模拟电子技术(模电)模拟试题
97页1、模拟电路复习预习方法:1、 掌握基本理论:二极管、三极管的特点和用途,反馈的定义、分类、判断,功率放大的原理与分类,滤波器的基本原理,波形发生器的原理与能否起震的判断,直流电源的基本原理及构成。2、 掌握的计算:三极管放大电路的静态、动态分析,集成远放的相关计算,振荡电路频率计算,直流电源的简单计算。3、 除开本次提供的例题外同学们要重点复习预习课本习题。习题一、半导体二极管及其应用1本征半导体中的自由电子浓度_空穴浓度 a大于 b 小于 c 等于 答案:C2.在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于_a温度 b 材料 c掺杂工艺 d掺杂浓度 答案:B3.在掺杂半导体中,少子的浓度受_的影响很大 a 温度 b掺杂工艺 c 掺杂浓度 答案:C4.在掺杂半导体中,多子的浓度越高,少子的浓度越_a 高 b 低 c不变 答案:B5.N 型半导体_a 带正电 b 带负电 c 呈中性 答案:C6.温度升高 N 型半导体的电阻率将_a 增大 b 减小 c 不变 答案:C7. 当 PN 结正向偏置时,耗尽层将_a 不变 b 变宽小于 c 变窄 答案:C8.当环境温度升高时,二极管的正向电压将 a 升高 b
2、 降低 c 不变 答案:b9.当环境温度升高时,二极管的死区电压将_a 升高 b 降低 c 不变 答案:b10.当环境温度升高时,二极管的反向饱和电流将_a 增大 b 减小 c 不变 答案:a11.二极管的正向电压降一般具有_温度系数 a 正 b 负 c 零 答案:b12.确保二极管安全工作的两个主要参数分别是_和_a UD,IF b IF,IS c IF,UR答案:c13.理想二极管的主要性能指标为 _a UD=0,IR=0, b UD =0.3V ,IR=整理为word格式0 c UD =0.5V ,IR =IS答案:a13.稳压管通常工作于_,来稳定直流输出电压 a 截止区 b 正向导通区 c 反向击穿区 答案:c12.对于稳定电压为 10V 的稳压管,当环境温度升高时,其稳定电压将 _a 升高 b 降低 c 不变 答案:c13.二极管的反偏电压升高,其结电容 _a 增大 b 减小 c 不变 答案:b17.二极管正向偏置时,其结电容主要是 _a 势垒电容 b 扩散电容 c无法判断 答案:b18.锗二极管的死区电压约为 _答案:aa 0.1V b 0.2V c 0.3V 19.硅二
3、极管的完全导通后的管压降约为 _a 0.3V b 0.5V c 0.7V 答案:c20.由二极管的伏安特性可知,二极管的管压降越高,二极管的电阻越 _a 大 b 小 c 不变 答案:b22.已知二极管的静态工作点 UD 和ID ,则二极管的静态电阻为 _a UD/ID b UT /ID c UD/IS答案:a24. 一个硅二极管在正向电压UD=0.6V时,正向电流ID=10mA。若 UD增大到 0.66V ,则电流ID约 为 _a 11mA b 20mA c 100mA 答案:c26. 在上题图示电路中,若 E=8V ,当温度为 10 时测得二极管的管压降为UD =0.7V, 当温度上升到 40 时,则UD大小为 _a =0.7V b 0.7V答案: 27.在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体,加入 元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 答案:A ,C 28.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 答案:A29.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。( )答案: 30.因为N型半导体的多子是自由电
4、子,所以它带负电。( ) 答案: 31.PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。( ) 答案: 32.PN结加正向电压时,空间电荷区将整理为word格式 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 答案:A33.设二极管的端电压为U,则二极管的电流方程是 。 A. ISeU B. C. 答案:C 34.稳压管的稳压区是其工作在 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 答案:C 图P1.1135.电路如图P1.11(a)、(b)所示,稳压管的稳定电压UZ3V,R的取值合适,uI的波形如图(c)所示。试分别画出uO1和uO2的波形。 解:波形如解图P1.11所示 解图P1.1136.在以下四种整流或滤波电路中,负载时输出电压最低的是( ),二极管承受冲击电流最高的是( ),承受反向电压最高的是( );输出电压脉动最小的是( )。 A. 单相半波整流电路; B. 单相桥式整流电路; C. 单相半波整流、电容滤波电路; D. 单相桥式整流、电容滤波电路 答案:acad37.纯净的半导体叫整理为word格式 半导体。掺入3价杂质元素形成的半导体叫 型 半导体,它主要靠 导电。 答案:本
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