电池基础知识教材.pdf
47页新 迤 人 具 基 磁 教 材雷 池 相 的 名 春 司 解 释■雷池春司麋1 . 一次电池(Primary battery):电池仅能放电, 当电池电力用瞥时, 无法再充电的电池. 市售的碱性电池, 镒干电池, 水银电池等, 皆属一次电池.2 . 二次电池(Rechargeable battery):电池电力用完后,可经由充电重复使用之电池, 如: 铅酸, 镁氢, 锂离子电池等.3 . 额定容量(Nominal Capacity): 一般电池的蓄电量, 会以mAH-毫安小时或AH-安培小时来表示, 二次电池一般都会以此方式来表示电池的容量当电池充饱电后,放电至截止电压时, 所能取出之电量, 就是此电池的容量 一次电池之容量, 因与使用的负载有很大的关系, 所以通常不加以标示.4 . 额定电压(Nominal Voltage):电池正负极材料, 因化学反应, 所造成之电位差高低, 利用此关系, 所产生的电压, 称为额定电压. 不同的正负极材料, 产生的电压不同,如:铅酸电池-2V/cell,银氢电池1.2V/cell,锂离子电池 3.6V/cell.5 . 内阻:电池为许多化学材料组成,其都有一定的阻抗,电池的高低内阻往往影响充放电的特性.6 . 正极(Positive Electrode):符号为十, 电位较负极高.7 . 负极(Negative Electrode):符号为-, 电位较正极高 .8 . 电解质(Electrolyte):当正负极间引起化学反应时, 可使离子移动之离子导电体,而不是电子导电体,主要在传递整个电化学反应离子的传导工作.9 . 隔离膜(Separator):置于正负极板中,为一微孔性及多孔性之薄膜,材质以PPFE为主, 主要在隔离正负极板, 防?br>模u路, 可使离子通过, 并具保持电解液的功能 .1O .C-rate:用来表示电池充放电时电流大小的比率单位. 如:容量1600mAh的电池0.2C代表以320mA的电流来进行充电或放电,1C代表以1600mA.此比率单位C-rate对于二次电池是重要的观念.11 . 放电截止电压(Cut-off discharge voltage):电池在放电试验时,到达终点的电压. 一般Ni-MH电池设定为1 .OV,Li-ion电池设定在3.0V或2.7V.12 . 开路电压(Open circuit voltage, OCV):指电池在无负载的情况下,电池正负极之间的电压.13 . 过放电(Over discharge):超过电池放电截止电压值,若继续放电则可能造成电池漏液或劣化.14 . 放电深度(Depth of discharge, DOD):与电池额定容量比较,放电电量的比率.1 5. 过充电(Over charge):电池到达饱充状态后,再继续充电的程度大小,过度充电可能会使电池劣化.16. 能量密度(Energy density):表示方法有两种,一为体积能量密度(W h/I),另一为重量能量密度(Wh/kg),用以表示单位体积或单位重量能取出的能量. 常用于表示各种化学材料所能提供能量的参考.1 7. 自我放电(Self discharge):电池在储存过程中,电池蓄电容量会逐渐减少的现象,所以一般储存电池时都有一储存温度范围,过高的温度会加速电池的自我放电.18. 循环寿命(Cycle life ):二次电池在反复充放电的使用下,电池容量会逐渐下降,通常以该电池的额定容量作标准,电池容量降至其80%或60%时的充放电次数,称为循环寿命.19 . 记忆效应(Memory effect):电池在没有放完电的情况下,若施以充电,则电池容量可能无法回到原有的水平,但若施以强制深度放电后在充电,容量可能就能回复,通常此种现象常发生于银镉电池上.20 .定电流(Constant current, C C ):以固定的电流对电池充电或放电.21 . 定电压(Constant current, C V ):以固定的电压对电池充电,充电电流会随着电压值接近而下降,对于Li-ion电池充电,一般使用CC-CV充电模式,前段采用C C ,当电池电压到达4.2V ,转用CV充电.22 . 涓流充电(Trickle charge):以一微小的电流对电池充电,常用于对电池开始充电前或充饱电后.23 . - d V :此为Ni-MH或Ni-Cd电池在侦测充电截止的一个重要参考值. 这两种电池的充电特性,在电池充饱时,电压会有一峰值,若在施以充电,电压会有下降的趋势,以下降多少mV,作为充电的截止条件,一般会设定于 8~ 10mV / cell.24 .dT/dt: Ni-MH及Ni-Cd在充电快充饱时,电池的温度会随时间而快速上升,以每分钟上升的温度作为充电的截止条件, 一般设定在每分钟上升1度作为截止点.25 . 