敏感陶瓷教学课件PPT.ppt

第七章第七章 敏感陶瓷敏感陶瓷 第一节第一节 敏感陶瓷概述敏感陶瓷概述湿度计湿度计烟雾报警器烟雾报警器敏感陶瓷敏感陶瓷物理量物理量变化变化电信号电信号变化变化第一节第一节 敏感陶瓷概述敏感陶瓷概述 某些陶瓷的电阻率、电动势等物理量对某些陶瓷的电阻率、电动势等物理量对热、湿、声、光、磁、电压及气体、离子的热、湿、声、光、磁、电压及气体、离子的变化特别敏感，这类陶瓷称为敏感陶瓷变化特别敏感，这类陶瓷称为敏感陶瓷敏感陶瓷定义敏感陶瓷定义第一节第一节 敏感陶瓷概述敏感陶瓷概述分类分类Ø热敏陶瓷；对温度变化敏感热敏陶瓷；对温度变化敏感Ø气敏陶瓷；对气体浓度敏感气敏陶瓷；对气体浓度敏感Ø湿敏陶瓷；对湿度敏感湿敏陶瓷；对湿度敏感Ø声敏陶瓷；对声波强度敏感声敏陶瓷；对声波强度敏感Ø光敏陶瓷；对光照强度敏感光敏陶瓷；对光照强度敏感Ø磁敏陶瓷；对磁通量和磁场信息敏感磁敏陶瓷；对磁通量和磁场信息敏感Ø压敏陶瓷压敏陶瓷. . 对电压变化敏感对电压变化敏感第一节第一节 敏感陶瓷概述敏感陶瓷概述敏感陶瓷半导化敏感陶瓷半导化绝缘陶瓷绝缘陶瓷半导体陶瓷半导体陶瓷增加载流子增加载流子电导率电导率第一节第一节 敏感陶瓷概述敏感陶瓷概述结构与性能结构与性能Ø主要利用晶粒本身主要利用晶粒本身，如，如NTCNTC热敏电阻、高温热敏电热敏电阻、高温热敏电阻、氧气传感器。

阻、氧气传感器Ø主要利用晶界，主要利用晶界，如如PTCPTC热敏电阻热敏电阻，，ZnOZnO系压敏电阻系压敏电阻Ø主要利用陶瓷表面，主要利用陶瓷表面，如各种气体传感器、湿度传如各种气体传感器、湿度传感器第一节第一节 敏感陶瓷概述敏感陶瓷概述第二节第二节 半导体半导体能带结构能带结构导体、半导体、绝缘体能带结构导体、半导体、绝缘体能带结构第二节第二节 半导体半导体本征半导体本征半导体共价晶体中的电子受到热激发共价晶体中的电子受到热激发第二节第二节 半导体半导体本征半导体本征半导体载流子浓度载流子浓度第二节第二节 半导体半导体杂质半导体杂质半导体施主杂质电子浓度施主杂质电子浓度价带价带导带导带n型半导体型半导体第二节第二节 半导体半导体杂质半导体杂质半导体受主杂质空穴浓度受主杂质空穴浓度价带价带导带导带受主能级受主能级P型半导体型半导体杂质半导体杂质半导体杂质半导体（单元素）杂质半导体（单元素）也适用于离子晶体，但离子晶体更复杂也适用于离子晶体，但离子晶体更复杂第二节第二节 半导体半导体 在能带的禁带中在能带的禁带中形成附加能级形成附加能级（施主能级和受（施主能级和受主能级），使绝缘材料变成半导体材料。

