科创学院非线性电子元器件的检测工艺.ppt

技能一技能一 非线性电子元器件的检测工艺非线性电子元器件的检测工艺二极管二极管三极管三极管内容介绍内容介绍 本章介绍了非线性电子元器件的外形结构、标识本章介绍了非线性电子元器件的外形结构、标识符号和有关参数，同时也介绍了非线性电子元器件的符号和有关参数，同时也介绍了非线性电子元器件的筛选与检测方法通过对本章的学习，应掌握正确选筛选与检测方法通过对本章的学习，应掌握正确选用元器件的用元器件的准则准则，熟悉各种元器件的，熟悉各种元器件的电气参数电气参数、、性能性能用途用途，为设计时合理选择元器件打好基础，并为在生，为设计时合理选择元器件打好基础，并为在生产实际中进行产实际中进行质量检测质量检测做好准备做好准备 1.1.熟悉各种常用非线性电子元器件的类型和用途熟悉各种常用非线性电子元器件的类型和用途2.2.熟悉各种常用非线性电子元器件的形状和规格熟悉各种常用非线性电子元器件的形状和规格3.3.掌握用万用表检测常用非线性电子元器件的方法掌握用万用表检测常用非线性电子元器件的方法教学目标：教学目标： 1.1.常用线性元器件的种类、作用与标识方法常用线性元器件的种类、作用与标识方法。

2.2.万用表检测常用线性元器件的质量万用表检测常用线性元器件的质量教学难点：教学难点： 1.1.常用线性元器件的种类、作用与标识方法常用线性元器件的种类、作用与标识方法 2.2.万用表检测常用线性元器件的质量万用表检测常用线性元器件的质量教学重点：教学重点：半导体二极管半导体二极管1.1.构成构成 在在PNPN结的基础上加上电极引线和封装外壳结的基础上加上电极引线和封装外壳2.2.特性特性 单向导电性单向导电性3.3.作用作用 整流、检波、嵌位、限幅、稳压、发光、开关等整流、检波、嵌位、限幅、稳压、发光、开关等一、构成及特性一、构成及特性4.4.分类分类晶晶 体体 二二 极极 管管按按材料材料分分按按结构结构分分按按封装封装分分按按用途用途分分锗材料二极管锗材料二极管硅材料二极管硅材料二极管点接触型二极管点接触型二极管面接触型二极管面接触型二极管玻璃外壳二极管玻璃外壳二极管金属外壳二极管金属外壳二极管塑料外壳二极管塑料外壳二极管环氧树脂外壳二极管环氧树脂外壳二极管整流二极管整流二极管高压整流二极管高压整流二极管硅堆硅堆稳压二极管稳压二极管开关二极管开关二极管发光二极管发光二极管普通二极管普通二极管变容二极管变容二极管隧道二极管隧道二极管半导体二极管半导体二极管二极管一般符号二极管一般符号稳压二极管稳压二极管发光二极管发光二极管光电二极管光电二极管变容二极管变容二极管5.5.常用二极管的图形符号常用二极管的图形符号二、国产二极管的型号命名二、国产二极管的型号命名2AP9电极数目电极数目材料或极性材料或极性（字母）（字母）  类型类型（字母）（字母）序号序号字母ABCD含义N型锗材料（PNP）P型锗材料（NPN）N型硅材料（PNP）P型硅材料（NPN）二极管材料和极性部分字母的含义字母字母含义含义字母字母含义含义字母字母含义含义P普通管普通管L整流堆整流堆U光电管光电管W稳压管稳压管S隧道管隧道管K开关管开关管Z整流管整流管N阻力管阻力管V微波管微波管二极管类型部分字母的含义二极管类型部分字母的含义二、国产二极管的型号命名二、国产二极管的型号命名三、二极管的主要参数三、二极管的主要参数1. 1. 最大整流电流最大整流电流 I IF F二极管长期使用时，允许流过二极管的最二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。

大正向平均电流2. 2. 最大反向电压最大反向电压U URMRM是保证二极管不被击穿时所加的最高反向是保证二极管不被击穿时所加的最高反向峰值电压，一般给出的是二极管反向击穿电压峰值电压，一般给出的是二极管反向击穿电压U UBRBR的一半或三分之二二极管击穿后单向导电的一半或三分之二二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏性被破坏，甚至过热而烧坏3. 3. 反向峰值电流反向峰值电流I IRMRM　　　　　　指二极管加最高反向工作电压时的反向电　　指二极管加最高反向工作电压时的反向电流反向电流大，说明管子的单向导电性差，流反向电流大，说明管子的单向导电性差，I IRMRM受温度的影响，温度越高反向电流越大硅受温度的影响，温度越高反向电流越大硅管的反向电流较小管的反向电流较小，，锗管的反向电流较大，为锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几百倍硅管的几十到几百倍三、二极管的主要参数三、二极管的主要参数四、二极管的检测方法和极性判别四、二极管的检测方法和极性判别 锗材料二极管的正向电阻值为几百欧至锗材料二极管的正向电阻值为几百欧至2kΩ2kΩ左右，反向电阻值为左右，反向电阻值为300kΩ300kΩ左右。

硅材料左右硅材料二极管的正向电阻值为几百欧至二极管的正向电阻值为几百欧至5 5 kΩkΩ左右，左右，反向电阻值为反向电阻值为∞∞（无穷大）正向电阻越小越（无穷大）正向电阻越小越好，反向电阻越大越好正、反向电阻值相差好，反向电阻越大越好正、反向电阻值相差越悬殊，说明二极管的单向导电特性越好越悬殊，说明二极管的单向导电特性越好1.1.二极管的检测二极管的检测 将万用表置于将万用表置于R R××100100档或档或R R××1k1k档，两表笔档，两表笔分别接二极管的两个电极，测出其阻值后，对分别接二极管的两个电极，测出其阻值后，对调两表笔，再测出其阻值两次测量的结果中，调两表笔，再测出其阻值两次测量的结果中，有一次测量出的阻值较大（为反向电阻），一有一次测量出的阻值较大（为反向电阻），一次测量出的阻值较小（为正向阻）在阻值较次测量出的阻值较小（为正向阻）在阻值较小的一次测量中，黑表笔接的是二极管的正极，小的一次测量中，黑表笔接的是二极管的正极，红表笔接的是二极管的负极红表笔接的是二极管的负极2 2．．二极管极性的判别二极管极性的判别四、二极管的检测方法和极性判别四、二极管的检测方法和极性判别五、二极管的选用、代换五、二极管的选用、代换 a.a.检波二极管的选用检波二极管的选用 检波二极管一般可选用点接触型锗二极管。