串并联(Series and parallel):电池串联来提高电压,以并联来提高电池容量,如:Notebook电 池 用12颗Li-ion电池, 以4串3并的组合,来符合Notebook的工作电压及延长操作时间.电池的世界一种类及应用舞电池的种类电池简单的说即为储存" 电” 的装置,分成”化学电池“及“物理电池” ,通常电池泛指化学电池,其构成材料为化学物质,藉由其氧化还原反应所产生的能量转换成电能,而物理电池即利用光或热变换成电能储存的系统.若将电池进一步分类,又可分为“ 一次电池”及“ 二次电池” ,使用过后其寿命终止,无法重复充电使用的称为“ 一次电池” ,如:市售之碱性电池. 可重复充电使用的称为”二次电池” ,如:锲氢,锂离子电池,但其充放电之循环寿命亦有老化限制,视使用状况而定,通常依各化学特性的不同约有300~ 1 000次的充放电循环寿命. 电池的组成主要分为:正极,负 极及电解液而成,不同的化学成份,所表现出的特性及应用领域亦不同,因应各种电子产品的需 求, 电池工业发展至今,亦衍生出各种不同应用范围之电池种类,常见之电池种类如下表所示:化学电池一次电池镒干电池碱性电池氧化银电池水银电池锂电池空气电池二次电池银镉电池铅酸电池银氢电池锂离子电池锂高分子电池燃料电池物理电池太阳能电池舞电池的应用在众多的电池种类及电子产品中,电池该用那一种? 一般来说,家用电器,如:收音机,时钟,玩具,遥控器…. . 等,大多用一次电池,许多可携式的电子产品,如:Notebook,PDA,…..等,则采用二次电池,但有些电子产品也设计成可使用一次或二次电池.电池的应用,主要取决于电子产品的工作电压,电池室空间及放电特性,选择最适用电池,目前许多电子产品设计之初,便将这些因素考虑,进而设计出符合该电子产品的电池组(Battery Pack),主要以二次电池的应用,在搭配充电器的使用,这些电子产品实现了可携式电源使用的方便性.以下简单介绍各类电池的应用领域:电池种类 电池型式/ 尺寸应用范围备注一次电池镒干电池D, C, AA,AAA,N,9V( 1号,2号,3号,4号,N, 9V)收音机,手电筒,遥控器, 玩具…等家电用品耗电量小之产品适用碱性电池D, C, AA,AAA,N,9V( 1号,2号,3号,4号,N, 9V)收音机,手电筒, 遥控器,玩具,照相机,CD player,刮胡刀…等耗电量较大之产品适用氧化银电Button type ( 钮扣 手表,计算器, 照相耗电稳定,池水银电池型)机…等小之产品适用锂电池钮扣型,圆柱型量测仪器,备用电源适用需稳定工作电压的产品空气电池 钮扣型助听器二次电池银镉电池 圆柱型*电动工具,各式电子产品瞬间耗电量高或特殊环境及条件适用铅酸电池Battery pack备用电源,运输工具,银氢电池 圆柱型,方型*电动工具,备用电源,运输工具,各式电子产品锂离子电 圆柱型,方型* # 各式电子产品( 3 C产 可携式电子池品)产品应用为主锂高分子电池方型* #各式电子产品( 3C产品)可携式电子产品应用为主燃料电池 Battery pack运输工具高耗能之产品应用* 实际应用时. ,通常以一颗电池或数颗电池串并联组成一电池组( Battery pack) ,视该电子产品需求而定.#电池的尺寸可依电子产品需求而设计各类型的电池有不同的电气特性及优缺点,并无一种电池可满足所有电子产品所使用,选择一适用的电池来应用,才能发挥该电池的效能,当然这是设计电子产品的工程师所需头痛的问题,使用者只要享受电池带来的便利性.爨结语电池的发明,为人类的生活带来方便及效率,一个国家的科技化程度,也可从该国的电池使用量探之.电池工业的发达,电池的电气特性及环境亲和性也更符合高科技电子产品需求及人类的环保要求,许多具污染性的电池,世界各国已渐渐淘汰使用或加强回收管理.期待未来的进步,或许汽车不再使用汽油,而使用氢气及空气便能发电的燃料电池,生活与电池在未来科技的进步下,绝对有密不可分的关系.小型二次雷池重氧特性及J1用■常见之小型二次雷池雷 池 槿 繁 多 ,鹰用靶圉及重氟特性也不翥相同,就可^式的霜子崖品而言,主要^求在於雷池11稹重量小型化,蓄重力高,霜池毒命晨,霜池操作璟境曾军… 等,就二次霜池的槿^来看,金 分 酸 (Lead acid), H fi(N i-C d),金 臬 量 (Ni-MH)及鲤离 隹 子 (Li-ion)雷池是市埸上最常使用的,各有其僵缺黑占,一般可揣式霜子崖品的霜池, 除 了 ^性雷池外( 一次雷池,用完即丢, 瓢 法 充 霜 使 用 ) ,二次霜池( 可重覆充霜使用) 已成^用上的主流,以下封道些二次霜池作一曾罩的比较:各槿二次雷池之比较项目小 型 酸甯池池氢雷池 