主能级），使绝缘材料变成半导体材料第三节第三节 敏感陶瓷敏感陶瓷关键：形成一定数量的载流子关键：形成一定数量的载流子敏感陶瓷半导化敏感陶瓷半导化第三节第三节 敏感陶瓷敏感陶瓷Ø 化学计量比偏离化学计量比偏离Ø 掺杂掺杂半导化方法半导化方法1、化学计量比偏离、化学计量比偏离 敏感陶瓷高温烧结时，如果烧结气氛中含氧量较敏感陶瓷高温烧结时，如果烧结气氛中含氧量较高或氧不足，造成填隙离子或空格点，因而引起能高或氧不足，造成填隙离子或空格点，因而引起能带畸变，使材料半导体化带畸变，使材料半导体化第三节第三节 敏感陶瓷敏感陶瓷在晶体中的周期势能和能带模型图在晶体中的周期势能和能带模型图 1 1—导带；导带；2 2—价带；价带；E Eg g—禁带禁带在在理想理想的无缺陷氧化物的无缺陷氧化物晶体中，价带是全满的晶体中，价带是全满的而导带是空的，中间隔而导带是空的，中间隔着一定宽度的禁带着一定宽度的禁带第三节第三节 敏感陶瓷敏感陶瓷1、化学计量比偏离、化学计量比偏离第三节第三节 敏感陶瓷敏感陶瓷1、化学计量比偏离、化学计量比偏离-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+MOMO晶体失去阳离子形成晶体失去阳离子形成P P型半导体型半导体电子空穴电子空穴电子电子+-+-+--第三节第三节 敏感陶瓷敏感陶瓷1、化学计量比偏离、化学计量比偏离第三节第三节 敏感陶瓷敏感陶瓷1、化学计量比偏离、化学计量比偏离金属离子空位形成金属离子空位形成P P型半导体型半导体第三节第三节 敏感陶瓷敏感陶瓷1、化学计量比偏离、化学计量比偏离氧离子空位形成氧离子空位形成n n型半导体型半导体1) 1) 施主掺杂（高价取代低价）施主掺杂（高价取代低价）第三节第三节 敏感陶瓷敏感陶瓷2、异价离子掺杂、异价离子掺杂2) 2) 受主掺杂（低价取代高价）受主掺杂（低价取代高价）第三节第三节 敏感陶瓷敏感陶瓷2、异价离子掺杂、异价离子掺杂O2得到电子得到电子形成形成O2-第三节第三节 敏感陶瓷敏感陶瓷Ø 化学计量比偏离化学计量比偏离Ø 掺杂掺杂半导化方法半导化方法}共性？共性？可变价可变价第三节第三节 敏感陶瓷敏感陶瓷Ø 晶界势垒晶界势垒Ø 应变能应变能晶界偏析晶界偏析第三节第三节 敏感陶瓷敏感陶瓷 晶界势垒晶界势垒晶界偏析晶界偏析-+-+-+-+-+-+-+-+-+-++-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-++-+-+Nacl第三节第三节 敏感陶瓷敏感陶瓷 晶界势垒晶界势垒晶界偏析晶界偏析Nacl-+-+-+-+-+-+-+-+-+-++-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-++-+-+第三节第三节 敏感陶瓷敏感陶瓷 晶界势垒晶界势垒晶界偏析晶界偏析晶界晶界晶界晶界电势电势电势电势 对温度变化敏感的陶瓷材料对温度变化敏感的陶瓷材料, ,其其电阻率电阻率随随温度温度发发生明显变化。

生明显变化第四节第四节 热敏陶瓷热敏陶瓷定义定义ØPTC热敏电阻：热敏电阻：positive temperature coefficientØNTC热敏电阻：热敏电阻：negative temperature coefficientØ临界温度热敏电阻：临界温度热敏电阻：critical temperature resistorØ线性阻温特性热敏陶瓷线性阻温特性热敏陶瓷第四节第四节 热敏陶瓷热敏陶瓷分类分类阻温特性阻温特性电阻温度系数：电阻温度系数：PTCPTC热敏电阻阻温特性热敏电阻阻温特性第五节第五节 PTCPTC热敏陶瓷热敏陶瓷BaTiOBaTiO3 3产生产生PTCPTC条件条件第五节第五节 PTCPTC热敏陶瓷热敏陶瓷晶界晶界适当适当绝缘绝缘晶粒充分半导化晶粒充分半导化单晶和其他条件单晶和其他条件均无均无PTC效应！效应！BaTiOBaTiO3 3半导化半导化第五节第五节 PTCPTC热敏陶瓷热敏陶瓷1、强制还原（化学计量比偏离）、强制还原（化学计量比偏离）先强制还原，再氧化晶界先强制还原，再氧化晶界BaTiOBaTiO3 3半导化半导化第五节第五节 PTCPTC热敏陶瓷热敏陶瓷2、异价离子掺杂（价控半导体）、异价离子掺杂（价控半导体）氧化气氛烧结氧化晶界氧化气氛烧结氧化晶界PTCPTC特性机理特性机理第五节第五节 PTCPTC热敏陶瓷热敏陶瓷在居里温度附近，巧合？在居里温度附近，巧合？BaTiO3PTCPTC特性机理特性机理第五节第五节 PTCPTC热敏陶瓷热敏陶瓷-+-+-+-+-+-+-+-+-+-++-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-+-++-+-+eeeBaTiO3晶界带有晶界带有负电荷负电荷，两边吸附，两边吸附正空间电荷正空间电荷O2PTCPTC特性机理特性机理第五节第五节 PTCPTC热敏陶瓷热敏陶瓷晶界晶界电势电势势垒高度势垒高度h h与介电常数成反比。

