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太阳能电池板原理和制作

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  • 上传时间:2023-07-21
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      2、黄色的表示掺 入的硼原子,因为硼原子周围只有3个电子,所以就会产生入图所示的蓝色的空穴,这个空 穴因为没有电子而变得很不稳定,容易吸收电子而中和,形成P(positive)型半导体。 同样,掺入磷原子以后,因为磷原子有五个电子,所以就会有一个电子变得非常活跃,形成 N(negative)型半导体。黄色的为磷原子核,红色的为多余的电子。如下图。平1, - 0.9 - eL- b- -.-_一 - 9-一 - 甲-亩肉丁向 www.RoaDi ng,comP型半导体中含有较多的空穴,而N型半导体中含有较多的电子,这样,当P型和N型半 导体结合在一起时,就会在接触面形成电势差,这就是PN结。当P型和N型半导体结合在一起时,在两种半导体的交界面区域里会形成一个特 殊的薄层),界面的P型一侧带负电,N型一侧带正电。这是由于P型半导体多空穴,N型 半导体多自由电子,出现了浓度差。N区的电子会扩散到P区,P区的空穴会扩散到N区, 一旦扩散就形成了一个由N指向P的“内电场”,从而阻止扩散进行。达到平衡后,就形成 了这样一个特殊的薄层形成电势差,这就是PN结。当晶片受光后,PN结中,N型半导体的空穴往P

      3、型区移动,而P型区中的电子往 N型区移动,从而形成从N型区到P型区的电流。然后在PN结中形成电势差,这就形成了 电源。(如下图所示)SunlightMIrefl&ciiDn caaitngN-type sHiccin (P+JP-typfl eINcdh (B 4Front elEdradB 日LBach etectnxte +J肉丁向 www.RouDN删W由于半导体不是电的良导体,电子在通过p-n结后如果在半导体中流动,电阻非 常大,损耗也就非常大。但如果在上层全部涂上金属,阳光就不能通过,电流就不能产生,因此一般用金属网格覆盖p-n结(如图梳状电极),以增加入射光的面积。另外硅表面非常光亮,会反射掉大量的太阳光,不能被电池利用。为此,科学家 们给它涂上了一层反射系数非常小的保护膜(如图),实际工业生产基本都是用化学气相沉 积沉积一层氮化硅膜,厚度在1000埃左右。将反射损失减小到5%甚至更小。一个电池所 能提供的电流和电压毕竟有限,于是人们又将很多电池(通常是36个)并联或串联起来使 用,形成太阳能光电板。2.硅太阳能电池的生产流程通常的晶体硅太阳能电池是在厚度350-450Mm的高质量硅片上制成的,这种硅片从提拉 或浇铸的硅锭上锯割而成。上述方法实际消耗的硅材料更多。为了节省材料,目前制备多晶硅薄膜电池多采用化学气相 沉积法,包括低压化学气相沉积(LPCVD)和等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺。 此外,液相外延法(LPPE)和溅射沉积法也可用来制备多晶硅薄膜电池。

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