锂蹄子重池高分子短雷池化擘符虢Pb (Leadacid)Ni-CdNi-MHLi-ionLi-polymerIS定匐懿(V)21.21.23.63.6额定容量(mAh)小而定视if 稹大小而定视f t稹大小而定视18稹大小而定视 稹 大小而定正趣材料PbO2NiOOHNiOOH锂 金 古负趣材料PbCd信者量合金碳 系 ( 石墨 )碳 系 ( 石墨 )H2SO4(水 系 )KOH( 水系 )KOH( 水系 )■ S+有械 溶 液PolymerGel( 聚 合 物 )充n雷 ;IE限制( V)X不口」 超ig 1.8不口」 超 遇1.8不口」 超 遇4.2不口」 超 遇4.2放雷: 截止重E(v)视 放 雷 倍率0.8-112.7 〜 32.7-3霜池保^重路板不 需不 需不 需rfn4rtn高倍率放霜性能1C *容 量下 降明M S10C以上 容 量下 降 最少2〜 3 c左右容 量 下 降少1C-1.5C容 量 下 降少1C-1.5C容 量 下 降少低倍率放霜性能自我放重0.111.50.3~0.60.3~0.620℃( %日)循度毒命( 次)200-400>500>500>500>500涓流充重特性可可不 可 行不口」不口」耐谩放重性差向 可劣劣妞八 \ 、 有妞7 \ \ 、 斑八 、 、 八 、 、充雷: 方式定 ,电流一定 匐 懿定 ‘电流定 重 流定 ‘电流-定 ,®(流-定 圜 懿信存性需定日寺祷充 重可 晨 期保 存需定日寺木甫充 重需定日寺祷充重.需定日寺木甫充 重小 型 酸雷池池41氢雷池 锂蹄子重池高分子鲤雷池充甯操作温度 ℃5〜 350~4510-450~450~45放重操作温度 ℃5〜 35-10-60-10-45-20〜 60-20〜 60相较同容量之重量最重次重次重最馨相较同容量之it稹大中等中等最小小琪境貌和性 硫酸水溶液具污 染 ,S人11健康有影金 鬲 金具重度污染性,有些阈家管制或禁用污染性低 污染性低金古原料扁取得不易污染性低钻原料焉取得不易一般包装方式塑月寥封装 金 ^罐封装金 ^罐 封装金 ^罐 封装膜封装膜封装常见外型方型圜筒型圜筒型,方型11筒型,方型方型僵格低廉低K Ni-CdM高最高*C-rate :通常用来表示雷池在充放雷日寺, 以多少小日寺重甯子崖品之需特;R畤需大雷使用日寺^ 同 Ni-MH同 Li-ion雷: 池^力 供流使用聿rm尸X一K且以馨薄 需特殊重^用 黠i考量蕉崖品充放甯容 焉言斥求之 池本身篇低{1品重的崖品易崖品外型之崖且焉系望常品循琪使用之羟品用* O T 照 明 ^®®j工Notebook, Notebook Notebookft, UPS ,具,山刮卷青PDA,PDA玩具…刀DVD手檄. …K,DVDplayer撮 影 樵player数位相檄玩具…PDA手檄….手檄….流倍率的用言吾. 如: 0.2C代表以额定容量 之0 .2倍率霜流, 来迤行充放霜,日 寺 ^ ^5小 日 寺 .■二次霜池鹰用-霜池系且常 见 的 二 次 雷 池 在 用 上 ,在霜子羟品1殳 等 十 之初就被辞系田考量遇,以最符合崖品特性及使用璟境的二池霜池,加以鹰用,聚例来若要常殳春十一甯勤螺^ 起子 ,考J®其起勤日寺需大雷流放甯,手握的馨巧性及可急速充重,那金臬金鬲霜池即篇上逗,如果使用至里蹄子霜池,fig然符合了馨巧性,但全里蹄子霜池在大霜流放霜日寺,可能辗法提供足匏/ 的功率,甚 至 造 成 雷 池 损 壤 . 一 般 我俨使用霜子崖品的霜池,都 是 池 裂 造 摩 加 工 系 且 装而成的,霜 池 的 槿 在 消 费 者 瞒 品日寺也已^被^ ^ 十完成,通常耦焉雷: 池^(Battery Pack), 一般多以塑月蓼外段封装,内 部 包 含 二 次 霜 池 一SI至 数 雷 池串加聊,霜 池 保 ^ ^ 路 板 及 保 ^ 元 件(NTC , PTC,Thermostat ,Polyswitch….等) . 以手械重池来言兑,现行市埸的主流以一SI 3.6V/ 600mAh的方型锂蹄子甯池, 力 口上 一 片 雷 池 保 ^ ^ 路 板 及 外 段 封 装 而 成 ,霜池系且外型因手檄造型!51 十而不同,但内部大同小昊,一些高F 皆的重子崖品,如 Notebook, P D A , 在雷池系且内逮加上雷池管理 雷 路 或 雷 池 辨 ^ ^ 的 功 能 ,使用者用起来更方便及安全.■甯吾二次甯池,主 要 以 市 埸 上 常 见 的 甯 池 槿 ^ 主 ,事 ^上二次甯池的槿^ 有很多槿, 如:金 臬 金 辛 ,金辛空氟,氧化® 艮-金 辛 … 等,有些作焉特殊用途,如:窜事,航太,所使用,彳他百年前就被樊明J®用 的 ^ 酸 霜 池 ,到近年来58^ ^ 用的金里蹄子,锥高分子雷池,^ 多特性被改良的愈来愈僵臭,但是某些情况下,郤也有著辗法替代的SS在高科技羟品的带勤下,二次霜池的研赞也是世界各 阈 投 入 的 崖 棠 ,想像未来各槿雷器用品都可能随身揣带,霜池的1 8稹重量可能愈来愈小,蓄重力可更晨,封人^ 生活是多麽方便的享受.