检波二极管一般可选用点接触型锗二极管选用时应根据电路的具体要求选择工作频率高，选用时应根据电路的具体要求选择工作频率高，反向电流小，正向电流足够大的检波二极管反向电流小，正向电流足够大的检波二极管 b.b.检波二极管的代换检波二极管的代换 检波二极管损坏后，若无同型号二极管可检波二极管损坏后，若无同型号二极管可更换时，可选用半导体相同，主要参数相近的更换时，可选用半导体相同，主要参数相近的二极管来代替二极管来代替１．检波二极管的选用与代换１．检波二极管的选用与代换       整流二极管一般选用平面接触型硅二极管（电流大，整流二极管一般选用平面接触型硅二极管（电流大，温度高）用在各种电源整流电路中温度高）用在各种电源整流电路中       选用整流二极管时，主要考虑其最大整流电流，最大选用整流二极管时，主要考虑其最大整流电流，最大反向工作电压，截止频率及反向恢复时间等参数反向工作电压，截止频率及反向恢复时间等参数       普通普通串联稳压电源串联稳压电源电路中使用的整流二极管，只要根电路中使用的整流二极管，只要根据电路要求选择最大整流电流和最大反向工作电压符合要据电路要求选择最大整流电流和最大反向工作电压符合要求的整流二极管；求的整流二极管；开关稳压电源开关稳压电源的整流电路及的整流电路及脉冲整流电脉冲整流电路路中使用的二极管，应选用工作频率较高，反向恢复时间中使用的二极管，应选用工作频率较高，反向恢复时间较短的整流二极管。

较短的整流二极管２２.整流二极管的选用与代换整流二极管的选用与代换a.a.整流二极管的选用整流二极管的选用五、二极管的选用、代换五、二极管的选用、代换 整流二极管损坏后，可用同型号的整流二极管或参整流二极管损坏后，可用同型号的整流二极管或参数相同的其它型号整流二极管代替数相同的其它型号整流二极管代替 通常：高耐压值（反向电压）的整流二极管可代换通常：高耐压值（反向电压）的整流二极管可代换低耐压值的整流二极管，整流电流大的二极管可代用整低耐压值的整流二极管，整流电流大的二极管可代用整流电流小的二极管流电流小的二极管b.b.整流二极管的代换整流二极管的代换五、二极管的选用、代换五、二极管的选用、代换3.稳压二极管的选用与代换稳压二极管的选用与代换 (1)(1)稳压二极管的选用稳压二极管的选用：： 在选用稳压二极管时，应注意稳压二极管的稳定电在选用稳压二极管时，应注意稳压二极管的稳定电压值及最大稳定电流（一般应比最大负载电流的压值及最大稳定电流（一般应比最大负载电流的50%50%要要大一些）大一些） (2)(2)稳压二极管的代换：稳压二极管的代换： 原则上，应用同型号或参数相近的稳压管代换。

另原则上，应用同型号或参数相近的稳压管代换另外，在具有相同稳定电压值的基础上：高耗散功率稳压外，在具有相同稳定电压值的基础上：高耗散功率稳压二极管可代换低耗散功率稳压二极管二极管可代换低耗散功率稳压二极管五、二极管的选用、代换五、二极管的选用、代换 开关电路和检波电路，可选用开关电路和检波电路，可选用2AK2AK系列普通开关二极系列普通开关二极管高速开关电路可选用管高速开关电路可选用RLSRLS系列；系列；ISSISS系列；系列；ININ系列；系列；ZCKZCK系列的高速开关二极管根据电路的主要参数（正向系列的高速开关二极管根据电路的主要参数（正向电流，最高反向电压反向恢复时间等）来选择电流，最高反向电压反向恢复时间等）来选择五、二极管的选用、代换五、二极管的选用、代换4.开关二极管的选用与代换开关二极管的选用与代换(1)开关二极管的选用：开关二极管的选用： 开关二极管损坏后，可用同类型或参数相同的开关二开关二极管损坏后，可用同类型或参数相同的开关二极管代换另外，高速开关二极管可代换普通开关二极管，极管代换另外，高速开关二极管可代换普通开关二极管，反向电压高的可代换反向电压低的开关二极管。

反向电压高的可代换反向电压低的开关二极管2)开关二极管的代换开关二极管的代换 (1)(1)变容二极管的选用变容二极管的选用 在选用时，应注意工作频率，最高反向工作电压，在选用时，应注意工作频率，最高反向工作电压，最大正向电流，零偏压结电容同时，应选用结电容变最大正向电流，零偏压结电容同时，应选用结电容变化大，反向漏电流小的变容二极管化大，反向漏电流小的变容二极管 (2)(2)变容二极管的代换变容二极管的代换 变容二极管损坏后，应用原型号或主要参数相同变容二极管损坏后，应用原型号或主要参数相同（特别是结电容范围相同或近似）来代换特别是结电容范围相同或近似）来代换5.变容二极管的选用与代换变容二极管的选用与代换五、二极管的选用、代换五、二极管的选用、代换稳压二极管稳压二极管贴片二极管贴片二极管六、观看二极管实物图六、观看二极管实物图六、观看二极管实物图六、观看二极管实物图整流二极管整流二极管发光二极管发光二极管LED数码管数码管       发光二极管发光二极管六、观看二极管实物图六、观看二极管实物图LED二极管电筒二极管电筒 六、观看二极管实物图六、观看二极管实物图光敏二极管光敏二极管红外发射二极管红外发射二极管变容二极管变容二极管激光二极管激光二极管六、观看二极管实物图六、观看二极管实物图旋转整流二极管旋转整流二极管 片式二极管片式二极管 六、观看二极管实物图六、观看二极管实物图1.1.５５ 半导体三极管半导体三极管一、三极管的构成、符号和分类一、三极管的构成、符号和分类　　　　 1.构成构成NPN三极管PNP三极管3.分类分类2.符号符号晶晶 体体 三三 极极 管管按材料分按材料分按按PN结结分分按封装分按封装分锗晶体三极管锗晶体三极管硅晶体三极管硅晶体三极管NPN型三极管型三极管PNP型三极管型三极管高频管高频管大功率管大功率管中功率管中功率管小功率管小功率管玻璃壳封装管玻璃壳封装管金属壳封装管金属壳封装管陶瓷环氧封装管陶瓷环氧封装管低频管低频管G型金属封装管型金属封装管F型金属封装管型金属封装管按工作频率分按工作频率分按功率分按功率分方型金属封装管方型金属封装管二、国产三极管的命名二、国产三极管的命名3DG6C电极数目电极数目材料或材料或极性极性类型类型序号序号区别代号区别代号字母ABCD含义N型锗材料（PNP）P型锗材料（NPN）N型硅材料（PNP）P型硅材料（NPN）三极管材料和极性部分字母的含义三极管材料和极性部分字母的含义三极管类型部分字母的含义三极管类型部分字母的含义字母字母含义含义X X低频小功率管低频小功率管f fa a＜＜3MHz3MHz，，P Pc c＜＜1W1WG G高频小功率管高频小功率管f fa a≥≥3MHz3MHz，，P Pc c＜＜1W1WD D低频大功率管低频大功率管f fa a＜＜3MHz3MHz，，P Pc c≥≥1W1WA A高频大功率管高频大功率管f fa a≥≥3MHz3MHz，，P Pc c≥≥1W1W二、国产三极管的命名二、国产三极管的命名1 1、日本半导体分立器件型号命名方法（、日本半导体分立器件型号命名方法（2SXXX 2SXXX ））      第一部分第一部分：：用数字表示器件ＰＮ结数目或类型用数字表示器件ＰＮ结数目或类型。

