物理磨板、喷砂处理（火山灰、氧化铝）典型前处理工艺流程：,酸洗水洗磨板水洗微蚀水洗水洗烘干,前处理：,2021/9/27,13,贴膜：,贴膜的作用：是将干膜贴在粗化的铜面上贴膜机将干膜通过热压辘与铜面附着，同时撕掉PE膜SES,工艺流程详细介绍,2021/9/27,14,曝光：,曝光的作用是曝光机的紫外线通过底片使干膜上部分图形感光，从而使图形转移到铜面上干膜,Cu,基材,底片,SES,工艺流程详细介绍,2021/9/27,15,SES,工艺流程详细介绍,曝光反应机理,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,单体,聚合体主链,起始剂,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,反应核心,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,紫外线,聚合反应,图形原件,干膜层,Substrate,a,b,曝,光,单体,2021/9/27,16,显影：,SES,工艺流程详细介绍,显影的作用：,将未曝光部分的干膜去掉，留下感光的部分。

显影的原理：,未曝光部分的感光材料没有发生聚合反应，遇弱碱Na,2,CO,3,（0.8-1.2%)或K,2,CO,3,溶解而聚合的感光材料则留在板面上，保护下面的铜面不被蚀刻药水溶解2021/9/27,17,SES,工艺流程详细介绍,显影,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,N,a,2,C,O,3,H,2,O,(,乳化,),单体,聚合体主链,起始剂,N,a,+,N,a,+,N,a,+,N,a,+,N,a,+,N,a,+,N,a,+,C,O,O,-,C,O,O,-,C,O,O,-,C,O,O,-,C,O,O,-,C,O,O,-,C,O,O,-,显影,C,O,O,H,N,a,2,C,O,3,C,O,O,-,N,a,+,N,a,H,C,O,3,H,2,O,H,2,O,显影反应机理,2021/9/27,18,电镀铜锡/锡铅:,SES,工艺流程详细介绍,电镀的作用：,将我们所需要的图形处的铜层进行加厚，并且在铜面上镀上一层抗蚀刻层（即锡或锡铅）2021/9/27,19,去膜：,SES,工艺流程详细介绍,去膜的作用：,通过强碱溶液（一般为NaOH溶液，浓度为2-3%）将覆盖在铜面上抗电镀的干膜去掉。

2021/9/27,20,SES,工艺流程详细介绍,去膜：,去膜的原理：,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,H,C,O,O,C,O,O,C,O,O,C,O,O,C,O,O,C,O,O,C,O,O,C,O,O,H,C,O,O,C,O,O,C,O,O,N,a,N,a,N,a,N,a,N,a,N,a,N,a,N,a,N,a,N,a,N,a,去膜,N,a,O,H,/,H,2,O,R,e,l,a,x,a,t,i,o,n,2021/9/27,21,SES,工艺流程详细介绍,蚀刻：,蚀刻的作用：,用蚀刻液将非线路图形部分的铜面蚀刻掉，而在锡或锡铅下的铜则不能被蚀刻2021/9/27,22,SES,工艺流程详细介绍,去锡/锡铅：,去锡/锡铅的作用：,用去锡/锡铅药液将锡/锡铅去掉，露出需要的线路2021/9/27,23,3.,基本工艺要求,前处理,刷轮目数,:#50,0,#8,00,刷轮数量,:上下两对刷轮（共支）,磨刷电流 :2,2.5,转速 :1800转/分钟,摇摆 :300次/分钟,磨痕宽度 :1015mm,微蚀量 ：0.81.2um,（一般采用SPS+硫酸或硫酸+双氧水溶液，生产,板要求较高时则采用超粗化表面处理）,酸洗浓度 ：35%硫酸溶液,2021/9/27,24,3.,基本工艺要求,前处理,水洗 :多过3个,缸,(循环水)喷淋压力：13Kgf/cm,2,吸干 :通常用2支海绵吸水辘,烘干 :热风吹风量为 4.09.0,m,3,/min,热风,的温度为8090,其它,控制项目,:,水裂点：20s,粗糙度1.5Rz20秒；,每次变更生产板厚度时要做磨痕测试。

2021/9/27,32,4.,各工序注意事项,贴膜,贴膜压辘各处温度均匀；,定期测定贴膜压辘的温度；,（2H/1次）,贴膜上下压辘要平行；,贴膜压辘上无油污或膜碎等杂物；,清洁压辘上异物时不可用尖锐或硬的工具；,贴膜不可超出板边；,干膜不可超过有效期内2021/9/27,33,4.,各工序注意事项,曝光,曝光能量均匀性,90,%；,每2H测定曝光能量；,抽真空时间不能太短，防止曝光不良；,曝光台面温度太高会造成底片变形；,板面、底片或曝光台面不能有脏点；,干膜、底片小心操作，防止划伤；,曝光机空气过滤芯定期清洁或更换2021/9/27,34,4.,各工序注意事项,显影,各段喷嘴不能堵塞；,显影液要定期更换，需要有自动添加，保证不能超过药水负载量；,各段滚轮上不能有油污等杂物；,烘干后板子表面、孔内无水渍2021/9/27,35,4.,各工序注意事项,去膜,各段喷嘴不能堵塞；,去膜液浓度不可超出控制范围；,去膜液要定期更换，需要有自动添加，保证不能超过药水负载量；,去膜段干膜过滤系统工作良好，并定期清理膜碎；,去膜后水洗干净，板子表面不能有残膜；,吹干段不能有大量水带入蚀刻段2021/9/27,36,5.,常见缺陷图片及成因,短路,(划伤造成),短路,(,去膜不净,),短路,(,銅渣造成,),短路,(,銅渣造成,短路,(,銅渣造成),短路,(,膜下雜物,),短路,(,膜下銅渣,),短路,(,銅渣造成,),短路,(,滲鍍,),2021/9/27,37,5.,常见缺陷图片及成因,開路,(,膜碎造成,),開路,(,膜碎造成,),開路,(,膜碎造成,),開路,(,膜碎造成,),劃傷,蝕刻後,劃傷,蝕刻後,凸起,雜物造成,缺口,膜碎造成,2021/9/27,38,6.,讨论,2021/9/27,39,谢 谢 大 家！,2021/9/27,40,。