甯池疑冏Q 1 :什麽是智慧型锂蹄子雷池(Smart Battery)?A: Sm art Battery的 技 循 亍 )1用在近年来JS泛^ 用在各款肇言 己 型 重 月 窗 言 殳 春 十 中 ,比起以往辗用此项技彳商的雷池Dump. (Smart Battery)智慧型金里gg子雷池,在霜源管理及能源效率上都比Dump霜池更精型及可靠,Smart Battery技循亍在雷源管理上提供使用者安全且精型的盛控璟境, 以避免因操作金昔^ 造成霜池t l璨Q 2:金臬氢和锂离隹子有何不同?A:造丽款甯池最大的不同在於重量,及重氟特性的差昇.Li-ion雷池重量靶 僵格雎然较Ni-Mh甯池高,但某些重氟特性侵於Ni- Mh.例如: 循璟毒命晨, 自我放雷低等侵黑占目前30羟品的鹰用皆以Li-ion雷池篇主Q3: 41氢有春己憾效愿喝?A:殿格来i兑Ni-Mh雷池的言己| 意效鹰不是很明不曾如Ni-Cd雷池那麽殿重, 但Ni-Mh雷池的使用最重要的是”熟 ’ 的冏题, 翥量避免使用NoteBook的同畤望寸霜池充« , 以避免霜池遇熟, 影警雷池毒命及充霜效率注 意 : 金里雷池因篇没有1己I意效JS, 因此不必放重,否即符曾破壤霜池结横, 减揖霜池毒命.Q 4 :新霜池, 需要充重1 2小日寺以上喝?A:道是一彳固被^ 解的觐念. 充重器的^ 音十, 在雷池被充能霜彼, 就曾自勤切段充甯雷流停止充霜, 一 般 •充 甯 畤 ^曾在3~ 6小畤之尤其现今黑乎所有的可揣带式的3c崖品, 皆以金里高隹子霜池的JB用焉主流, 金里蹄子霜池的特性不允^ 遇度充甯. 但是金臬量或金臬金鬲甯池的充甯器, 有些^t f曾在甯池充鲍甯彼, 以微小重流畿^ 充霜, 其畤^ 就不被限制了.Q 5 :雷池最好用到没霜再充霜喝?A:封於锂蹄子(Li-ion)霜池的使用者来其最大的好虑就是 ^ ^ { 意效Jffi,所以不一定要用到没霜再充重但封於I Ift(Ni-M h)或| | 第(N i - Cd)雷池, 最好到没霜再充霜, 尤其是《 » 鬲(N i - Cd)雷池的言己| 意效鹰是很明IS的.建^ 定期符重池使用至波重彼再充霜言寸雷池性能是有所落助的,特别是Notebook的使用者.Q 6 :常被忽略的充霜系田第有哪些?A:・ 勿符霜池置於充霜器上谩久, 霜池充能接拔除充霜器霜源或符重池优充重器取下. 勿在高温埸所充甯, 如: 火煽旁, 太隔直射地方, 遇高的温度曾影警雷池性能及充霜效率. 勿使用来路不明或罪言忍瞪的充霜器, 因充霜器品螯寸於雷池毒命及性能有趣大影警, 不良充重器可能曾使雷池遇充而i i毁. 勿混用燮屋器或雷源供鹰器, 每槿霜子崖品的工作重1E或充霜霜1E不翥相同, 使用金昔^ ^ 醇致霜池毁损, 殿重的遢曾使械器^ ^Q 7:1亥怎檬封霜池系且充霜?A:在晴翼Notebook畤一定曾附上一 ^ ^ 源 醇 换 器( AC t。
DC) -Adapter,此系且封於Notebook是非常重要的,富您接上日寺,且霜池系且也装入Notebook主械肉 便 ^ ^始整寸雷池^ 充霜,此日寺充甯速率最快,若您械使用日寺,雷 池 仍 充 雷 ,此日寺充霜速率较慢,直到充鲍甯接,霜池系且内的重源管理^ 路便曾自勤侦测,停止封霜池系且充重Q 8 : 我的雷池充能霜彼很快就没重了?A : 通常彝生的情况有雨槿:一是霜池系且毒命即符系符告另一是您的甯池^ 操作不常,使得雷源管理^ 路资料金昔窗L,瓢法正碓的充放霜.雷池本身是一槿消耗品,锂离隹子霜池的充放霜循璟毒命在 5 0 0 ~ 8 0 0 次之购 超谩接霜池的充放霜效率曾愈来愈差,此畤就言亥换一^ 新雷池了.如果在不常操作下,可能的引起原因有:1 ) 霜池置放於谩高温的璟境,如汽隼内,2) 取 下 霜 池 霜 池 ^ 上 的 金 ^ 端 子 短 路3) AC to D C Adapter品 ^ 不 良 ,辗法提供稳定的重E , 此情况也可能造成主械故障.Q 9 : 我的霜池真的挂卜了喝?A: 1.首先碓定您的作棠系统!S定是否有冏题( 若您使用w i n dw制在控制台- 甯源整S内) , 或是硅定您的BIOS内的Power management的禄殳定是否有1^.2. 若以上都没冏题常青查看您的NB使用手册, 是否有真ST®池 作Battery calibration的功能( 有 的 牌曾有此项功能, 内建在BIOS中),1寿照指示轨行^ 程式, 霜池也^ 可以回徨正常.