与介电常数成反比HeywangHeywang理论理论---+-+++ePTCPTC特性机理特性机理第五节第五节 PTCPTC热敏陶瓷热敏陶瓷晶界晶界电势电势铁电畴电荷补偿使晶界势垒大幅下降铁电畴电荷补偿使晶界势垒大幅下降JonkerJonker理论理论---+-+++解释TC下的低阻态BaTiOBaTiO3 3PTCPTC陶瓷工艺陶瓷工艺第五节第五节 PTCPTC热敏陶瓷热敏陶瓷原料原料Ø 一般应采用高纯度的原料，特别要严格控制原料一般应采用高纯度的原料，特别要严格控制原料中中受主杂质受主杂质的含量Ø 使用工业纯原料时，使用工业纯原料时，ASTAST（（SiSi、、AlAl、、TiTi氧化物）氧化物）作抗杂剂形成玻璃相，吸收作抗杂剂形成玻璃相，吸收FeFe2+2+,Mg,Mg2+2+等受主杂质离等受主杂质离子BaTiOBaTiO3 3PTCPTC陶瓷工艺陶瓷工艺第五节第五节 PTCPTC热敏陶瓷热敏陶瓷掺杂掺杂Ø 施主掺杂物施主掺杂物（（LaLa2 2O O3 3、、Y Y2 2O O3 3、、NbNb2 2O O5 5）等宜在合成主）等宜在合成主晶相时引入较好。

晶相时引入较好 Ø 其它少量加入物其它少量加入物（（MnMn、、LiLi、、SiSi、、AlAl等氧化物）宜等氧化物）宜在合成主晶相后加入，可提高在合成主晶相后加入，可提高PTCPTC性能BaTiOBaTiO3 3PTCPTC陶瓷工艺陶瓷工艺第五节第五节 PTCPTC热敏陶瓷热敏陶瓷混料与合成混料与合成Ø 严防严防FeFe杂质的混入杂质的混入Ø 传统的固相法存在纯度和均匀性问题传统的固相法存在纯度和均匀性问题Ø 液相法可大大提高均匀性液相法可大大提高均匀性BaTiOBaTiO3 3PTCPTC陶瓷工艺陶瓷工艺第五节第五节 PTCPTC热敏陶瓷热敏陶瓷烧结烧结Ø 对工艺很敏感严控烧结温度，降温速对工艺很敏感严控烧结温度，降温速率率Ø 1240-12601240-1260度易晶粒异常长大，该区间度易晶粒异常长大，该区间需快速升温需快速升温BaTiOBaTiO3 3PTCPTC陶瓷工艺陶瓷工艺第五节第五节 PTCPTC热敏陶瓷热敏陶瓷电极制备电极制备u欧姆电极：电极和材料之间无接触电阻或接触电阻欧姆电极：电极和材料之间无接触电阻或接触电阻低、无整流性、正反电场方向的电阻值一致。