0-0-光光敏二极管、三极管及上述器件的组合管、敏二极管、三极管及上述器件的组合管、1-1-二极管、二极管、2 2－－具有两个具有两个ＰＮＰＮ结的其他器件、结的其他器件、3-3-具有三个具有三个pnpn结的其他器结的其他器件、依此类推件、依此类推 第二部分第二部分：：日本电子工业协会日本电子工业协会JEIAJEIA注册标志注册标志S-S-表示表示已在日本电子工业协会已在日本电子工业协会JEIAJEIA注册登记的半导体分立器件注册登记的半导体分立器件            三、国外三极管的命名三、国外三极管的命名   第三部分第三部分：：用字母表示器件使用材料极性和类型用字母表示器件使用材料极性和类型A-PNPA-PNP型硅高频管、型硅高频管、B-PNPB-PNP型硅低频管、型硅低频管、C-NPNC-NPN型锗高频管、型锗高频管、D-NPND-NPN型锗低频管、型锗低频管、F-PF-P控制极可控硅、控制极可控硅、G-NG-N控制极可控硅、控制极可控硅、H-NH-N基极单结晶体管、基极单结晶体管、J-PJ-P沟道场效应管、沟道场效应管、K-N K-N 沟道场效沟道场效应管、应管、M-M-双向可控硅。

双向可控硅            三、国外三极管的命名三、国外三极管的命名    第四部分第四部分：：用数字表示在日本电子工业协会用数字表示在日本电子工业协会JEIAJEIA登记登记的顺序号的顺序号不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品序号；数字越大，越是近期产品    第五部分第五部分：：用字母表示同一型号的改进型产品标志用字母表示同一型号的改进型产品标志2 2、美国半导体分立器件型号命名方法、美国半导体分立器件型号命名方法 （（X2NXXX 2NXXX ）） 美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱美美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：      第一部分第一部分：：用符号表示器件用途的类型用符号表示器件用途的类型JAN-JAN-军军级、级、JANTX-JANTX-特军级、特军级、JANTXV-JANTXV-超特军级、超特军级、JANS-JANS-宇航级、宇航级、（无）（无）- -非军用品非军用品三、国外三极管的命名三、国外三极管的命名    第三部分第三部分：：美国电子工业协会（美国电子工业协会（EIAEIA）注册标志。

注册标志N-N-该器件已在美国电子工业协会（该器件已在美国电子工业协会（EIAEIA）注册登记注册登记    第四部分第四部分：：美国电子工业协会登记顺序号美国电子工业协会登记顺序号     　　第五部分第五部分：：用字母表示器件分档用字母表示器件分档A A、、B B、、C C、、D D、、┄┄┄┄同一型号器件的不同档别如：同一型号器件的不同档别如：JAN2N3251AJAN2N3251A表示表示PNPPNP硅高频小功率开关三极管，硅高频小功率开关三极管，JAN-JAN-军级、军级、2-2-三极管、三极管、N-EIA N-EIA 注册标志、注册标志、3251-EIA3251-EIA登记顺序号、登记顺序号、A-AA-A档　三、国外三极管的命名三、国外三极管的命名      第一部分第一部分：：用字母表示器件使用的材料用字母表示器件使用的材料A-A-器件使器件使用材料的禁带宽度用材料的禁带宽度EgEg=0.6~1.0eV =0.6~1.0eV 如锗、如锗、B-B-器件使用材料的器件使用材料的g=1.0~1.3eV g=1.0~1.3eV 如硅、如硅、C-C-器件使用材料的器件使用材料的EgEg>1.3eV >1.3eV 如砷化镓、如砷化镓、D-D-器件使用材料的器件使用材料的EgEg<0.6eV <0.6eV 如锑化铟、如锑化铟、E-E-器件使用复合材器件使用复合材料及光电池使用的材料。

料及光电池使用的材料       第二部分第二部分：：用字母表示器件的类型及主要特征用字母表示器件的类型及主要特征A-A-检波开关混频二极管；检波开关混频二极管；B-B-变容二极管；变容二极管；C-C-低频小功率三极低频小功率三极管；管；D-D-低频大功率三极管；低频大功率三极管；E-E-隧道二极管；隧道二极管；F-F-高频小功率高频小功率三极管；三极管；G-G-复合器件及其他器件；复合器件及其他器件；H-H-磁敏二极管；磁敏二极管；K-K-开环开环磁路中的霍尔元件；磁路中的霍尔元件；L-L-高频大功率三极管；高频大功率三极管；M-M-封闭磁路中封闭磁路中的霍尔元件的霍尔元件  ；；P-P-光敏器件；光敏器件；Q-Q-发光器件；发光器件；R-R-小功率晶闸小功率晶闸管；管；S-S-小功率开关管；小功率开关管；T-T-大功率晶闸管；大功率晶闸管；U-U-大功率开关管；大功率开关管；X-X-倍增二极管；倍增二极管；Y-Y-整流二极管；整流二极管；Z-Z-稳压二极管稳压二极管3 3、国际电子联合会半导体器件型号命名方法（、国际电子联合会半导体器件型号命名方法（BDXXX BDXXX ）） 三、国外三极管的命名三、国外三极管的命名      　　第三部分第三部分：：用数字或字母加数字表示登记号。

用数字或字母加数字表示登记号三位三位数字数字- -代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字位数字- -表示专用半导体器件的登记序号表示专用半导体器件的登记序号      第四部分第四部分：：用字母对同一类型号器件进行分档用字母对同一类型号器件进行分档A A、、B B、、C C、、D D、、E┄┄-E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志行分档的标志如：如：BDX51-表示表示NPN硅低频大功率三极管，硅低频大功率三极管，AF239S-表表示示PNP锗高频小功率三极管锗高频小功率三极管 三、国外三极管的命名三、国外三极管的命名4 4、、韩国半导体分立器件型号命名方法韩国半导体分立器件型号命名方法 （（90XX 90XX ）） NPNNPN：：90119011、、90139013、、90149014、、90169016、、90189018 PNPPNP：：90129012、、90159015 三、国外三极管的命名三、国外三极管的命名四、三极管的主要参数四、三极管的主要参数ββ表示交流电流放大系数，表示交流电流放大系数， h hFEFE表示直流电流放大系数。

表示直流电流放大系数常在三极管外壳上用色点表示常在三极管外壳上用色点表示h hFEFE 国产锗、硅开关管国产锗、硅开关管, ,高、低频小功率管高、低频小功率管, , 硅低频大功率管所硅低频大功率管所用的色标标志如下表所示用的色标标志如下表所示  1、电流放大系数、电流放大系数β和和hFEβ范围5～1515～2525～4040～55 55～8080～120120～180180～270270～400400～600色标棕红橙黄绿蓝紫灰白黑 I ICMCM是是ββ值下降到额定值的值下降到额定值的2/32/3时，所允许通过的最时，所允许通过的最大集电极电流大集电极电流 P PCMCM决定管子的温升决定管子的温升硅管的最高温度硅管的最高温度150150O OC C，锗管，锗管为为7070O OC C 三极管工作频率超过一定值时，三极管工作频率超过一定值时，ββ开始下降，当开始下降，当ββ=1=1，所对应的频率叫特征频率所对应的频率叫特征频率2、集电极最大电流、集电极最大电流ICM3、集电极最大允许功耗、集电极最大允许功耗PCM 4、特征频率、特征频率fT四、三极管的主要参数四、三极管的主要参数五、三极管的检测方法和极性识别五、三极管的检测方法和极性识别1 1、常用晶体三极管的外形识别、常用晶体三极管的外形识别 ①①小功率晶体三极管外形电极识别小功率晶体三极管外形电极识别: :对于小功率晶体对于小功率晶体三极管来说三极管来说, ,有金属外壳和塑料外壳封装两种有金属外壳和塑料外壳封装两种, ,如下图如下图  ②②大功率晶体三极管外形电极识别大功率晶体三极管外形电极识别: :对于大功率晶体三极管对于大功率晶体三极管, ,外形一般分为外形一般分为F F型，型，G G型两种型两种, ,如下图如下图 (a) (a) 所示。