若您雷池以使用超遇1 ~ 2年以上, 霜池也FF已 ^ 老 化 , 鹰言亥换一颗新霜池. 一般雷池^ 有500次充放霜的循璟毒命.Q10充重霜池的品好壤差在那狸A :充霜霜池的品测定, 有^ 多不同的羽总式修件及才票型, 但大多需要事渠倭器来做, 如: 内阻值高低, 容 量 式 , 不同的充放雷C-rate下测定容量, 毒命循璟, 璟境温度官式瞬, …等, 一般消费者在辗法懑外觐作判断, 但以日系重池的特性, 每一 I I的均匀度高, 容量才票示足多句, 毒命有一定的水型.Q11mAh是甚麽罩位?A: m A h篇重池容量表示罩位,m A:代表毫安培,h:代表小畤, 换言之,若把霜池看成水康, 此 篇1400cc的容量, 以每小日寺1400CC的速度招水放掉, 那1小畤内就可把水放完, 若以每小日寺700cc的速度符水放掉, 大^ 需2小 日 寺 的畤置Q1NB雷池不知到什麽原因塌掉了范青冏有瓣法雒修喝?2:A: NB雷池篇一槿消耗品, 随著充放霜的次数增加, 雷池的化擘活性曾渐渐老化, 即霜池的蓄霜能力逐渐降低,Li-ion及Ni-MH雷池的充放甯次数怒J在800~ 500次 之 若NB雷 池 使 用 次 数 频 繁 甯 池 毒 命 ^ 在1 ~ 2年之^ . 如不明原因雷池辗法正常使用, 如: 辗法正常充« , 放甯日寺^ 短, 或甯量^ 示不正常, 造成原因1 . 软i f方面, 若是雷池雷源管理程式( 软f t ) ,资料流失或金昔昌臭即使用上可能曾不正常, 通常系避重月辍及旅沏1工具符资料修改校正, 雷池大都可以恢徨正常使用.2 . 硬fl方面, 如霜池芯或重路板不良, 即一般不建^ 雉修, 因焉目前黑乎NB雷池皆用月蓼合方式来封装雷池系且, 若要拆^ ^ 池外段, 即外段一定曾损壤, 且内部的雷池或甯路板在拆^ 谩程中也可能造成更大的损壤, 所以若是内部的硬醴Ji壤, 通常不雒修, 建^ 使用者换一系且新霜池.Q13篇何充重霜池的毒命曾随著充放霜的次数而燮短呢?A:所有的充霜霜池都是由化阜材料所裂造而成, 系基由化阜能醇燮成霜能, 麓罩的1S,其化擘反Jffi篇可逆反鹰, 可以迤行充放雷. 但是道些化擘材料她不是永速保持其化擘活性的, 随著霜池充放霜, 化阜物^ 之^ 的反鹰曾逐渐老化及劣化, 所造成的结果便是使可使用的容量逐次下降, 使用日寺^ 逐次缩短, 富连到某彳固充放雷程度彼, 霜池的化阜物^ 完全劣化, 雷池就辗法使用了如何逗撵^ 量霜池及充重器氢雷池好壤差在那桂?要了解金臬氮霜池品我fra先徙雷池的裂造遇程中了解,Ma霜池的容量不断的向上提升,相茎寸的裂造谩程的控管及技雨也要殿守把信需至臬氮雷池裂造遇程中, 品^ 及性能的成在於正负趣板的^ ^ 及入罐程序,^ 大家想像甯池内部的横造 ^ 成 由正趣板,系松彖片及负趣板, 以is似搭心食并的方式, 符三者^ ^ 成一醴, 然彼推入雷池罐中,然接加入甯解液, 再加上上盖封装, 即完成一S 1甯池的裂造. ^ ^ 及入罐的程序若有失^ 不良, 即造成正负趣板破裂, 羟生毛刺或原料剥落, 如此曾使雷池容量减少, 内阻升高, 影警整Si雷池的重氟性能. 既然此步骤如此重要, 那消费者又判断呢? 以日系霜池装造摩来备兑, 整彳固霜池裂造是由全自勤化的生崖IS借来迤行,减少人焉装造的失言兔所以整批投崖的霜池, 其容量, 内阻等各方面的重氟特性曾相富一致, 但有些J®商裂造日寺是使用半自勤式加上人力去裂造,所以整批裂造出的雷池, 曾彝生容量不一致, 内阻靶凰谩大等缺黑占. 因^ 祭使用氢霜池日寺, 如: 数位相檄, 通常使用2 或4 II雷池去操作,若造黑H雷池的雷氟特性不均匀一致,即容易使雷池加速劣化而?咸短毒命.■充雷器的好塌差在那桂?有了好的雷池,若逗金昔了充重器一檬曾加速减短霜池毒命.不良的充霜器曾使雷池瓢法充能, 或遇度充甯,甯池没充能只是曾影警使用日寺螯寸霜池辗不良影警,但是遇度充重曾使重池劣化, 殿重者曾使甯池漏液. 要了解充重器僵劣徙其规格看起臂声看下表的分析:目规格^ 明侵 黑 占缺 黑 占ACLiner傅统燮屋器成本低is稹大且重to固定AC110V或只能固定一DC220V输入AC雷 ; 源 率 俞甯源入IMS witchi醇换式燮屋器世界各阈成本较局ng可输入重IE通用AC90V-240VIS稹小且允富4槽罩 各槽可罩褐充口 」 同 日 寺 充成本身槽阿1路 重, 加具褐立不同容量规格 充重迪路侦测控制JR牌之重池不曾^ 生‘电池充重匹配不良4 槽曼退路充需放置2SI或 4STS池才能充' 慧市卸普遍探用需要同一摩牌及容量之重池迤行充重t t f f l郴各温度俱W充重日寺侦测重池温度防止雷池谩充, 及甯池温度遇[Wj定匐懿O !l最高重1 E侦测出彼便改焉雷流襁倒充’鬣侦测^ 路成 本 