低、无整流性、正反电场方向的电阻值一致uPTCPTC用欧姆性接触电极（如用欧姆性接触电极（如NiNi、、ZnZn、、A1A1等电极）等电极）——弱电场下使用，弱电场下使用，如生产焊接包封型的如生产焊接包封型的PTCPTC，为便于，为便于焊接引线，还要镀银电极焊接引线，还要镀银电极影响影响PTCPTC陶瓷的因素陶瓷的因素第五节第五节 PTCPTC热敏陶瓷热敏陶瓷Ø 组成移峰作用组成移峰作用Ø 晶粒大小提高耐压性能，提高正温度系数晶粒大小提高耐压性能，提高正温度系数Ø 化学计量比化学计量比Ti稍过量易降低电阻，稍过量易降低电阻，Ba稍过稍过量易细晶量易细晶Ø Al2O3的作用的作用应用应用第五节第五节 PTCPTC热敏陶瓷热敏陶瓷Ø恒温加热恒温加热Ø低电压加热低电压加热Ø空气加热空气加热Ø过流保护过流保护Ø过热保护过热保护Ø温度传感温度传感Ø启动器启动器定义定义第六节第六节 NTCNTC热敏陶瓷热敏陶瓷电阻电阻- -温度关系温度关系电阻温度系数电阻温度系数△E为电导活化能成分与用途成分与用途第六节第六节 NTCNTC热敏陶瓷热敏陶瓷Ø主要以锰、钴、镍和铜等金属氧化物为主要材料，主要以锰、钴、镍和铜等金属氧化物为主要材料， 采用陶瓷工艺制造而成。

采用陶瓷工艺制造而成 Ø广泛应用于温度测量、温度补偿等广泛应用于温度测量、温度补偿等 NTCNTC导电机理导电机理第六节第六节 NTCNTC热敏陶瓷热敏陶瓷Ø 化学计量比偏离化学计量比偏离Ø 掺杂掺杂随温度指数变化随温度变化小电子电导电子电导常温常温NTCNTC体系体系第六节第六节 NTCNTC热敏陶瓷热敏陶瓷Ø CoO-MnO-O2系系Ø NiO-MnO-O2系系Ø MnO-CoO-NiO-O2系系高温高温NTCNTC体系体系第六节第六节 NTCNTC热敏陶瓷热敏陶瓷Ø Al2O3-Fe2O3-MnOØ MgNi(Al, Cr, Fe)2O4Ø Mg(Al, Cr)2O4+LaCrO4Ø ZrO2-Y2O3萤石型，萤石型，离子电导离子电导 非氧化物也非氧化物也可以做可以做NTCNTC高温高温NTCNTC体系体系第六节第六节 NTCNTC热敏陶瓷热敏陶瓷高温老化：高温老化：烧结陶瓷总是处于非平衡状态，当烧结陶瓷总是处于非平衡状态，当使用温度达到烧结温度的使用温度达到烧结温度的40%，反应会继续反应会继续Ø 采用过渡金属氧化物。

对氧的再吸收小采用过渡金属氧化物对氧的再吸收小Ø 采用多种氧化物采用多种氧化物Ø 掺入形成高焓值的氧化物掺入形成高焓值的氧化物其他其他NTCNTC体系体系第六节第六节 NTCNTC热敏陶瓷热敏陶瓷Ø 低温热敏电阻陶瓷低温热敏电阻陶瓷Ø 临界负温热敏电阻陶瓷临界负温热敏电阻陶瓷Ø 线性线性NTCNTC热敏电阻陶瓷热敏电阻陶瓷NTCNTC陶瓷工艺特点陶瓷工艺特点第六节第六节 NTCNTC热敏陶瓷热敏陶瓷u电极制备电极制备 NTCNTC热敏电阻陶瓷与银可形成欧姆接触，故多采热敏电阻陶瓷与银可形成欧姆接触，故多采用银浆作为电极材料用银浆作为电极材料u热处理调整阻值热处理调整阻值 通过不同控制温度通过不同控制温度( (一般在一般在600600～～850℃850℃之间之间) )和不同和不同冷却速度，改变固溶体中冷却速度，改变固溶体中尖晶石尖晶石和变价金属氧化物之间和变价金属氧化物之间的比例和分布状况，达到调整阻值的目的的比例和分布状况，达到调整阻值的目的高温相，易导电NTCNTC陶瓷工艺特点陶瓷工艺特点第六节第六节 NTCNTC热敏陶瓷热敏陶瓷u敏化处理敏化处理•在在200200～～600℃600℃进行进行5050～～100100小时的热处理以改变材小时的热处理以改变材料的氧吸附或吸收的情况。

