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完整版)电子技术基础习题答案.docx 第 1 章检测题（共101分，120分钟） 一、填空题：（每空 0.5 分，共 25 分） 1、N 型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的这种半导体内的多数载流子 为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电 2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极 3、PN 结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电 场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流 4、PN 结形成的过程中，P 型半导体中的多数载流子由P 向N 区进行扩散， N 型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散扩散的结果使它们的交界处建立起 一个空间电荷区，其方向由N 区指向P 区。

空间电荷区的建立，对多数载流子的 扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN 结形成 5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R× 1K 档位，当检测时表针偏转度较 大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已 经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化 6、单极型晶体管又称为场效应（ MOS ）管其导电沟道分有N 沟道和 P 沟道 7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲 线的反向击穿区 8、 MOS 管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接 二、判断正误：（每小题 1 分，共 10 分） 1、 P 型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P 型半导体呈负电性错） 2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子对） 3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K 档位错） 4 、 PN 结正向偏置时，其内外电场方向一致。

PN 结反向偏置时，其内外电场方向一致）（错） 本文来源：网络收集与整理，如有侵权，请联系作者删除，谢谢！第2页 共2页第 2 页 共 2 页第 2 页 共 2 页第 2 页 共 2 页第 2 页 共 2 页第 2 页 共 2 页第 2 页 共 2 页第 2 页 共 2 页第 2 页 共 2 页第 2 页 共 2 页第 2 页 共 2 页。