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OrCAD 9.2 适用教程 附录B 元器件的模型参数和 常用电路、电子电路元器件 B1 元器件的模型参数 B1.1 电阻器的模型参数 参数 单位 缺省值 意义 r Tc1 Tc2 Tce r 1/℃ 1/℃2 1/℃ 1 0 0 0 电阻值的倍率 线性温度系数 平方温度系数 指数温度系数 说明：若干 Tce 参数时，电阻值的表达式为： Res=R*r*〔1+Tc1*(T-T0)+Tc2*(T-T0)**2〕 若有 Tce 参数时，电阻值的表达式为： Res=R*r*Exp(Tce*(T-T0) ) 式中：R 是常温电阻值，可以是正值、负值，但是不能是零 T0 是正常温度值(27℃) 举例： ·model RRI Res (r=1.5 Tc1=0.02 Tc2=0.05) B1.2 电容器的模型参数 参数 单位 缺省值 意义 1 Vc1 Vc2 Tc1 Tc2 1 1/V 1/V 1/℃ 1/℃21 0 0 0 0 电容值的倍率 线性电压系数 平方电压系数 线性温度系数 平方温度系数 说明：电容量表达式： Cap=C*c*(1+Vc1*V+Vc2*V2)*〔1+Tc1*(T-T0)+Tc2*(T-T0)**2〕 1附录B 元器件的模型参数和常用电路、电子电路元器件 其中：C 为常温电容值，可以是正值、负值，但是不能是零。

T0 为正常温度值(27℃) V 为电容器两端的电压 举例： ·model CFF Cap(c=1.2 vcl=.01 vc2=.02 Tc1=.03 Tc2=.05) B1.3 电感器的模型参数 参数 单位 缺省值 意义 1 IL1 IL2 Tc1 Tc2 1 1/A 1/A 1/℃ 1/℃21 0 0 0 0 电感值的倍率 线性电流系数 平方电流系数 线性温度系数 平方温度系数 说明：电感量表达式： Ind=L*1*(1+IL1*I1+IL2*I2)*〔1+Tc1*(T-T0)+Tc2*(T-T0)**2〕 其中：L 为常温电感值，可以是正值、负值，但是不能是零 T0 为正常温度值(27℃) V 为流过电感器的电流 举例： ·model LFF Ind(1=1.2 IL1=.01 IL2=.02 Tcl=.03 Tcl=.05) B1.4 非线性磁心的模型参数 参数 单位 缺省值 意义 Area Path Path Ms Alpha A C K (ca)**2 ca 1 A/m Alpha A C K 0.1 1 1 1e6 1e-3 le3 0.2 500 平均磁芯截面积 平均磁路长度 叠层系数 磁化饱和 平均磁场参数 形状参数 磁畴壁的挠曲常数 磁畴壁的鞘连常数 举例： ·model k528+500-3c8 Core(Ms=420e3 Alpha=2e-5 A=26 k=18 c=1.05 area=1.17 Path=8.49) 2OrCAD 9.2 适用教程 B1.5 电压控制开关的模型参数 参数 单位 缺省值 意义 Von Voff Ron Roff V V Ω Ω 1 0 1 1e8 开关通态控制电压 开关断态控制电压 开关通电阻 开关断态电阻 说明：Ron 的值应大于零， Roff 的值必须小于 1/GMIN，GMIN 是 PSpice 程序中计算使用的支路最小电导， 缺省值是1e-12，Ron 和 Roff 的比值应小于 1e12，在容许的范围内，Ron 应尽量小，Roff 应尽量大 举例： ·model Relay Vswitch(Ron=.01 Roff=1eg Von=3.2V voff=1.8v) B1.6 电流控制开关的模型参数 参数 单位 缺省值 意义 Ion Ioff Ron Roff A A Ω Ω Ie—3 0 1 le8 电流开关通态控制 开关断态控制电流 开关通态电阻 开关断态电阻 说明： Ron 的值应大于零， Roff 的值必须小于 1/GMIN， GMIN 是 PSpice 程序中计算使用的支路最小电导， 缺省值是 1e-12， Ron 和 Roff 的比值应小于 1e12，在容许的范围内，Ron 应尽量小，Roff 应尽量大 举例： .model Relay Iswitch(Ron=.01 Roff=1e9 Ion=1mA voff=0) B1.7 二级管的模型参数 参数 单位 缺省值 意义 Is Rs N Tt Cjo vj M Eg Xti Kf Af Fc Bv Ibv Area A Ω a s F V 0.5 V 3 0 1 0.5 V A 1 le-14 0 1 0 0 0 0.5 1.11 3 0 1 0.5 inf le—10 1 反向饱和电流 寄生电阻 发射系数零 渡越时间 偏压时的结电容 结电势 缓变结的梯度系数 硅的带隙能量 Is 的温度系数 闪烁噪声系数 闪烁噪声指数 结电容模型中的正向偏置系数 结的反向击穿电压 结的反向击穿电流 归一化的相对结面积 说明：对于一般的二极管在进行模型参数说明时只需指定 Is 参数，若是需要管压降为 0.7V，则要给定 Is=2e-15，对于稳压二极管，，在进行参数设置时，可给定 Rs、Bv 和 Ibv 三个参数，这时， Rs 是稳压管的寄生电阻，Bv 是稳压管的稳定电压，Ibv 是稳压管的工作电流。