申 父 低易受周遭璟境影警重屋俱混1 不隼辗法真正充-dVfflW金臬氢霜池在充可碓保重池 充 能 ‘建有些金臬氢霜池的曾 Ifl始微幅卜- d v 不明sa,降, 以下降曾 造 成 ^ 判8 ~ 1 0 m V 做焉充的■: 的截止脩件事 用 IC依 祭 霜 池 重可举硅及成本敕局控制氧特性及充重安全的封重 流 事 腐霜 池 充 霜 ,言亥雷池的控制充' 翟效雷路及侦测重率局路日耦三百 丁L 口口 土寸 右 升以日寺做篇充防止侦测若充重器单控制重截止的僚件路故障系 屯 以而 使 ‘建池此作篇充' 建遇充面 f f l截止可能使雷池谩充安全日 ,芍里AC -D C雷源部份是否有逋遇U L 或 CE 1 忍充甯保»1 . 是否有雷池正负趣置放金昔^保^2. 是否有雷池遇低重1 E涓流充重3. 是否有雷池短路保^市售之充重器大致分篇雨槿等级, 一槿串交便宜的充重器在1 0 0 - 3 0 0 元左右,其重路istf多探用上述之定重屋侦测及畤 ^控 制 ,所以有的充霜畤^曾申交晨,充霜效果也不佳,另一槿才票榜”急充重或快速充霜”, 充霜日寺^系勺在1~ 4 小日寺之其所需的充霜霜流较高, 所以其充重控制及{ f f i f f l 的脩件就要型碓,但大致脱蹄不了上述控制方式,增加的功能越多, 除了使霜池能58保安全性及毒命外,充霜效率也较高, 但相封的成本就高,所以售僵系勺在500- 1 0 0 0 元之■ 制由於金臬氧甯池的裂造技体亍以相常成熟,容量也不Bf提升,目前市面已^推出2 0 0 0 m A h 高容量的金臬氮重池,但是就充甯器 来 每 家 所 研 彝 裂 造 的 充 雷 器 ,好璨差臭就很大了, 常甯池充霜日寺,主要考的重钻禹雷池是否充鲍,曾不曾遇充,曾不曾¥ 咸短雷池毒命及安全性的冏题,以上述脩件看来,充重器常殳等十的控制僚件越多,封霜池充霜来^越有效率也越安全,富然便宜的充甯器也是可以充霜, 只是封霜池可能曾充不能或遇充,且充霜日寺的安全性才是更需注意的,所以建^消费者, 多花黑占一系且好的充霜器,因焉霜池的毒命; f t 短,充重器的影警也很大.使 用 雷 池 、 充 重 器 不 富 , 曾彝生什麽情况?霜 池 、 充重器常曾因焉使用不常、 鼠殳得十不良, 而蹲致起火燃^ , 道桂金十整寸使用雷池、 充重器须要小心的地方做彳固整理 。
道桂先介系召一彳固公式: I = v / R , 1 =重 流 , V=fl;E, R 二阻抗==雷: 流= 重1 E除以阻抗• ■池方面0 因I* *氢雷池通常只有加一彳固自勤回覆式的保^系系做篇保言蔓, 而自勤回覆式保陂^的勤作原理是重流 流 谩 羟 生 熟 , 使他的内阻赞生燮化, 燮篇一彳固高阻抗的 元 件 , 造畤能流谩的重流就曾燮的很小 , 而 逵 到 保 ^的 功 能 , 但如果符正负趣短路,接 在 一 起 , 道畤雷流就曾瓢限大, 而 崖 生 高 都 ,自勤回覆式保陂系系遢来不及反雁( 自勤回覆式保陂 ^ 不 良) , 或短 路 遇 久 , 自勤回覆式保陂^^生高热( ^E祭祖唁式, 在 ^ 放 空 ^ , 以 6 V 重 屋 短 路 1 0秒 ^, 温度即逵到100度以上) , 使塑月寥外段或其他靠近物溶毁, 迤而蹲致起火, 曾彝生造槿情况,最多的就是保存霜池不常, 随手放在包包桂, 正负趣刚好舆包包桂面的金腐物如输匙等接斶所厚致 , 避免之道就是用一系色^ 的柬西, 先符重池包起 来 , 再放入包包中, 即可避免上圈黄色部位就是自勤回覆式保陂系系O 道彳固冏题较常曾赞生在某些檄槿上, 原因是雷池PACK上 , 重源率俞出正负趣的地方SStf的太相近 , 容 易 碰 到 其 他 厚 重 物 。
• 碧 池 方 面鲤雷池在保^ 上的言殳言十上就比较有安全性了, 他狸 面 使 用 的 是 重 子 式 的 控 制 , 反鹰速度非常的快保勺10mS) , 就算你直接把正翼趣系合短路也没有 ^ 系 ( 保 ^ ^ 路 不 曾 赞 熟 ) , 他曾焉上的切掉输出的雷源, 所以彝生造槿形况比敕少兄, 但在^ 上逗用零件上就要注意一黑占了, 鲤霜池保^ 板上的谩霜流保言矍, 是取决於富居司^ 用的MOSFET( 埸效重晶fg) “ON”日寺的内阻, 内阻越高 , 谩重流保^ 的霜流就曾越低,反)1 越 快 , 内阻越低, 谩霜流保^ 的霜流就曾越高( 可流谩更高的霜流) , 但内阻谩高又曾使霜池的效能降低, 所以逗用MOSFET上 , 要金睡寸所要言殳得十的崖品, g最遹富的型虢, 道檬才曹速配o MITSUMI最新的保^ IC已把MOSFET也一起包迤 去 , 整彳固保^ 板只有四黑占端子, 雨彳固雷池IN ,1S彳固重池OUT, 大小只有系勺2MM*15MM大 小 ,未来也有可能招他直接放入霜池内, 道檬就不用再外加保^ 板了至里雷池最怕遇到的就是不良的充霜器, 如用月底冲一直封霜池充霜, 霜屋又言殳的太高( 高 谩 保 ^ ^屋) , 因服油一直送入, 保^ 板封遇充重的反鹰畤IW较慢保勺1 50mS) , 所以如果月底冲的频率高於反日寺^ , 霜就曾一直的充迤霜池桂, 而破坯了重池 , 鲤霜池封遇充及谩放霜的要求都很殿格, 只容 ^ 5 % 的 ^ 差,而41 氮 、 ^ 金鬲可连到2 0 % 。
