光纤通信第 3 章通信用器件.ppt

第 3 章 通信用光器件 3.1 光源 3.1.1 半导体激光器工作原理和基本结构 3.1.2 半导体激光器的主要特性 3.1.3 分布反馈激光器 3.1.4 发光二极管 3.1.5 半导体光源一般性能和应用 3.2 光检测器 3.2.1 光电二极管工作原理 3.2.2 PIN 光电二极管 3.2.3 雪崩光电二极管(APD) 3.2.4 光电二极管一般性能和应用 3.3 光无源器件 3.3.1 连接器和接头 3.3.2 光耦合器 3.3.3 光隔离器与光环行器 3.3.4 光调制器 3.3.5 光开关 通信用光器件可以分为有源器件和无源器件两种类型 有源器件：包括光源、光检测器和光放大器这些器件是光发射机、光接收机和光中继器的关键器件，和光纤一起决定基本光纤传输系统的水平 通信用光器件可以分为有源器件和无源器件两种类型 有源器件：包括光源、光检测器和光放大器 光无源器件：主要有连接器、耦合器波分复用器、调制器、光开关和隔离器等 这些器件对光纤通信系统的构成、功能的扩展和性能的提高都是不可缺少的返回主目录返回主目录3.1 光源 光源是光发射机的关键器件，其功能是把电信号转换为光信号 目前光纤通信广泛使用的光源主要有半导体激光二极管或称激光器(LD)和发光二极管或称发光管(LED)， 有些场合也使用固体激光器。

本节首先介绍半导体激光器(LD)的工作原理、基本结构和主要特性，然后进一步介绍性能更优良的分布反馈激光器(DFB - LD)，最后介绍可靠性高、寿命长和价格便宜的发光管(LED) 返回主目录返回主目录3.1.1 半导体激光器工作原理和基本结构 半导体激光器是向半导体PN结注入电流，实现粒子数反转分布，产生受激辐射，再利用谐振腔的正反馈，实现光放大而产生激光振荡的 激光：LASER(Light Amplification by stimulated Emission),即受激辐射的光放大1.受激辐射和粒子数反转分布2. 有源器件的物理基础是光和物质相互作3.用的效应 4. 在物质的原子中，存在许多能级，最低5.能级E1称为基态，能量比基态大的能级6.Ei(i=2, 3, 4 )称为激发态 电子在低能级E1的基态和高能级E2的激发态之间的跃迁有三种基本方式： 受激吸收受激吸收 自发辐射自发辐射 受激辐射受激辐射 受激辐射和受激吸收的区别与联系F受激辐射是受激吸收的逆过程电子在E1和E2两个能级之间跃迁，吸收的光子能量或辐射的光子能量都要满足波尔条件，即 F 受激辐射和自发辐射产生的光的特点很不相同。

受激辐射光的频率、相位、偏振态和传播方向与入射光相同，这种光称为相干光 E2-E1=hf12 (3.1)式中，h=6.62810-34Js，为普朗克常数，f12为吸收或辐射的光子频率 自发辐射光是由大量不同激发态的电子自发跃迁产生的，其频率和方向分布在一定范围内，相位和偏振态是混乱的，这种光称为非相干光 产生受激辐射和产生受激吸收的物质是不同的 设在单位物质中，处于低能级E1和处于高能级E2(E2E1)的原子数分别为N1和N2 当系统处于热平衡状态时，存在下面的分布 (3.2)数，T为热力学温度由于(E2-E1)0，T0，所以在这种状态下，总是N1N2 这是因为电子总是首先占据低能量的轨道 受激吸收和受激辐射的速率分别比例于N1和N2，且比例系数(吸收和辐射的概率)相等 如果N1N2，即受激吸收大于受激辐射当光通过这种物质时，光强按指数衰减， 这种物质称为吸收物质 式中， k=1.38110-23J/K，为波尔兹曼常 如果N2N1，即受激辐射大于受激吸收，当光通过这种物质时，会产生放大作用，这种物质称为激活物质 N2N1的分布，和正常状态(N1N2)的分布相反，所以称为粒子(电子)数反转分布。