所示F F型管从外形上型管从外形上只能看到两个电极将管脚底面朝上只能看到两个电极将管脚底面朝上, ,两个电极管脚置于左侧两个电极管脚置于左侧, ,上上面为面为e e极极, ,下为下为b b极极, ,底座为底座为C C极G G型管的三个电极的分布如下图型管的三个电极的分布如下图 (b) (b) 所示 2 2、万用表检测三极管的管脚、万用表检测三极管的管脚　　 选用万用表选用万用表R R××100100和和R R××1k1k挡挡（１）确认基极和类型（１）确认基极和类型　　　　假设一只引脚为假设一只引脚为b b极极, ,黑表笔接假设的基极黑表笔接假设的基极b b，红表，红表笔分别接另外两只引脚，如测得两次的阻值都较小而笔分别接另外两只引脚，如测得两次的阻值都较小而且相近，说明假设成立且相近，说明假设成立. .且知是且知是ＮＰＮＮＰＮ型如两次阻值型如两次阻值都很大，用红表笔接假设的基极，黑表笔分别接另外都很大，用红表笔接假设的基极，黑表笔分别接另外两只引脚，如测得两次的阻值也都较小而且相近，说两只引脚，如测得两次的阻值也都较小而且相近，说明假设也成立明假设也成立. .且知是且知是ＰＮＰ型。

型五、三极管的检测方法和极性识别五、三极管的检测方法和极性识别（２）判定集电极（２）判定集电极c c和发射集和发射集e e　　①①现以现以NPNNPN型三极管为例加以说明将万用表置于型三极管为例加以说明将万用表置于R R××1k1k挡假设一只引脚为假设一只引脚为c,c,那另一只引脚为那另一只引脚为e e用黑表笔接假设的用黑表笔接假设的c c，红，红笔接假设的笔接假设的e.e. 然后用手指将基极与假设的然后用手指将基极与假设的c c短接起来，记下阻值然后再作短接起来，记下阻值然后再作相反的假设，即把原来假设的相反的假设，即把原来假设的c c现假设为现假设为e,e,原来假设的原来假设的e e现假设现假设为为c c，用同样的方法测试并记下阻值将这两次阻值进行比较，用同样的方法测试并记下阻值将这两次阻值进行比较. . 阻值阻值小小的一次的一次, ,测量时测量时黑表笔黑表笔接的是接的是c c, ,红表笔红表笔接的是接的是e e 对于对于PNPPNP型与型与NPNNPN型刚好相反型刚好相反 ②②将万用表置于将万用表置于R R××1 1００k k挡，用表笔测量余下的两只挡，用表笔测量余下的两只引脚，调换表笔测量两次，记下每次阻值，然后进行引脚，调换表笔测量两次，记下每次阻值，然后进行比较，阻值小的一次，对ＮＰＮ型来说，比较，阻值小的一次，对ＮＰＮ型来说，黑黑表笔接的表笔接的是是e e, ,红红笔接的是笔接的是c c。

对对P PＮＮP P型来说，型来说，黑黑表笔接的是表笔接的是c c, ,红红笔接的是笔接的是e e③③将已判别出基极的三极管管脚插入测晶体管直流放将已判别出基极的三极管管脚插入测晶体管直流放大系数的插孔中，（ＮＰＮ－大系数的插孔中，（ＮＰＮ－N N型、ＰＮＰ－型、ＰＮＰ－P P型），型），基极对准基极对准b,b,另两引脚任意插入读出另两引脚任意插入读出ββ１１，再将两引，再将两引脚对调一下插入测试，再读出脚对调一下插入测试，再读出ββ２２，将两次的，将两次的ββ进行进行比较，大的一次插入引脚正确，从插孔旁的标记即可比较，大的一次插入引脚正确，从插孔旁的标记即可知知c c、、e.e.六、观看三极管实物图六、观看三极管实物图塑封大功率三极管塑封小功率三极管六、观看三极管实物图六、观看三极管实物图1.6 光电耦合器光电耦合器一、光电耦合器的定义、组成及分类一、光电耦合器的定义、组成及分类1、定义、定义 光电耦合器是以光为媒介传输电信号的一种电光电耦合器是以光为媒介传输电信号的一种电--光光--电转换器件电转换器件2、组成、组成 它由它由发光源发光源和和受光器受光器两部分组成。

把发光源和受两部分组成把发光源和受光器组装在同一密闭的壳体内，彼此间用透明绝缘光器组装在同一密闭的壳体内，彼此间用透明绝缘体隔离发光源的引脚为输入端，受光器的引脚为体隔离发光源的引脚为输入端，受光器的引脚为输出端，常见的发光源为输出端，常见的发光源为发光二极管发光二极管，受光器为，受光器为光光敏二极管敏二极管、、光敏三极管光敏三极管等3、分类、分类 常见有常见有光电二极管型光电二极管型、、光电三极管型光电三极管型、、光敏电阻型光敏电阻型、、光控晶闸管型光控晶闸管型、、光电达林顿型光电达林顿型、、集成电路型集成电路型等等 光电耦合器是一种把光电耦合器是一种把电子信号电子信号转换成为转换成为光学信号光学信号，，然后又转为然后又转为电子信号电子信号的半导体器件在光电耦合器输入的半导体器件在光电耦合器输入端加电信号使发光源发光，光的强度取决于激励电流的端加电信号使发光源发光，光的强度取决于激励电流的大小，此光照射到封装在一起的受光器上后，因光电效大小，此光照射到封装在一起的受光器上后，因光电效应而产生了光电流，由受光器输出端引出，这样就实现应而产生了光电流，由受光器输出端引出，这样就实现了了电电-光光-电电的转换。

的转换 二、光电耦合器的工作原理二、光电耦合器的工作原理光电耦合器的工作原理光电耦合器的工作原理光电耦合器的标志和现象光电耦合器的标志和现象1.7 1.7 可控硅（晶闸管）可控硅（晶闸管）      晶闸管晶闸管是晶体闸流管的简称是晶体闸流管的简称, ,又称为可控硅整流器又称为可控硅整流器, ,在国内俗称可控硅在国内俗称可控硅一、一、晶闸管的分类和符号晶闸管的分类和符号１、分类１、分类（（1 1））从外形分从外形分螺栓型螺栓型和和平板型平板型　　 额定电流小于额定电流小于200A200A的晶闸管用的晶闸管用螺栓型螺栓型，额定电流，额定电流大于大于200A200A的晶闸管用的晶闸管用平板型　（2 2））按控制方式分按控制方式分　　　普通晶闸管、双向晶闸管、温控晶闸管（　　　普通晶闸管、双向晶闸管、温控晶闸管（TSCRTSCR））和光控晶闸管（和光控晶闸管（LSCRLSCR）等多种（（3 3））按引脚和极性分类按引脚和极性分类 二极晶闸管、三极晶闸管和四极晶闸管二极晶闸管、三极晶闸管和四极晶闸管4 4））按封装形式分类按封装形式分类 金属封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶金属封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶闸管三种类型。

