自贡碳化硅项目申请报告_范文参考
115页1、泓域咨询/自贡碳化硅项目申请报告目录第一章 项目背景分析7一、 主逆变器:800V系统下SiCMOSFET大显身手,降低主逆变器损耗及体积7二、 光伏:SiC光伏逆变器性能提升显著,广泛应用未来可期8三、 预计2025年全球新能源汽车SiC市场规模将达到30.1亿美元9四、 打造产业集聚发展新高地9第二章 市场分析13一、 碳化硅较硅更能满足高温、高压、高频等需求,下游应用领域广泛13二、 直流充电桩:大功率充电占比提升,SiC将加速替代14第三章 项目概况16一、 项目名称及项目单位16二、 项目建设地点16三、 可行性研究范围16四、 编制依据和技术原则17五、 建设背景、规模18六、 项目建设进度19七、 环境影响19八、 建设投资估算19九、 项目主要技术经济指标20主要经济指标一览表20十、 主要结论及建议22第四章 产品方案分析23一、 建设规模及主要建设内容23二、 产品规划方案及生产纲领23产品规划方案一览表23第五章 建筑工程技术方案25一、 项目工程设计总体要求25二、 建设方案26三、 建筑工程建设指标27建筑工程投资一览表28第六章 运营模式30一、 公司经营宗
2、旨30二、 公司的目标、主要职责30三、 各部门职责及权限31四、 财务会计制度34第七章 发展规划38一、 公司发展规划38二、 保障措施39第八章 法人治理结构41一、 股东权利及义务41二、 董事44三、 高级管理人员48四、 监事51第九章 SWOT分析54一、 优势分析(S)54二、 劣势分析(W)56三、 机会分析(O)56四、 威胁分析(T)58第十章 项目节能说明62一、 项目节能概述62二、 能源消费种类和数量分析63能耗分析一览表63三、 项目节能措施64四、 节能综合评价65第十一章 原辅材料供应及成品管理67一、 项目建设期原辅材料供应情况67二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理67第十二章 技术方案68一、 企业技术研发分析68二、 项目技术工艺分析71三、 质量管理72四、 设备选型方案73主要设备购置一览表74第十三章 投资估算及资金筹措75一、 编制说明75二、 建设投资75建筑工程投资一览表76主要设备购置一览表77建设投资估算表78三、 建设期利息79建设期利息估算表79固定资产投资估算表80四、 流动资金81流动资金估算表82五、 项目总投资83
3、总投资及构成一览表83六、 资金筹措与投资计划84项目投资计划与资金筹措一览表84第十四章 项目经济效益分析86一、 经济评价财务测算86营业收入、税金及附加和增值税估算表86综合总成本费用估算表87固定资产折旧费估算表88无形资产和其他资产摊销估算表89利润及利润分配表91二、 项目盈利能力分析91项目投资现金流量表93三、 偿债能力分析94借款还本付息计划表95第十五章 风险风险及应对措施97一、 项目风险分析97二、 项目风险对策99第十六章 总结102第十七章 补充表格104主要经济指标一览表104建设投资估算表105建设期利息估算表106固定资产投资估算表107流动资金估算表108总投资及构成一览表109项目投资计划与资金筹措一览表110营业收入、税金及附加和增值税估算表111综合总成本费用估算表111利润及利润分配表112项目投资现金流量表113借款还本付息计划表115本报告基于可信的公开资料,参考行业研究模型,旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。第一章 项目背景分析一、 主逆变器:800V系统下SiCMOSFET大显身手,降低主逆
4、变器损耗及体积目前已有多家车企在主逆变器中采用SiCMOSFET方案替代IGBT方案,如特斯拉Model3、比亚迪汉高性能版等。Model3共用到48颗意法半导体的SiCMOSFET,如果仍采用ModelX的英飞凌的IGBT,则需要54-60颗。即使成本上升370美金左右(按照艾睿供应商网站价格计算,实际大批量采购价格更低),但特斯拉考虑到损耗降低及体积节约等因素而选择SiC方案。800V架构下SiCMOSFET在新能源车的主逆变器中渗透率将进一步提升。考虑到成本因素,会率先在中高端车型上使用。1)损耗更低:根据ST的数据,800V系统下,1200VSiCMOSFET较IGBT总损耗更低,在常用的25%负载下,SiCMOSFET损耗最多低于IGBT80%,在100%负载下,SiCMOSFET损耗最多低于IGBT60%。2)高压下性能优势更加明显:在400V左右的直流母线电压下,需要最大工作电压在650V左右的IGBT模块或单管。在800V的系统电压下,功率器件耐压需要提高到1200V以上。英飞凌、赛美控、罗姆、富士电机等均推出了1200V的车规级IGBT,但对比之下,SiC器件在高压下
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