问题：如何得到粒子数反转分布的状态呢? 2. PN结的能带和电子分布 在半导体中，由于邻近原子的作用，电子所处的能态扩展成能级连续分布的能带能量低的能带称为价带，能量高的能带称为导带，导带底的能量Ec 和价带顶的能量Ev 之间的能量差Ec-Ev=Eg称为禁带宽度或带隙电子不可能占据禁带 图 3.2 半导体的能带和电子分布(a) 本征半导体； (b) N型半导体； (c) P型半导体 图3.2示出不同半导体的能带和电子分布图根据量子统计理论，在热平衡状态下，能量为E的能级被电子占据的概率为费米分布(3.3) 式中，k为波兹曼常数，T为热力学温度Ef 称为费米能级，用来描述半导体中各能级被电子占据的状态 在费米能级，被电子占据和空穴占据的概率相同 一般状态下，本征半导体的电子和空穴是成对出现的，用Ef 位于禁带中央来表示，见图3.2(a) 在本征半导体中掺入施主杂质，称为N型半导体，见图3.2(b) 在本征半导体中，掺入受主杂质，称为P型半导体，见图3.2(c) 在P型和N型半导体组成的PN结界面上，由于存在多数载流子(电子或空穴)的梯度，因而产生扩散运动，形成内部电场， 见图3.3(a)。

(a) P - N结内载流子运动P区PN结空间电荷区N区内部电场 扩散 漂移内部电场产生与扩散相反方向的漂移运动，直到P区和N区的Ef 相同，两种运动处于平衡状态为止，结果能带发生倾斜，见图3.3(b)b) 零偏压时P - N结的能带倾斜图势垒能量EpcP区EncEfEpvN 区Env 增益区的产生： 在PN结上施加正向电压，产生与内部电场相反方向的外加电场，结果能带倾斜减小，扩散增强电子运动方向与电场方向相反，便使N区的电子向P区运动，P区的空穴向N区运动，最后在PN结形成一个特殊的增益区P - N结加正向电压P区PN结N区内部电场 增益区的导带主要是电子，价带主要是空穴，结果获得粒子数反转分布，见图3.3(c) h fh fEfEpcEpfEpvEncnEnv电子，空穴内部电场外加电场(c) 正向偏压下P - N结能带图 图 3.3PN结的能带和电子分布 在电子和空穴扩散过程中，导带的电子可以跃迁到价带和空穴复合，产生自发辐射光 3. 激光振荡和光学谐振腔激光振荡的产生： 粒子数反转分布（产生受激辐射的必要条件)激活物质置于光学谐振腔中，对光的频率和方向进行选择=连续的光放大和激光振荡输出。

基本的光学谐振腔由两个反射率分别为R1和R2的平行反射镜构成(如图3.4所示)，并被称为法布里 - 珀罗(Fabry Perot, FP)谐振腔 由于谐振腔内的激活物质具有粒子数反转分布，可以用它产生的自发辐射光作为入射光 图 3.4 激光器的构成和工作原理 (a) 激光振荡； (b) 光反馈 入射光经反射镜反射，沿轴线方向传播的光被放大，沿非轴线方向的光被减弱反射光经多次反馈，不断得到放大，方向性得到不断改善，结果增益大幅度提高 在谐振腔内开始建立稳定的激光振荡的阈值条件为 th =+ (3.4) 式中，th 为阈值增益系数，为谐振腔内激活物质的损耗系数，L为谐振腔的长度，R1，R21为两个反射镜的反射率 激光振荡的相位条件为L= q (3.5) 式中，为激光波长，n为激活物质的折射率，q=1, 2, 3 称为纵模模数 4. 半导体激光器基本结构 半导体激光器的结构多种多样，基本结构是图3.5示出的双异质结(DH)平面条形结构 这种结构由三层不同类型半导体材料构成，不同材料发射不同的光波长 图中标出所用材料和近似尺寸结构中间有一层厚0.10.3 m的窄带隙P型半导体，称为有源层；两侧分别为宽带隙的P型和N型半导体，称为限制层。