敏化后电导率下降料的氧吸附或吸收的情况敏化后电导率下降u老练老练•将产品在等于或略高于工作温度的恒温箱中放置将产品在等于或略高于工作温度的恒温箱中放置100100～～500500小时；或在略高于工作温度范围进行多次小时；或在略高于工作温度范围进行多次正负温度循环正负温度循环第七节第七节 气敏陶瓷气敏陶瓷 1962年田口尚义发现用SnO2烧结体制备元件的电阻率对各种可燃性气体非常敏感，它在不同气体中的电阻率不同、在浓度不同的同一种气体中的电阻率也不相同，具有这种特性的陶瓷称为气敏陶瓷(gas sensor)气敏陶瓷对某种气体有敏感性，对其他气体可能有或没有敏感性事实上，有应用价值的气敏陶瓷往往利用材料对某种气体的单一敏感性，用作检测和分析气体的种类和浓度，特别用于易燃、易爆和有毒气体的检测第七节第七节 气敏陶瓷气敏陶瓷ª 气敏过程是元件表面对气体的吸附和脱附吸附和脱附引起电阻率改变电阻率改变的过程，这是一个受多种因素控制的物理化学过程吸附过程可以分为物理吸附和化学吸附两种：þ 物理吸附热低，可以是多分子层的吸附，无选择性．þ 化学吸附为单分子层吸附，有选择性，吸附气体与材料表面形成化学键，有电子交换。

这两种吸附是同时发生的，但对气敏效应有贡献的主要为化学吸附化学吸附分类分类第七节第七节 气敏陶瓷气敏陶瓷F按其气敏机理可以分为：半导体式半导体式和固体电解质式固体电解质式两类，其中半导体式又分为表面效应型表面效应型和体效应型体效应型两种；F按制备方法将气敏陶瓷分为多孔烧结型、薄膜型和厚多孔烧结型、薄膜型和厚膜型膜型；F也可直接用化合物类型分类气敏原理气敏原理第七节第七节 气敏陶瓷气敏陶瓷 氧化性气体吸附于氧化性气体吸附于n n型半导体气敏材料型半导体气敏材料表面表面，，气体从半导体表面夺取电子形成负离子，从气体从半导体表面夺取电子形成负离子，从而载流子数减少电阻增加而载流子数减少电阻增加1 1）能级生成理论）能级生成理论ZnO气敏原理气敏原理第七节第七节 气敏陶瓷气敏陶瓷2 2）接触粒界位垒理论）接触粒界位垒理论价带价带颗颗 粒粒导带导带禁带禁带N N型半导体型半导体氧化型气体氧化型气体气敏原理气敏原理第七节第七节 气敏陶瓷气敏陶瓷2 2）接触粒界位垒理论）接触粒界位垒理论价带价带颗颗 粒粒导带导带禁带禁带N N型半导体型半导体还原型气体还原型气体气敏原理气敏原理第七节第七节 气敏陶瓷气敏陶瓷2 2）接触粒界位垒理论）接触粒界位垒理论价带价带颗颗 粒粒导带导带禁带禁带N N型半导体型半导体多孔！多孔！典型气敏陶瓷典型气敏陶瓷第七节第七节 气敏陶瓷气敏陶瓷1 1．．SnOSnO2 2系气敏陶瓷系气敏陶瓷 最常见的气敏材料之一，以最常见的气敏材料之一，以SnOSnO2 2为基本材料，为基本材料，加入贵金属催化剂、粘结剂等，按照常规的陶瓷加入贵金属催化剂、粘结剂等，按照常规的陶瓷工艺方法制成的。

对许多可燃性气体有很高的灵工艺方法制成的对许多可燃性气体有很高的灵敏度，但对不同气体的敏度，但对不同气体的选择性较差选择性较差2.ZnO2.ZnO系气敏陶瓷系气敏陶瓷 气体气体选择性强选择性强；对各种气体的灵敏度与；对各种气体的灵敏度与催化剂催化剂的种类的种类有关典型气敏陶瓷典型气敏陶瓷第七节第七节 气敏陶瓷气敏陶瓷3．．Fe2O3系气敏陶瓷系气敏陶瓷 最大特点是不用贵金属做催化剂，也有较高灵最大特点是不用贵金属做催化剂，也有较高灵敏度敏度4. ZrO2系陶瓷系陶瓷 被称为固体电解质的被称为固体电解质的快离子导体快离子导体，含有大量氧空，含有大量氧空位，位，氧离子导电氧离子导电，氧离子迁移活化能较高，因此，氧离子迁移活化能较高，因此工作温度较高工作温度较高 典型气敏陶瓷典型气敏陶瓷第七节第七节 气敏陶瓷气敏陶瓷4. ZrO2系陶瓷系陶瓷 固体电解质浓差电极工作示意图+-V第八节第八节 湿敏陶瓷湿敏陶瓷ª 湿敏陶瓷湿敏陶瓷(humidity sensor)是对湿度敏感的半导体陶瓷。