闸管三种类型 其中，金属封装晶闸管又分为螺栓形、平板其中，金属封装晶闸管又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封晶闸管又分为带散热片形、圆壳形等多种；塑封晶闸管又分为带散热片型和不带散热片型两种型和不带散热片型两种（（5 5））按功率分类按功率分类 大功率晶闸管、中功率晶闸管和小功率晶闸大功率晶闸管、中功率晶闸管和小功率晶闸管三种通常，大功率晶闸管多采用金属壳封装，管三种通常，大功率晶闸管多采用金属壳封装，而中、小功率晶闸管则多采用塑封或陶瓷封装而中、小功率晶闸管则多采用塑封或陶瓷封装２、符号２、符号二、单向二、单向晶闸管的工作原理晶闸管的工作原理 可控硅是可控硅是PNPNPNPN四层三端结构元件，共有三个四层三端结构元件，共有三个PNPN结结阳阳 极极阴阴 极极控制极控制极晶闸管可看成由晶闸管可看成由PNP和和NPN型两个晶体管联接而成型两个晶体管联接而成1)晶闸管阳极晶闸管阳极A与阴极与阴极K之间加正向电压，之间加正向电压，若控制极断开，两个三极管均无基极电流，若控制极断开，两个三极管均无基极电流，晶闸管不导通晶闸管不导通2) 在控制极在控制极G与阴极与阴极K之间加正向电压，之间加正向电压，当当IG到达一定数值，到达一定数值，T2首先导通：首先导通：IB2=IG，，IC2= IB2=  IG又：又： IB1=IC2, 随后随后T2导通，导通，IC1与与IG一起进入一起进入T2的基极后再次放大。

的基极后再次放大该过程在极短时间内连锁循环进行，该过程在极短时间内连锁循环进行，晶闸管瞬间全部饱和导通晶闸管瞬间全部饱和导通等效电路等效电路3））晶晶闸管导通闸管导通后后，即使控制极与外界断，即使控制极与外界断      开，开，T2管的基极电流管的基极电流IB2=IC1 IA，比，比IG            大，管子维持导通，大，管子维持导通，IA=IK ,VAK=1V在导通在导通后，要关断晶闸管：后，要关断晶闸管：晶闸管导通后，控制极失去控制作用晶闸管导通后，控制极失去控制作用1）阳极电流）阳极电流IA减小到某一数值以下，减小到某一数值以下，      内部连锁状态不能维持，管子截止内部连锁状态不能维持，管子截止2) 切断阳极电源切断阳极电源3) 在阳极和阴极之间加反向电压在阳极和阴极之间加反向电压+–可控硅导通和关断条件可控硅导通和关断条件状态状态条件条件说明说明从关断到导通从关断到导通1 1、阳极电位高于、阳极电位高于是阴极电位是阴极电位2 2、控制极有足够、控制极有足够的正向电压和电的正向电压和电流流两者缺一不可两者缺一不可维持导通维持导通1 1、阳极电位高于、阳极电位高于阴极电位阴极电位2 2、阳极电流大于、阳极电流大于维持电流维持电流  两者缺一不可两者缺一不可从导通到关断从导通到关断1 1、阳极电位低于、阳极电位低于阴极电位阴极电位2 2、阳极电流小于、阳极电流小于维持电流维持电流任一条件即可任一条件即可  三、三、晶闸管的命名晶闸管的命名目目前前第二部分：第二部分：类别类别    P P普通反向阻断型、普通反向阻断型、K K快速反向阻断型、快速反向阻断型、S S双向型。

双向型第三部分：第三部分：额定正向平均电流额定正向平均电流1 1：：1A1A、、5 5：：5A5A、、1010：：10A10A、、2020：：20A20A、、3030：：30A 30A 5050：：50A50A、、100100：：100A100A、、200200：：200A200A、、300300：：300A300A、、400400：：400A400A、、500500：：500A500A第四部分：第四部分：额定电压级数额定电压级数1 1：：100V 100V 2 2：：200V 200V 3 3：：300V 300V 4 4：：400V 400V 5 5：：500V 500V 6 6：：600V 600V 7 7：：700V 700V 8 8：：800V 800V 9 9：：900V 900V 1010：：1000V 1000V 1212：：1200V 1200V 1414：：1400V1400V四、单向可控硅的检测和极性确定四、单向可控硅的检测和极性确定 １、检测１、检测　　一般可用万用表欧姆档检查晶闸管　　一般可用万用表欧姆档检查晶闸管阳极与阴极阳极与阴极之之间以及间以及阳极与控制极阳极与控制极之间有无短路。

将万用表置于欧之间有无短路将万用表置于欧姆挡姆挡R R××1K1K，测量，测量阳极与阴极阳极与阴极之间、之间、阳极与控制极阳极与控制极之间之间的正反向电阻，正常时应很大（几百千欧以上）再的正反向电阻，正常时应很大（几百千欧以上）再检查检查控制极与阴极间控制极与阴极间有无短路或断路可将万用表置有无短路或断路可将万用表置于欧姆挡于欧姆挡R R××1 1或或R R××1010，测出，测出控制控制极对阴极正向电阻，极对阴极正向电阻，一般应为几欧至几百欧，反向电阻比正向电阻要大一一般应为几欧至几百欧，反向电阻比正向电阻要大一些其反向电阻不大不能说明晶闸管不好，但其正向些其反向电阻不大不能说明晶闸管不好，但其正向电阻不能为零或大于几千欧，正向电阻为零时，说明电阻不能为零或大于几千欧，正向电阻为零时，说明控制极与阴极间短路；大于几千欧时，说明控制极与控制极与阴极间短路；大于几千欧时，说明控制极与阴极间断开阴极间断开极性确定方法极性确定方法：：用万用表欧姆档的用万用表欧姆档的R R××1 1或或R R××1010档，档，用黑表笔接其中的一之管脚，用红表笔去接剩下的两用黑表笔接其中的一之管脚，用红表笔去接剩下的两只管脚，测量阻值为几欧至几百欧姆这一次，黑表笔只管脚，测量阻值为几欧至几百欧姆这一次，黑表笔接栅极，红表笔接阴极，剩下的管脚为阳极。