三层半导体置于基片(衬底)上，前后两个晶体解理面作为反射镜构成法布里 - 珀罗(FP)谐振腔 DH激光器工作原理 由于限制层的带隙比有源层宽，施加正向偏压后， P层的空穴和N层的电子注入有源层 P层带隙宽，导带的能态比有源层高，对注入电子形成了势垒，注入到有源层的电子不可能扩散到P层 同理， 注入到有源层的空穴也不可能扩散到N层 这样，注入到有源层的电子和空穴被限制在厚0.10.3 m的有源层内形成粒子数反转分布，这时只要很小的外加电流，就可以使电子和空穴浓度增大而提高效益 另一方面，有源层的折射率比限制层高，产生的激光被限制在有源区内，因而电/光转换效率很高，输出激光的阈值电流很低，很小的散热体就可以在室温连续工作 图 3.6 DH激光器工作原理(a) 双异质结构； (b) 能带； (c) 折射率分布； (d) 光功率分布 返回主目录返回主目录3.1.2 半导体激光器的主要特性 1. 发射波长和光谱特性 半导体激光器的发射波长等于禁带宽度Eg(eV)，由式(3.1)得到 h f =Eg式中,f=c/,f (Hz)和(m)分别为发射光的频率和波长,c=3108 m/s为光速, h=6.62810-34JS为普朗克常数， 1eV=1.610-19 J，代入上式得到(3.6) 不同半导体材料有不同的禁带宽度Eg，因而有不同的发射波长。

镓铝砷-镓砷(GaAlAs-GaAs)材料适用于0.85 m波段 铟镓砷磷 - 铟磷(InGaAsP-InP)材料适用于1.31.55 m波段 图3.7是GaAlAs-DH激光器的光谱特性 在直流驱动下， 发射光波长只有符合激光振荡的相位条件式(3.5)的波长存在 这些波长取决于激光器纵向长度L，并称为激光器的纵模 驱动电流变大，纵模模数变小 ，谱线宽度变窄 这种变化是由于谐振腔对光波频率和方向的选择，使边模消失、主模增益增加而产生的 当驱动电流足够大时，多纵模变为单纵模，这种激光器称为静态单纵模激光器 图3.7(b)是300 Mb/s数字调制的光谱特性， 由图可见，随着调制电流增大，纵模模数增多，谱线宽度变宽 图 3.7 GaAlAs-DH激光器的光谱特性 (a) 直流驱动; (b) 300 Mb/s数字调制 0799 800 801 802Im/mA40353025I=100mAPo=10mWI=85mAPo=6mWI= 8 0mAPo=4mWI=75mAPo=2.3mWL=250mW=12 mT=300K830 828 832 830 828 832 830 828 826832 830 828 826 824836 834 832 830 828 826 824 822 820(a)(b) 2. 激光束的空间分布 激光束的空间分布用近场和远场来描述。

近场是指激光器输出反射镜面上的光强分布； 远场是指离反射镜面一定距离处的光强分布 图3.8是GaAlAs-DH激光器的近场图和远场图，近场和远场是由谐振腔(有源区)的横向尺寸，即平行于PN结平面的宽度w和垂直于结平面的厚度t所决定，并称为激光器的横模 由图3.8可以看出，平行于结平面的谐振腔宽度w由宽变窄，场图呈现出由多横模变为单横模；垂直于结平面的谐振腔厚度t很薄，这个方向的场图总是单横模 图 3.8 GaAlAs-DH条形激光器的近场和远场图样 图3.9为典型半导体激光器的远场辐射特性，图中和分别为平行于结平面和垂直于结平面的辐射角，整个光束的横截面呈椭圆形3.9典型半导体激光器的远场辐射特性和远场图样 (a) 光强的角分布； (b) 辐射光束 3. 转换效率和输出光功率特性 激光器的电/光转换效率用外微分量子效率d表示，其定义是在阈值电流以上，每对复合载流子产生的光子数(3.7a)由此得到(3.7b) 式中，P和I分别为激光器的输出光功率和驱动电流，Pth 和Ith 分别为相应的阈值，h f 和e分别为光子能量和电子电荷 图3.10是典型激光器的光功率特性曲线 当IIth 时，发出的是受激辐射光，光功率随驱动电流的增加而增加。

图 3.10 典型半导体激光器的光功率特性 (a) 短波长AlGaAs/GaAs (b) 长波长InGaAsP/InP 4. 频率特性 在直接光强调制下， 激光器输出光功率P和调制频率f 的关系为 P(f )= (3.8a)(3.8b) 式中， 和分别称为弛豫频率和阻尼因。