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MOS管的电容特性

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卖家[上传人]：s9****2

文档编号：485729534

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1、从图九可以君曲功率管的寄生电容分布情况，电容的大小由功率晋的结构，材料和所加的电压决定这些电容翅庚无关.所哦功專筲的开关谏底对淘度不越虧除阀值归压至温度夥响产主前孜T改应外、OGatQSoinceDi泗图g”功車管的电窖律布图由于器件里的耗尽层受到了电压影响，电容Cgs和Cgd随着所加电压的变化而变化。然而相对于Cgd，Cgs受电压的影响非常小，Cgd受电压影响程度是Cgs的100倍以上。如图10所示为一个从电路角度所看到的本征电容。受栅漏和栅源电容的影响，感应到的dv/dt会导致功率管开启。图10.功率管的本征电容简单的说，Cgd越小对由于dv/dt所导致的功率管开启的影响越少。同样Cgs和Cgd形成了电容分压器，当Cgs与Cgd比值大到某个值的时候可以消除dv/dt所带来的影响，阈值电压乘以这个比值就是可以消除dv/dt所导致功率管开启的最佳因数，APT功率MOSFET在这方面领先这个行业。Ciss:输入电容将漏源短接，用交流信号测得的栅极和源极之间的电容就是输入电容。Ciss是由栅漏电容Cgd和栅源电容Cgs并联而成，或者Ciss=Cgs+Cgd当输入电容充电致阈值电压时器件才能

2、开启，放电致一定值时器件才可以关断。因此驱动电路和Ciss对器件的开启和关断延时有着直接的影响。Coss:输出电容将栅源短接，用交流信号测得的漏极和源极之间的电容就是输出电容。Coss是由漏源电容Cds和栅漏电容Cgd并联而成，或者Coss=Cds+Cgd对于软开关的应用，Coss非常重要，因为它可能引起电路的谐振Crss:反向传输电容在源极接地的情况下，测得的漏极和栅极之间的电容为反向传输电容。反向传输电容等同于栅漏电容。Cres=?Cgd反向传输电容也常叫做米勒电容，对于开关的上升和下降时间来说是其中一个重要的参数,他还影响这关断延时时间。图11是电容的典型值随漏源电压的变化曲线.10.000O.11.占户T5OM75B2LL的也津盹雌图11.APT50M75B2LL的电容VS电压曲线电容随着漏源电压的增加而减小，尤其是输出电容和反向传输电容。Qgs,Qgd,和Qg:栅电荷栅电荷值反应存储在端子间电容上的电荷，既然开关的瞬间，电容上的电荷随电压的变化而变化，所以设计栅驱动电路时经常要考虑栅电荷的影响。请看图12，Qgs从0电荷开始到第一个拐点处，Qgd是从第一个拐点到第二个拐点之间部分(也叫做“米勒”电荷)，Qg是从0点到vGS等于一个特定的驱动电压的部分。宀-u&umcmub-cGycCharge(nc)禽也悪邁追織电斌洽厳数聆皴漏电流和漏源电压的变化对栅电荷值影响比较小，而且栅电荷不随温度的变化。测试条件是规定好的。栅电荷的曲线图体现在数据表中，包括固定漏电流和变化漏源电压情况下所对应的栅电荷变化曲线。在图12中平台电压VGS(pl)随着电流的增大增加的比较小(随着电流的降低也会降低)。平台电压也正比于阈值电压，所以不同的阈值电压将会产生不同的平台电压。

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