接栅极，红表笔接阴极，剩下的管脚为阳极五、看实物图五、看实物图1.8 1.8 半导体场效应管半导体场效应管一、一、作用作用及及分类分类１、１、作用作用 放大、集成、开关等放大、集成、开关等２、２、分类分类 按导电极性按导电极性：：N N沟道、沟道、P P沟道 按材料按材料：：S Si i、、G Ge e 按控制方式按控制方式：结型场效应管（：结型场效应管（JFETJFET）、）、 绝缘栅型场效应管绝缘栅型场效应管(MOSFET(MOSFET））利用电压控制电流以实现放大作用的半导体器件利用电压控制电流以实现放大作用的半导体器件3 3、场效应管的结构及符号、场效应管的结构及符号N沟道沟道JFETP沟道沟道JFETN沟道耗尽型沟道耗尽型MOSP沟道耗尽型沟道耗尽型MOSN沟道增强型沟道增强型MOSP沟道增强型沟道增强型MOS3 3、场效应管的结构及符号、场效应管的结构及符号二、国产场效应管的命名二、国产场效应管的命名第一种命名方法与双极型三极管相同第一种命名方法与双极型三极管相同第一位第一位是电极数目（数字）；是电极数目（数字）；第二位第二位是材料（字母）；是材料（字母）；A A是锗，反型层是是锗，反型层是P P沟道；沟道；B B是锗，反型层是是锗，反型层是N N沟道；沟道；C C是硅，反型层是是硅，反型层是P P沟道；沟道；D D是硅，反型层是是硅，反型层是N N沟道。

沟道第三位是第三位是类型（类型（字母）字母）J J代表结型场效应管，代表结型场效应管，O O代表绝缘栅场效应管代表绝缘栅场效应管例如：例如：3DJ6D3DJ6D是结型是结型N N沟道场效应管，沟道场效应管，3DO6C 3DO6C 是绝缘栅型是绝缘栅型N N沟道场效应管沟道场效应管第二种命名方法是第二种命名方法是CSCS××××# #CSCS代表场效应管，代表场效应管，××××以数字代表型号的序号，以数字代表型号的序号，# #用字用字母代表同一型号中的不同规格例如母代表同一型号中的不同规格例如CS14ACS14A、、CS45GCS45G等 三、场效应管的主要参数三、场效应管的主要参数1 1、、I I DSSDSS —— 饱和漏源电流是指结型或耗尽型绝饱和漏源电流是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压缘栅场效应管中，栅极电压U UGSGS=0=0时的漏源电流时的漏源电流2 2、、U UP P —— 夹断电压是指结型或耗尽型绝缘栅场夹断电压是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅源极电压效应管中，使漏源间刚截止时的栅源极电压3 3、、U UT T —— 开启电压。

是指增强型绝缘栅场效管中，开启电压是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压使漏源间刚导通时的栅极电压4 4、、g gm m —— 跨导是表示栅源电压跨导是表示栅源电压U U GS GS —— 对漏极电对漏极电流流I I D D的控制能力，即漏极电流的控制能力，即漏极电流I I D D变化量与栅源电变化量与栅源电压压U UGSGS变化量的比值变化量的比值g gm m是衡量场效应管放大能力的是衡量场效应管放大能力的重要参数重要参数四、四、 MOS场效应晶体管使用注意事项场效应晶体管使用注意事项　　　　MOSMOS场效应晶体管在使用时应注意分类，不能随场效应晶体管在使用时应注意分类，不能随意互换MOSMOS场效应晶体管由于输入阻抗高（包括场效应晶体管由于输入阻抗高（包括MOSMOS集成电路）极易被静电击穿，使用时应注意以下规则：集成电路）极易被静电击穿，使用时应注意以下规则：（（1 1）、）、MOSMOS器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随便拿个塑料袋装也可用细铜料袋中，切勿自行随便拿个塑料袋装也可用细铜线把各个引脚连接在一起，或用锡纸包装线把各个引脚连接在一起，或用锡纸包装（（2 2）、取出的）、取出的MOSMOS器件不能在塑料板上滑动，应用器件不能在塑料板上滑动，应用金属盘来盛放待用器件。

金属盘来盛放待用器件3 3）、焊接用的电烙铁必须良好接地焊接用的电烙铁必须良好接地（（4 4）、在焊接前应把电路板的电源线与地线短接，）、在焊接前应把电路板的电源线与地线短接，再再MOSMOS器件焊接完成后在分开器件焊接完成后在分开5 5）、）、MOSMOS器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极拆机时顺序相反拆机时顺序相反 （（6 6）、电路板在装机之前，要用接地的线夹子去碰）、电路板在装机之前，要用接地的线夹子去碰一下机器的各接线端子，再把电路板接上去一下机器的各接线端子，再把电路板接上去7 7）、）、 MOSMOS场效应晶体管的栅极在允许条件下，最场效应晶体管的栅极在允许条件下，最好接入保护二极管在检修电路时应注意查证原有的好接入保护二极管在检修电路时应注意查证原有的保护二极管是否损坏保护二极管是否损坏 六、观看实物图六、观看实物图1.9 1.9 集成电路（集成电路（ICIC）） 集成电路集成电路是把一个电子单元电路或某一个功能、一些功能，是把一个电子单元电路或某一个功能、一些功能，甚至某一整机的功能电路集中制作在一个晶片或瓷片上，并封甚至某一整机的功能电路集中制作在一个晶片或瓷片上，并封装在一个便于安装焊接的外壳中。

装在一个便于安装焊接的外壳中 特点：特点：体积小、重量轻、成本低、耗电少、可靠性高和电体积小、重量轻、成本低、耗电少、可靠性高和电气性能优良等优点气性能优良等优点一、集成电路分类一、集成电路分类  １、按制造工艺和结构分１、按制造工艺和结构分   薄膜集成电路薄膜集成电路是将整个电路的晶体管、二极管、电阻、是将整个电路的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件以及它们之间的互连引线，全部用电容和电感等元件以及它们之间的互连引线，全部用厚度在１微米以下的（金属、半导体、金属氧化物、厚度在１微米以下的（金属、半导体、金属氧化物、合金或绝缘介质）薄膜，并通过真空蒸发、溅射和电合金或绝缘介质）薄膜，并通过真空蒸发、溅射和电镀等工艺制成的集成电路镀等工艺制成的集成电路 半导体集成电路半导体集成电路是将晶体管，二极管、电阻、电容是将晶体管，二极管、电阻、电容器元件，按照一定的电路互联，器元件，按照一定的电路互联，““集成集成””在一块半在一块半导体单晶片上，完成特定的电路或者系统功能导体单晶片上，完成特定的电路或者系统功能 厚膜集成电路厚膜集成电路是将是将电阻电阻、、电感电感、、电容电容、、半导体半导体元件元件和和互连导线通过印刷、烧成和焊接等工序，在基板上制互连导线通过印刷、烧成和焊接等工序，在基板上制成的具有一定功能的电路单元。

成的具有一定功能的电路单元 混合集成电路混合集成电路是在基片上用成膜方法制作厚膜或薄是在基片上用成膜方法制作厚膜或薄膜元件及其互连线，并在同一基片上将分立的半导膜元件及其互连线，并在同一基片上将分立的半导体芯片、单片集成电路或微型元件混合组装，再外体芯片、单片集成电路或微型元件混合组装，再外加封装而成加封装而成  通常提到集成电路指的是半导体集成电路，也是应通常提到集成电路指的是半导体集成电路，也是应用最广泛、品种最多的集成电路，膜（薄、厚膜）电路用最广泛、品种最多的集成电路，膜（薄、厚膜）电路和混合电路一般用于专用集成电路，通常称为模块和混合电路一般用于专用集成电路，通常称为模块 ２、按集成度分２、按集成度分    集成度指一个硅片上含有元件数目集成度指一个硅片上含有元件数目 缩写缩写名称名称数字数字MOSMOS数字双极数字双极模模     拟拟SSIC小规模　<100<30MSIC中规模100～1000100～50030～100LSIC大规模1000～10000500～2000100～300VLSIC超大规模>10000>2000>300　　　　同一功能的集成路按应用领域规定不同的技术指标，而分为同一功能的集成路按应用领域规定不同的技术指标，而分为军用品军用品、、工业用品工业用品和和民用品民用品（又称商用（又称商用) )三大类。