• 充重器方面o 充重器的输出PIN IStf不 良,又辗输出短路保^的春舌,常曾造成霜池放入彼, 充重器的正翼趣短路 , 而在上面形一彳固退路, 而崖生熟, 醇致霜池外段溶毁, 分别雷池因正负趣短路或充雷器引起溶 毁 , 可判断雷池外觐, 如正负趣短路, 划所有的雷池上的塑夥包膜曾全部因高热而脱落, 如果是充重器引起, 通常只曾在靠近充霜座的雷池塑夥包膜才曾脱落^ 氢霜池充霜器如果只以- Z\v , 而没有最大充霜日寺^ 限定, 罩棵C ELL 0 V 侦 测 , 温度侦测,都有可能曾崖生不良的彼果如果没有罩棵C ELL 0 V 侦 测 , 那- 4 V 侦测就曾不 举 , 造就曾封雷池一直充霜, 又没有最大充重畤 ^ 限 制 , 那雷池就曾一直充, 充到彝熟, 彝熟彳爰又没有温度侦测, 温 度 一 直 提 高 , 就曾封霜池造成揖坯或危陂, 所以一台真正好的, 考J1到所有脩 件 的 充 霜 器 , 才是真正的好充重器, 但目前市 面 上 造 檬 的 柬 西 可 攵 有 , 最多只有以-z \v俱iffl, 外加最大充霜日寺^ 限制, 温度侦测在手檄上的充重器率交少看到 但在大霜流充霜的使用上一定得加温度侦测才 安 全 。
至里雷池的充霜器, 阜谩霜子的人都曾做, 最曾罩的就是用定重1E定雷 流 了 , 只要你做出一彳固定重JW源4.25V左右( 用34063很 好 做, 4.2V的鲤霜用)5定重流冷殳在ICmA, 放 下 去 充,充彳固雨他| 小日寺都能有至少90%的 效 率,且不怕雷池曾坯掉,金里雷池的充霜器曾罩的多了吧!如果要好一黑占,S彳 固TIMER 2彳固小日寺^ ^ 示燎亮表示充鲍, 再 ^ 究一黑占, 加他 重 屋 侦 测 , 常殳定他如果充了多久, «® 攵有升上来就表示重池坯掉, 切 断 雷 源 ,PIC或 其 他MICROCONTROLLER的 人 , 鹰言亥就曾嘉出一彳固事充鲤重的充雷器控制IC 了 O充重器目前有很多是塑夥射出府攵( 不要不相信) 、或没有寡棠背景的JK商在做, 外段自己射出, 基板^ 现成的( 有事咒落人言殳言十、 生筐的JR商) , f i合 彼 就 ^ 了 , 所以冏题曾很多充重器常兄的冏魅:■ 偷工减料, 把一些保^ 装置省略了■ 重ISIS定太高或太低, 不是曾谩充就是充不满 °■ 充重模示不封• 输出PIN1殳等十不良, 容易醇致知短路以上造些冏题她不是比敕有名的牌子就没有了,市面上有FF多打著知名xxxx牌遢IS速 ^ 店的 , 遢是有造槿情况赞生, 原因是他优号是^ 做贸易 的 , 没有事棠背景, 所以来源越便宜越好, 有没有冏题自己也不知道、 不曾测, 就只能II供:K商 的 ^ 法 了 。
O日前消基曾有金十量寸台裂甯池送工研院沏, 但台裂或中阈裂充重器谷口不见送沏I, 建^ 消基曹鹰也封市售非原)»充重器送测雷池爆炸事件原因分析及颈防■焉什麽都是台裂雷池出身犬况?手械重池品^ 及裂造来看, 台裂甯池系合人的印象^ 是蓄重力不足, 僵格便宜, 品^ 参差不膂, 但在^ 多通行瞒黄手械日寺, 往往建^ 消费者逗瞒台裂雷池, 原因端咎於手械重池的裂造技俄F E槛低, 而台湾有太多的手械重池裂造摩互相兢事, 篇了降低成本, 重池芯的取得醇向大陛探瞒, 更有悲劣的摩商, 以回收雷池来生崖贩售, 另外在雷池的保^ ^ 路板上, 也曾拾粢一些必要的 保 ^ 元 件 , 如: Polyswitch限流^ 信曷( 作篇短路及雷流谩大保 言 篁 ) 及温度保陂系系( 因短路雷池温度谩高, 保^ 系余^ 新) 等, 此外, 霜池芯本身也有短路保^ 元件( PTG) 来防止雷池短路爆炸,在所有日系雷池的横瞬襟型上,雷池如果短路, 是不曾引起爆炸的, 最多是造成雷池燮型漏液及膨月艮但是其它不明来源的甯池芯, 是否有通遇道檬的横瞬才票型就有待商硅了. 她不是所有的台裂霜池都有品^ 上的疑感, 有些台湾霜池裂造摩封品^要求也很殿格, 甚至有些阈外知名手檄裂造摩的霜池, 是交由台 湾 来OEM生羟的, 消费者在逗瞒雷池日寺, 逗撵包装完整且襟示清楚, 她有裂造JR商名?S及崖品保固的品牌, 在 品 上 鹰 多一眉保障.■人焉因素所造成! ?彳卷另一彳固角度思考, 手檄裂造摩常殳者十及使用者的警性不匏J ,也是蹲致甯池^ 毁或爆炸意外的因素之一 . 