是对湿度敏感的半导体陶瓷当半导体元件周围的湿度发生变化时，半导体陶瓷的电阻值当半导体元件周围的湿度发生变化时，半导体陶瓷的电阻值随湿度的改变也相应地发生变化因此，可以随湿度的改变也相应地发生变化因此，可以将湿度的变化将湿度的变化转换为湿敏陶瓷电阻率的变化转换为湿敏陶瓷电阻率的变化，并用电信号输出并用电信号输出关于湿敏陶瓷关于湿敏陶瓷第八节第八节 湿敏陶瓷湿敏陶瓷Ø 起敏感作用的仅为材料的表面层，起敏感作用的仅为材料的表面层，多为多为多孔型多孔型块状块状此外，也有薄膜或厚膜型此外，也有薄膜或厚膜型Ø 半导化方法与其他敏感陶瓷一样半导化方法与其他敏感陶瓷一样Ø 导电形式一种认为电子电导，另一种认为电导电形式一种认为电子电导，另一种认为电子电导和质子电导混合子电导和质子电导混合低温烧结型湿敏陶瓷低温烧结型湿敏陶瓷第八节第八节 湿敏陶瓷湿敏陶瓷Ø Si-Na2O-V2O5体系体系Ø ZnO-Li2O-V2O5体系体系烧结温度低，反应不完全，收缩小烧结温度低，反应不完全，收缩小水表面附着水表面附着高温烧结型湿敏陶瓷高温烧结型湿敏陶瓷第八节第八节 湿敏陶瓷湿敏陶瓷Ø MgCr2O4-TiO2体系体系. ~30%TiO2仍为仍为单相，单相，P型半导体，型半导体，MgO过量或过量或Cr挥发，形成挥发，形成Ø 羟基磷灰石羟基磷灰石。

可用可用Na离子取代离子取代Ca离离子，形成受主态抗老化性能好，子，形成受主态抗老化性能好，原因在于溶解度极小原因在于溶解度极小Ø 感湿机理感湿机理第八节第八节 湿敏陶瓷湿敏陶瓷 对于湿敏陶瓷的感湿机理，目前尚缺乏一种能适合任何情况的理论来加以解释，常见的理论解释是粒界势垒论和质子导电论，前者适合于低湿情况(＜40% RH)，后者适合于高湿情况(＞40%RH)感湿机理感湿机理第八节第八节 湿敏陶瓷湿敏陶瓷1 1）接触粒界位垒理论）接触粒界位垒理论半导体陶瓷中粒界势垒 (a)N型；(b)P型H2O感湿机理感湿机理第八节第八节 湿敏陶瓷湿敏陶瓷2 2）质子电导理论）质子电导理论Ø 第一阶段第一阶段Ø 第二阶段第二阶段Ø 第三阶段第三阶段简介简介第九节第九节 压敏陶瓷压敏陶瓷在某一临界电压下电阻值在某一临界电压下电阻值非常高，几乎没电流通过，非常高，几乎没电流通过，但超过这一电压后，电阻但超过这一电压后，电阻急剧下降急剧下降电压电压-电流特性电流特性ZnOZnO陶瓷压敏机理陶瓷压敏机理第九节第九节 压敏陶瓷压敏陶瓷Bi3+ZnOZnO中常加中常加Bi2O3，，晶界上具有负电荷吸晶界上具有负电荷吸附的受主能级附的受主能级晶界高电阻晶界高电阻ZnOZnOZnOZnOZnO陶瓷压敏机理陶瓷压敏机理第九节第九节 压敏陶瓷压敏陶瓷无电场无电场高电场高电场压敏陶瓷应用压敏陶瓷应用第九节第九节 压敏陶瓷压敏陶瓷过压保护过压保护种类：种类：ZnO、、SrTiO3、、TiO2简介简介第十节第十节 薄膜光敏陶瓷薄膜光敏陶瓷种类：种类：CdS、、CdSe、、ZnS电阻随光照而发生变化的一种功能陶瓷。

主要电阻随光照而发生变化的一种功能陶瓷主要为半导体陶瓷为半导体陶瓷 。