三大类　　　　军品：军品：在军事、航空、航天等领域使用环境条件恶劣、装置在军事、航空、航天等领域使用环境条件恶劣、装置密度高，对集成电路的可靠性要求极高，产品价格退居次要地位，密度高，对集成电路的可靠性要求极高，产品价格退居次要地位，　　　　民用品：民用品：在保证一定可靠性和性能指标前提下，性能价格比在保证一定可靠性和性能指标前提下，性能价格比是产品能否成功的重要条件之一是产品能否成功的重要条件之一　　　　工业品：工业品：则是介于二者之间的一种产品，但不是所有集成电则是介于二者之间的一种产品，但不是所有集成电路都有这三个品种的路都有这三个品种的 ３、按应用领域分３、按应用领域分４、按使用功能分４、按使用功能分 （（1 1）模拟集成电路：）模拟集成电路：线性集成电路和非线性集成电路线性线性集成电路和非线性集成电路线性集成电路包括：直流运算放大器、音视频放大器等非线性集集成电路包括：直流运算放大器、音视频放大器等非线性集成电路包括：模拟乘法器、比较器、成电路包括：模拟乘法器、比较器、A/DA/D（（D/AD/A）转换器等转换器等 （（2 2）数字集成电路：）数字集成电路：触发器、存储器、微处理器和可编程逻触发器、存储器、微处理器和可编程逻辑器件。

存储器包括：辑器件存储器包括：RAMRAM、、ROMROM；可编程逻辑器件包括：；可编程逻辑器件包括：EPROMEPROM（可编程只读存储器）、（可编程只读存储器）、E E2 2PROMPROM（电可擦写可编程只读存（电可擦写可编程只读存储器）、储器）、PLDPLD（可编程逻辑器件）、（可编程逻辑器件）、EPLDEPLD（可擦写的可编程逻辑（可擦写的可编程逻辑器件）、器件）、FPGAFPGA（现场可编程门阵列）等现场可编程门阵列）等　（　（1 1）双极型电路（）双极型电路（TTLTTL））　　在硅片上制作双极型晶体管构成的集成电路，由空　　在硅片上制作双极型晶体管构成的集成电路，由空穴和电子两种载流子导电穴和电子两种载流子导电　（　（2 2）单极型电路（）单极型电路（MOS MOS ））　　参加导电的是空穴或电子一种载流子　　参加导电的是空穴或电子一种载流子①①NMOSNMOS   由由N N沟道沟道MOSMOS器件构成；器件构成；②②PMOSPMOS   由由P P沟道沟道MOSMOS器件构成；器件构成；③③CMOSCMOS   由由N N、、P P沟道沟道MOSMOS器件构成互补形式的电路。

器件构成互补形式的电路 ５、按半导体工艺分５、按半导体工艺分（（3）双极型－单极型电路）双极型－单极型电路(BIMOS)　　双极型晶体管和　　双极型晶体管和MOS电路混合构成集成电路，一电路混合构成集成电路，一般前者作输出级，后者作输入级般前者作输出级，后者作输入级　　双极型电路驱动能力强但功耗较大，　　双极型电路驱动能力强但功耗较大，MOS电路则电路则反之，双极性反之，双极性-单极型电路兼有二者优点单极型电路兼有二者优点 第第0 0部分部分: :用字母表示器件符合国家标准用字母表示器件符合国家标准第第1 1部分部分: :用字母表示器件的类型用字母表示器件的类型第第2 2部分部分: :用阿拉伯数字表示器件的系列和品种代号用阿拉伯数字表示器件的系列和品种代号第第3 3部分部分: :用字母表示器件的工作温度范围用字母表示器件的工作温度范围第第4 4部分部分: :用字母表示器件的封装用字母表示器件的封装二、国内集成电路命名二、国内集成电路命名二、国内集成电路命名二、国内集成电路命名三、国外集成电路命名三、国外集成电路命名产品型产品型号前缀号前缀生产厂家生产厂家产品举例产品举例产品型产品型号前缀号前缀生产厂家生产厂家产品举例产品举例ADAD美国模拟器件公司美国模拟器件公司AD7118AD7118LMLM美国国家美国国家半导体公司半导体公司LM324LM324ANAN日本松下电器公司日本松下电器公司AN5179AN5179MCMC美国摩托罗拉美国摩托罗拉半导体公司半导体公司MC13007MC13007CXACXA日本索尼公司日本索尼公司CXA1191MCXA1191MTATA日本东芝公司日本东芝公司TA7698TA7698HAHA日本日立公司日本日立公司HA1361HA1361TBTBTB1238TB1238KAKA韩国三星公司韩国三星公司KA2101KA2101TDATDA荷兰飞利蒲公司荷兰飞利蒲公司TDA8361TDA8361LALA日本三洋公司日本三洋公司LA7830LA7830μμPCPC日本电器公司日本电器公司μμPC1366PC13661 1、封装形式、封装形式 圆形金属外壳封装、双列直插型陶瓷或塑料圆形金属外壳封装、双列直插型陶瓷或塑料封装、单列直插式封装等。

封装、单列直插式封装等 2 2、引脚识别、引脚识别 （（1 1）圆式金属壳封装：）圆式金属壳封装：管脚数有管脚数有8 8、、1010、、1212等等种类，管脚排列顺序，从管脚根部看进去，以管壳种类，管脚排列顺序，从管脚根部看进去，以管壳上的凸起部分为参考标记，按顺时针方向数管脚，上的凸起部分为参考标记，按顺时针方向数管脚，依次为依次为1 1，，2 2，，3 3，，……，，8 8四、集成电路的封装与引脚识别四、集成电路的封装与引脚识别（（2 2）双列直插式封装）双列直插式封装：：其管脚数有其管脚数有8 8、、1010、、1212、、1414、、1616、、1818、、2020、、2424等多种，管脚排列顺序，管脚向下，缺口、色等多种，管脚排列顺序，管脚向下，缺口、色点等为起点，按逆时针方向数管脚，依次为点等为起点，按逆时针方向数管脚，依次为1 1，，2 2，，3 3，，……，，1414（（3 3）单列直插式封装：）单列直插式封装：与双列直插式封装与双列直插式封装ICIC一样，管脚向下，一样，管脚向下，缺口、色点缺口、色点等标记为起点，从左向右数管脚，就可以得到管脚等标记为起点，从左向右数管脚，就可以得到管脚的排列序号，如下图的排列序号，如下图③③。

