西邮半导体物理试卷答案
6页1、、名词解释:(3X6=18分)初基原胞:又称初基晶胞或固体物理学原胞,是布拉非格子中的最小周期单 元,也是体积最小的晶胞。直接带隙半导体:导带底和价带顶在同一波矢位置的半导体。格波态密度:确定体积V的晶体,在3附近单位频率间隔内的格波总数。杂质补偿半导体:同时含有施主杂质和受主杂质,施主和受主在导电性能上有互相抵消的作用半导体,通常称为杂质补偿半导体。 迁移率:载流子在单位电场作用下的平均漂移速度。内建电势差:N型半导体和P型半导体接触形成PN节时,N区导带内的电子 在试图进入 P 区导带时遇到一个势垒,这个势垒称为内建电势差。单电子近似:假设每个电子是在周期排列且固定不动的原子核势场及其它电子 的平均势场中运动,用其研究固态晶体中电子的能量状态。电子共有化运动:原子组成晶体以后,由于电子壳层的交叠,电子不再完全局 限在某一个原子上,可以由一个原子转移到相临的原子上去,电子在整个晶体上 运动,该运动叫电子的共有化运动。替位式杂质:杂质原子取代晶格原子而位于在晶格点处,常称为替位杂质。 非平衡载流子的寿命:非平衡载流子的浓度减小到原值的 1/e 所经历的时间。 陷阱效应:当半导体处于非平
2、衡状态时,杂质能级上的发生改变。如果电子增 加,说明能级具有收容非平衡电子的作用;若电子减少,说明能级具有收容空穴 的作用,杂质能级的这种积累非平衡载流子的作用称陷阱效应。杂质的补偿:假如在半导体中,同时存在着受主和施主杂质,两者之间相互抵 消的作用。二、填空题:(1X22 =22分)1、在简并半导体中,由于电子的共有化运动而导致电子不再属于某一个原子而 是在晶体中作共有化运动,分裂的每个能带称为允带,其相互之间因没 有能级称为_禁带_。2、杂质原子进入半导基体(如硅、锗等)后,可能以两种方式存在,一种是杂质原子位于晶格原子间的位置,常称为间隙式杂质;另一种方式是杂质原 子取代晶格原子而位于晶格点处,称为替位式杂质。3、位错是半导体的一种缺陷,它对半导体材料和器件的性能会产生严重的影响。 在棱位错的周围会导致原子间的压缩和伸张,晶格压缩区禁带宽度变宽_; 伸张区禁带宽度 变窄 。4、有效质量概括的是粒子在晶体内部内力作用下的质量,电子在能带顶的有效 质量为负 值,空穴在能带顶的有效质量为正 值。5、根据掺杂原子在晶格中的位置不同,可分为 替位式 和 间隙式 杂 质。6、 载流子速度随外
3、加电场强度线性增加,总速度包括漂移运动度和随机热运动速度两者之和。7、 载流子的复合主要包括:直接 带间 复合和 带隙复合两大类。8、 内建电势差的大小主要取决于:热电压、施主杂质浓度和受主杂质浓度三大类。9、 空间电荷区的宽度:随杂质的浓度增加而,随反偏电压的增大而。10、 形成PN结反向击穿的机制主要有:雪崩击穿 和 齐纳击穿两种。11、 在半导体中,电流主要是由载流子的 漂移 、 扩散 两种运动 形式的构成。5、对于一定的半导体材料,电子和孔穴的浓度乘积n p只决定于温度 ,0 0和 费米能级 以及杂质无关。6、对于n型半导体,当低温弱电离时,多数载流子电子的浓度n在数值上等于0电离的施主浓度 ;在强电离时,电子的浓度n为 施主的掺杂浓度 。07、 对于基体材料一定的n型半导体,费米能级将随着 掺杂浓度的增加 向上偏移,随 温度 升高向下偏移。8、重掺杂的简并半导体,杂质的浓度很高,杂质原子相互间很靠近,被杂质原子束缚的电子波函数显著重叠,杂质电子就可能在杂质原子之间产生有 化运动 ,从而使孤立的杂质能级扩展为能带,通常称为杂质的能带。9、载流子在复合的过程中,一定要释放多余的能
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