优手械的1殳 三 十 来 看 ,官午多手檄的底部都有一金腐接来速接旅充或座充的充重孔,使 用 者 若 不 小 心 , 符 其 舆 金 ^ ^ 重 物 ^ 接 斶 , 可能就曾造成重池短路, 富雷池短路接, 所崖生的高温, 使 用 者 在 察 受 彼 就 亥儒快招雷池优手檄取出, 道檬可能避免一次意外的彝生.■颈防雷池爆炸之封策不 ^ 何 槿 霜 子 羟 品 , 要做到保^ 使用者安全, 是羟品^ ^ 日寺最重要的原期, 也就是要儒可能的模掇使用者在任何情况下使用霜子崖品的可能性, 加且颈防可能彝生的状况. 就以手械来充重孔的言殳言十不良, 也是造成甯池爆炸的原因之一, 因焉有些糊壅的使用者, 偏偏就是不小心把金腐物舆手械底部的充霜孔互相接斶, 而造成短路, 樊生意外. 雷池逗麟上, 不要黄才票示不清的霜池, 基本的雷池规格, 装造公司, 一定要清楚的才票示在霜池上或包装上, 至少品^ 上有保障. 另外,使用者的使用雪惯 及 觐 念 ^ ^ 有 提 高 的 必 要 , 使 用 前 言 瘠 明 善 , 她 遵 照指示使用, 以避免不常使用, 否划裂造出品^ 再好的羟品, 即使是原摩雷池也好, 也不敢完全保瞪安全上的责任.新科技- 奈米雷池■前言奈米- 道彳固新名昌司, 最近在各槿科擘研究的领域, 常常彝垣它的出现, 道项新技循亍的^ 生, 可能使科技迤步的速度, 超遇我优所想 像 , 就如同很久以前, 重月辍的情造大的需要半彳固房才能放的 下 所 有 重 子 元 件 , 但科技的迤步, 以微米技彳而制造的甯子元件, 只要一 S1小 小 的 晶 片 , 就 能 虞 理 ^ ^ 的 程 式 , 世界各阈投 入 巨 资 , 稹 趣 投 入 奈 米 技 循 亍 的 研 究 未 来 奈 米 技 循 亍 的 成熟 , 势必引起另一波的崖品革命.■什麽是奈米技循亍?奈 米 (n m)-是 一 槿 度 量 的 罩 位 , 一槿比微米遢小的罩位, 等於100离 分 之 一 毫 米 , 换彳固角度看, 奈米级的粒子奥乒乓球的比f f i , 等於乒乓球舆地球的比值. 而符普通的化擘材料裂做成奈米 级 彼 , 成 篇 具 有 特 殊 功 能 的 奈 米 材 料 , 且其1午多物理及化擘特性, 如光擘, 力擘, 磁阜, 雷 阜 , 重 化 阜 , 械 械 结 横 等 , 更具僵良的 性 因 此 奈 米 技 循 亍 可JW泛的鹰用在各槿科技羟品的奈米技彳检将彳散底改燮各槿材料和元件的生崖方式及鹰用延伸,透遇奈米技体亍所裂造出的材料, 迤 而 符 它 ^ 成 具 有5g特 性 ^和功能的结横, 藉由此材料的JS用 , 可望系合人优带来更馨, 更强的 崖 品 , 带来新的崖品革命. 目前奈米技循亍的研究^ ^ 领域, 包括: 奈米级甯子用新裂程技优亍, 奈米系吉情的光甯技体亍, 高 密 度 ^,[意元件, 高速资三大通信用元件, 高效率霜池技循亍, 高强度多檄能之奈米结横材料等其所涉及可愿用的领域泛, 道封未央科技赞展符有深逮的影警.■奈米雷池奈米技彳而如何愿用在霜池上? 目前雷池研究的方向便是如何找到高能量密度的材料, 且能裂造出醴稹小, 重量馨, 瓢污染及毒命房的甯池. 目前已有FF多重池裂造J®著手迤行符奈米技雨用於霜池材料的装作上, 如日本NEC在2001年赞表一 ^ ^ 式霜子崖品事用的小型燃料霜池, 其虢穗能量比同18稹的金里蹄子霜池多1 0倍, 加在2003年-2005年 ^ 可 生 崖 出NB喜用重池, 可速^ ^ 日使用. 此槿霜池材料的BS维在於使用奈米技淅所裂造出奈米碳管(Carbon nana tube)的雷? f f i , 比遇去用石墨或一般碳材的雷趣多了 20%的重力, 因奈米碳材的横造比一般碳材更系田微, 可大大提高甯池化擘反鹰的效率, 奈米级碳粉其醇重特性侵越, 在常温下的内阻黑乎焉零, 用来取代鲤离隹子霜池内的材料, 可突破^ 多目前雷池彝展的瓶另外, 在中阈大陛也有以奈米技彳而所裂造的霜池, 耦焉”奈米活性碳^ 素霜池”, 主要愿用於甯勤隼上, 其虢耦可速^ 行驶400公里, 毒命循璟逵1000次, 且每次充霜只需1 0 -2 0分18,完全符合重勤隼能源的需求, 目前汽油隼污染及能源不易取得的情况下,未来奈米雷池可能成^ ^ 色能源的新指才票.■ 制奈米技循亍使科阜研究及改造物^ 世界的能力延伸到原子和分子, 以奈米fg念所表现出来於物理化擘和生物擘特性, 可能改燮所有羟品的^ 春十及裂造方式, 全世界科擘研究皆稹趣投投入奈米技体亍用的^ ^ , 未来的人IB生活食衣住行, 可能深受奈米的影警, 而改燮生活的方式.。

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