3 3、常用集成电路管脚图、常用集成电路管脚图1.10 1.10 片状元器件片状元器件 随着电子技术的发展随着电子技术的发展, ,电子产品体积的微型化电子产品体积的微型化, ,性能和可靠性能和可靠性的进一步提高性的进一步提高, ,电子元器件向小、轻、薄发展，出现了电子元器件向小、轻、薄发展，出现了表面表面安装技术安装技术（（SMTSMT） SMTSMT是包括是包括表面安装半导器件表面安装半导器件（（SMDSMD）、）、表面安装元件表面安装元件（（SMCSMC）、）、表面安装印制电路板表面安装印制电路板（（SMBSMB）及点胶、涂膏、表面安）及点胶、涂膏、表面安装设备、焊接及测试等在内的一套完整工艺技术的统称装设备、焊接及测试等在内的一套完整工艺技术的统称 表面安装元器件包括电阻器、电容器、电感器及半导体器表面安装元器件包括电阻器、电容器、电感器及半导体器件等，它具有体积小、重量轻、安装密度高、可靠性高、抗振件等，它具有体积小、重量轻、安装密度高、可靠性高、抗振性能好、易于实现自动化等特点性能好、易于实现自动化等特点1 1、、 贴片电阻的识别贴片电阻的识别排排   阻阻2 2、电容的识别、电容的识别贴片钽电容贴片钽电容容量容量耐压耐压正极正极贴片钽电容贴片钽电容: :是有极是有极性的电容性的电容，丝印上标丝印上标明了电容值为明了电容值为6.8 6.8 μFμF和耐压值和耐压值25V25V。

贴片瓷片电容贴片瓷片电容贴片瓷片电容：体积贴片瓷片电容：体积小，无极性，无丝印小，无极性，无丝印基本单位基本单位pF纸多层贴片电容纸多层贴片电容纸多层贴片电容纸多层贴片电容: :材质纸质材质纸质基本单位为基本单位为pF,pF,但此电容容量但此电容容量一般在一般在uFuF级贴片电解电容贴片电解电容电容值电容值耐压值耐压值正极正极贴片电解电容贴片电解电容: :丝印印有容量、耐压和极性标示丝印印有容量、耐压和极性标示 其基本单位为其基本单位为μFμF3 3、电感元件的识别、电感元件的识别 贴片叠层电感贴片叠层电感: :外观上与贴片电容的区别很小外观上与贴片电容的区别很小, ,区分的方法是区分的方法是贴片电容有多种颜色其中有棕色、灰色、紫色等，而贴片电贴片电容有多种颜色其中有棕色、灰色、紫色等，而贴片电感只有黑色一种感只有黑色一种 基本单位：基本单位：nHnH. .图图一一图图二二图一中电感的丝印为图一中电感的丝印为100100，，读取其元件值读取其元件值10μH10μH图二中电感的丝印为红红红，读取元件值图二中电感的丝印为红红红，读取元件值2200nH2200nH常见贴片元件尺寸规范介绍常见贴片元件尺寸规范介绍（英制）（英制） 0201040206030805100812061210（公制（公制mm）） 0.6x0.31.0x0.51.6x0.82.0x1.252.5x2.03.2x1.63.2x2.5 在贴片元件的尺寸上为了让所有厂家生产的元在贴片元件的尺寸上为了让所有厂家生产的元件之间有更多的通用性，国际上各大厂家进行了尺件之间有更多的通用性，国际上各大厂家进行了尺寸要求的规范工作，形成了相应的尺寸系列。

其中寸要求的规范工作，形成了相应的尺寸系列其中在不同国家采用不同的单位基准主要有公制和英在不同国家采用不同的单位基准主要有公制和英制，对应关系如下表：制，对应关系如下表：注：注：1 1）此处的）此处的02010201表示表示0.02X0.01inch,0.02X0.01inch,其他相同其他相同; ; 2 2）在材料中还有其它尺寸规格例如：）在材料中还有其它尺寸规格例如：0202 0202 、、03030303、、05040504、、18081808、、18121812、、22112211、、22202220等等，但是在等等，但是在实际使用中使用范围并不广泛所以不做介绍实际使用中使用范围并不广泛所以不做介绍 3 3）对于实际应用中各种对尺寸的称呼有所不同，）对于实际应用中各种对尺寸的称呼有所不同，一般情况下使用英制单位称呼为多，例如一般我们在一般情况下使用英制单位称呼为多，例如一般我们在工作中会说用的是工作中会说用的是06030603的电容，也有时使用公制单位的电容，也有时使用公制单位例如说用例如说用16081608的电容此时使用的就是公制单位的电容此时使用的就是公制单位 。

4 4、、二极管                          二极管极性标示二极管极性标示贴片玻璃二极管负极负极塑封二极管塑封二极管5 5、三极管、三极管SOTSOT（采用小外形封装结构的表面组装晶体管（采用小外形封装结构的表面组装晶体管 ））  6 6、集成电路、集成电路(IC)(IC) ICIC的分类主要依据的分类主要依据ICIC的封装形式，基本可分为的封装形式，基本可分为: :SOPSOP（电路的引脚为（电路的引脚为L L形）形）、、SOJSOJ（双排内侧（双排内侧J J形）形）、、PLCC(PLCC(四方四方J J形引脚）形引脚）、、QFPQFP（正四方（正四方) )、、BGA (BGA (底部球状底部球状形形) )、、COB(COB(黑胶封装）黑胶封装）几种形式几种形式 （（1 1））SOPSOP封装封装ICIC（电路的引脚为（电路的引脚为L L形）形） （（2 2）） SOJSOJ封装封装ICIC（（双排直列双排直列J J形内侧形内侧) )   （（3））PLCC(四方四方J形引脚形引脚)（（4 4））QFPQFP（（四方四方L形引脚形引脚）） （（5）） BGA(底部锡球引脚底部锡球引脚)BGABGA封装封装: :随着技术的更新，集成电路的集成度不断提随着技术的更新，集成电路的集成度不断提高，功能强大的高，功能强大的ICIC不断被设计出来，引脚不断增多，不断被设计出来，引脚不断增多，QFPQFP方式已不能解决需求，因此方式已不能解决需求，因此BGABGA封装方式被设计出封装方式被设计出来，它充分利用来，它充分利用ICIC与与PCBPCB接触面积，大幅的利用接触面积，大幅的利用ICIC的底的底面和垂直焊接方式，从而解决了引脚的问题。

面和垂直焊接方式，从而解决了引脚的问题（（6）） COB封装封装          通常称软封装、黑胶封装通常称软封装、黑胶封装贴片晶振贴片晶振2 2频率频率贴片晶振贴片晶振1 17 7、晶振、晶振 8 8、光电耦合器的识别、光电耦合器的识别 主要有主要有贴片光电耦合器贴片光电耦合器，，手插光电耦合器手插光电耦合器其与ICIC的区别主要在于的区别主要在于ICIC一般有一般有8 8只或只或8 8只以上的引脚，而光耦只以上的引脚，而光耦器一般为器一般为4 4到到6 6只脚贴片光电耦合器贴片光电耦合器料料  盘盘料料  带带9 9、、SMTSMT材料的包装材料的包装 （（1 1）贴片元件的包装通常采用园盘状的塑料盘）贴片元件的包装通常采用园盘状的塑料盘总结总结: :作业作业:P59:P59。