电工学电子技术复习资料带答案
10页1、一选择填空1在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 C ,而少数载流子的浓度则与 A 有很大关系。A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷2P型半导体中空穴是 A ,带 C 电;自由电子是 B ,带 D 电。A.多数载流子 B. 少数载流子 C. 正 D. 负3N型半导体 C ,P型半导体 C 。A.带正电 B.带负电 C.呈中性 4当PN结外加正向电压作用下,内电场 B ;扩散电流 C 漂移电流。A.增强 B.削弱 C.大于 D.小于 5当PN结外加正向电压时,扩散电流 A 漂移电流,耗尽层 E 。A.大于 B.小于 C.等于 D.变宽 E.变窄 F.不变6用万用表直流电压档,测得电路中晶体管各电极相对于参考点“地”的电位如右图所示。从而判断出该晶体三 极管工作在 C 状态。A.倒置 B.截止 C.饱和 D.放大7温度升高后,半导体三极管的电流放大系数将 A ,穿透电流ICEO A 。A.变大 B.变小 C.不变8三极管的穿透电流ICEO是集基反向饱和电流ICBO的 C 倍,在选用管子时,一般希望ICEO尽量 D 。A.1/ B. C.(1) D.小 E.大9右图所示电
2、路中,稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为6V和7V,正向压降均为0.7V,且具有理想的稳压特性,则输出电压U0为 D 。A.6V B.7V C.13V D.1V10设硅稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和8V,正向压降均为0.7V,则右图电路的输出电压U0为 C 。 A.5V B.8V C.13V D.3V11某三极管PCM=100mW,ICM=20mA,U(BR)CEO=15V,能正常工作的是 A 。A. UCE=3V,IC=10mA B. UCE=2V,IC=40mA C. UCE=6V,IC=20mA D. UCE=20V,IC=4mA12三极管工作在饱和区时,b-e极间为 A ,b-c极间为 A ;工作在放大区时,b-e极间为 A ,b-c极间为 B ;工作在截止区时,b-e极间为 B ,b-c极间为 B 。A.正向偏置 B. 反向偏置 C.零偏置13.单级放大电路中,若输入为正弦波形,用示波器观察uo和ui的波形。当放大电路为共射电路时,则uo和ui的相位 B ;当为共集电极电路时,则uo和ui的相位 A 。A.同相 B.反相 C.相差900 D.不定14差动放大电路
3、,当ui1300mV, ui2=200mV时,分解为共模输入信号uic C ,一对差模输入信号uid1uid2 D 。A.500mV B.100mV C.250mV D.50 mV15. 如果要求输出电压U0基本稳定,并能减小输入电阻,应引入 B 负反馈。A.串联电压负反馈 B.并联电压负反馈C.串联电流负反馈 D.并联电流负反馈16. 如果要求输出电流I0基本稳定,并能提高输入电阻,应引入 C 负反馈。A.串联电压负反馈 B.并联电压负反馈C.串联电流负反馈 D.并联电流负反馈17在图示电路中,若U2=20V,则UO= B 。 A.20V B.18V C.9V D.24V18. 图示整流电路中,由于整流管是串联的,故每管的 最大反向电压URM为 C 。 A. B. C. D.19TTL与非门电路的电源电压值、输出电压的高、低电平值依次为 A 。A.5V, 3.6V, 0.3V B.10V, 3.6V, 0.3V C.5V, 1.4V, 0.3V20. 三态与非门输出端的第三种状态指的是 A 。A.高阻状态 B.饱和状态 C.高电平状态 D. 低电平状态二填空1硅二极管的死区电压约 0
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