模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第五章

1、第5章放大电路的频率响应自测题一、选择正确答案填入空内。(1) 测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是(A )。A.输入电压幅值不变，改变频率B输入电压频率不变，改变幅值C.输入电压的幅值与频率同时变化(2) 放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是(B )，而低频信号作用时放大倍数 数值下降的原因是(A )。A. 耦合电容和旁路电容的存在c.半导体管的非线性特性B. 半导体管极间电容和分布电容的存在 D.放大电路的静态工作点不合适(3) 当信号频率等于放大电路的fL或fH时，放大倍数的值约下降到中频时的(B )。A. 0.5 倍；B. 0.7 倍；C. 0.9 倍即增益下降(A )。A. 3dBB. 4dB;C. 5dB(4)对于单管共射放大电路，当f =fL时，Uo与U.相位关系是(C )。A . + 45。B. -90oC. 135。当f =fH时，U。与U.相位关系是(C )。A . 45。B. 135。C. 225。二、电路如图T5.2所示。已知：V =12V；晶体管的C =4pF, fT=50MHz，厂，=10。Q，从CC卩Tbb0=80

2、。试求解：(1)中频电压放大倍数A ； (2) C；f和f ； (4)画出波特图。usm兀LHO申-90-135 180-225-270/Hz45175莎/Hz解图T5.2图 T5.2解：(1)静态及动态的分析估算：I = (1+ B ) Iu 1.8 mAEQBQV - UI =亠 beq u 22.6卩 A ；BQ RbU = V -1 R U 3V ；CEQ CC CQ c=(1+B )響EQU 117k Qr = r + (1+ p )26mV 沁 1.27kQ ；R = r / R 沁 1.27kQbe bbIEQi be bR rA = i + (-g R )178 usm R + R rm ei s be估算Cfp0fT 2 兀 rC + C )b b冗卩C = C + (1+ g R C 兀兀me卩(3)求解上限、下限截止频率：C 匕 -C214 pF ； 兀 2兀r f卩b e T16pFR = r /(r + R / R )b eb bs br /(r + R )567Q。b eb bs2k (R + R )C 14HZ s i在中频段的增益：20lg |A45dB

3、。usm频率特性曲线如解图T5.2所示。三、已知某放大电路的波特图如图T5.3所示，填空:um=(60 )dB, A =(um103 )。(2) 电路的下限频率f(10 )Hz，上限频率f(10 ) kHz。LH(3) 电路的电压放大倍数的表达式100 jf人103)。(A =u (1+巴)(1+ jf )(1+ j 厶(1+ jf )(1+ j )(1+ j )jf104丿 105，丿 10 八丿 104 八 7 105201gUJ/dB60402020dB/f倍频-20dB/+倍频10 io1 102 103 io4 1 05 1 06/Hz图 T5.3说明：该放大电路的中频放大倍数可能为“+” ，也可能为“”。习题5.1在图P51所示电路中，已知晶体管的r八C、 bb卩C，R r 。兀i be基本不变、减小。填空：除要求填写表达式的之外，其余各空填入增大、（1）在空载情况下，下限频率的表达式f -（L2兀(R + R / r )Cs b be 1）。当RS减小时,f将（）；当带上负载电阻后，f将（LL）。）。兀则上限频率的表达式（2）在空载情况下，若b-e间等效电容为C，兀H X

4、 （2兀r /（r + R / R ）C）；当R为零时f将（）；当Rb减小时,&mbbb e -将（）,C将（）,f将（H5. 2已知某电路的波特图如图P5.2所示，试写出A的表达式。u解：设电路为基本共射放大电路或基本共源放大电路。A32-3.2 jfA uuu(1+10)(1+ j 丄)(1+ jf )(1+ j丄)jf105101055.3已知某共射放大电路的波特图如图P5.3所示，试写出A的表达式。u201gUHS|/dB-20dB/+倍频4030201020dB/十倍频|40dB/十倍频 2 5x1Q5IIIIill0 io-1 io io1 io2 io3 io4 io5 io7/hz图P53解：观察波特图可知，中频电压增益为40dB ,即中频放大倍数为-100 ；下限截止频率为1Hz和10Hz,上限截止频率为250kHz。故电路A的表达式为:uAu_+10f2_（1+# ）（1+j 3+jf）5.4已知某电路的幅频特性如图P5.4所示，试问：(1)该电路的耦合方式；(2)该电路由 几级放大电路组成；(3)当f =104HZ时，附加相移为多少？当f =105HZ时，附加相移

5、又约为 多少？ (4)该电路的上限频率f为多少？H解：(1)因为下限截止频率为0,所以电路为直接耦合电路；(2)因为在高频段幅频特性为-60dB/十倍频，所以电路为三级放大电路;当f=104Hz时,0 = 45o x 3 = 135o ；当 f=105Hz 时,0 = -90o x 3 = -270o。(4)该电路的Au 103；上限频率为f u(1+ j104)3Hu 5.2kHz5.5已知某电路电压放大倍数：Au-10 jf（1+ j 币KE j 莎）画出波特图。试求解：Aum解: (1)变换电压放大倍数的表达式，求出A、/和打。-100-j话-10 jf a _M（1+ j 话）（1+ j t0t）um（1+ j 新1+ j 扫）f = 105 Hz。H:.A =-100 ；f = 10 Hz；umL(2)波特图如解图P55所示。401.11 孑I 3oFIFZ/Ho60402009(THO* 10?103104105106 /Hz-45-90-135D -180T 225 -270/HzH!1 i i ! I .7 rJ450 -45 -90-135a-180解图P5.5解图P

6、5.656已知两级共射放大电路的电压放大倍数200fA =U(1+ j 护 + j 盘)(1+ j*)(1) Aum画出波特图。解：(1)变换电压放大倍数的表达式，求出A 、f和f。umLH200jfA =(1+ j )(1+ j 莎)(1+ j 2.5X10 5)(1+ jT)(1+ j 莎4(1+ j 2.5 x10 )5:.A = 103 ； f = 5 Hz f 沁 104Hz。 umLH(2)波特图如解图P5.6所示。5.7电路如图P5.7所示。已知：晶体管的、八C均相等，所有电容的容量均相等, bb卩静态时所有电路中晶体管的发射极电流ieq均相等。定性分析各电路，将结论填入空内。(a)(1) 低频特性最差即下限频率最咼的电路是(a )。(2) 低频特性最好即下限频率最低的电路是(c )。(3) 咼频特性最差即上限频率最低的电路是(c )。58在图P57(b)所示电路中,若要求C1与C2所在回路的时间常数相等,且已知rbe = lk Q,则C : C =?若与C2所在回路的时间常数均为25ms ,则q、C2各为多少？下限频率f =?121212L解: (1)求解 C : C1

7、 2因为C (R + R ) = C - (R + R )将电阻值代入上式，求出：C : C = 5:1。1 si2 c L12(2)求解C、C2的容量和下限频率12.5 pF ；fL1 = fL 22kt6.4Hz ；Hi59在图P5.7 (a)所示电路中，若C突然开路，则中频电压放大倍数A 、f和f各 eusmHL产生什么变化(是增大、减小、还是基本不变)？为什么？解：A 将减小。因为在同样幅值的U作用下，I |将减小，|I |随之减小，|U |必 usmib I c I1 o1然减小。f减小。因为少了一个影响低频特性的电容。Lf增大。因为C会因电压放大倍数数值的减小而大大减小，所以虽然C所在回 H兀兀路的等效电阻有所增大，但时间常数仍会减小很多，故f增大。H5.10电路如图P5.10所示，已知 C = C = 5pF, g = 5mS ,gsgdmC = C = C = 10 p F o12s试求f、f各约为多少,图 P5.10并写出A的表达式。us解：f、f和A的表达式分析如下:HLusRA = T (-g R) U-g R u-12.4 usm R + Ri sC = C +(1+ g R )C u72pF gs gsm L gdfH = 2n (R / R )C 2兀RC 1.1MHzg s gss gsA U(1+ j 16)(1+ j 1.1X 106 )5.11 在图 5.4.7(a)所示电路中，已知R = 2MQ， R = R = 10kQ， C = 10F ；场gdL效应管的C = C = 4pF , g = 4mS。试画出电路的波特图，并标出有关数据。gs gdm解：A =-g R- u-20,20lg |A u 26dBumm L umC = C + (1+ g R )C u 88pF gsgsm L gd1u 0,7 9Hzu 2 兀(R + R Cd Lu 904Hzggs其波特图参考解图P5.5 。5.12已知一个两级放大电路各级电压放大倍数分别为:Au

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