举例： 3附录B 元器件的模型参数和常用电路、电子电路元器件 ·model din750 D(is=880.5e-18 Rs=2.5 Bv=4.7V Ibv=20.245mA) B1.8 双极性结型晶体管的模型参数 参数 单位 缺省值 意义 Is Eg Xti Bf Nf Vaf Ikf Ise Ne Br Nr Var Ikr Ise Nc Rb Irb Rbm Re Rc Cje Vje Mje Cjc Vjc Mjc Xcjc Cjs Vjs Mjs Fc Tf Xtf Itf Ptf Tr Xtb Kf Af Arca A V V 100 1 V A A 1.5 1 1 V A A 2.0 Ω A Ω Ω Ω F V 0.33 F V 0.33 1F F V 0 0.5 S 0 A Deg S 0 0 1 0 le-16 1.11 3 100 1 inf inf inf 1.5 1 1 inf inf 0 2.0 0 inf Rb 0 0 0 0.75 0.33 0 0.75 0.33 1 0 0.75 0 0.5 0 0 0 0 0 0 0 1 0 反向饱和电流 硅的带隙能量 饱和电流的温度指数 正向电流放大系数 正向电流发射系数 正向欧拉电压 正向 Beta 大电流时的滑动拐点 B—E 极间的泄漏饱和电流 B—E 极间的泄漏发射系数 理想反向电流放大系数 反向电流发射系数 反向欧拉电压 反向 Beta(r)大电流时的滑动拐 点 B-C 间的泄漏饱和电流 B-C 间的泄漏发射系数零 偏压时的基极电阻 基极电阻下降到 Rbm 值一半时 的电流 最小基极电阻 发射结电阻 集电极电阻 B-E 结零偏压时的耗尽电容 B-E 结内建电势 B-E 结指数因子 B-C 结零偏压时的耗尽电容 B-C 结内建电势 B-C 结指数因子 B-C 结耗尽电容连接到内部节 点时的百分数 集-衬底间零偏压时的耗尽电容 集-衬底间结内建电势 集-衬底间结指数因子 正向偏压时的耗尽电容系数 正向渡越时间 正向渡越时间随偏置变化的系 数 正向渡越时间随 vbe 变化的参 数 正向渡越时间随 Ic 变化时的超 前相位 反向渡越时间 电流放大系数的温度系数 闪烁噪声系数 闪烁噪声指数 相对发射结面积的比值 4OrCAD 9.2 适用教程 说明：若需要双极型晶体管的 Vbe 电压为 0.7V，则可以设置 Is=5e-15 举例： .model Q2n2222a NPN(is=11.3f Xti=3 Eg=1.11 Vaf=74.03 Bf=255.9 Nc=1.307 B1.9 结型场效应管的模型参数 结型场效应管的模型如下图 B-1 所示。

B-1 结型场效应管模型 参数 单位缺省值 意义 Vto Vtotc Beta Betatce Lambda Rd Rs Cgd Cgs Fc Pb Is Kf Af Area V 0 0 0 0 Ohm Ohm F F 0 v A 0 1 1 -2 0 1e-14 0 0 0 0 0 0 0.5 1.0 1e-14 0 1 1 阀值电压 Vto 的温度系数 跨导系数 跨导的温度系数 沟道长度调制系数 漏极电阻 源极电阻 G-D 间的零压结电容 G-S 的零压结电容 正向偏置时的耗尽电容系数 栅结内建电势 栅结反向饱和电流 闪烁噪声系数 闪烁噪声指数 相对面积 说明： 在简单设置结型场效应管参数时，可设置两个参数，它们是： Vto=Vp 夹断电压 Beta=Idss/｜Vp｜ 举例： ·model Jff NJF(Vto=-6V Beta=.222e-3) 附录B 元器件的模型参数和常用电路、电子电路元器件 B1.10 MOS 场效应管的模型参数 MOS 场效应管的模型如图 B-2 所示。

模型参数模型参数 含义含义 单位单位 缺省值缺省值 举例举例(0.5µ µm-N) 1 LEVEL 模型标志 1，2，3，4 --1 1 2 L 沟道长度 m ?? 3 W 沟道宽度 m ?? 4 LD 扩散区长度 m 0.0 0.08e-6 5 WD 扩散区宽度 m 0.0 6 VTO VSB=0 时的阈值电压 V 0.0 0.7 7 KP 跨导参数，Kp=µ*COX=µ*εSiO2*ε0/toxA/V22e-5 1.366e-4 8 GAMMA 体效应参数，γ=(2q*εSi *Nsub)1/2/CoxV1/20.0 0.45 9 PHI 表面电势，=2ΦFV 0.6 0.9 10 LAMMDA λ沟道长度调制系数（仅对 MOS1 和 MOS2）V-10.0 0.1 11 RD 漏极欧姆电阻 Ω 0.0 12 RS 源极欧姆电阻 Ω 0.0 13 RG 栅极欧姆电阻 Ω 0.0 14 RB 衬底欧姆电阻 Ω 0.0 15 RDS 漏-源间并联电阻 Ω inf 16 IS 衬底结反向饱和电流，=JS*AD=JS*AS A 1.0e-14 17 JS 源-漏结反向饱和电流密度 A/m20.0 1.0e-8 18 PB 衬底结电势 V 0.8 0.9 19 CBD 零偏时体-漏间的结电容 F 0.0 20 CBS 零偏时体-源间的结电容 F 0.0 21 CJ 零偏时衬底结底部单位面积电容 F/m20.0 0.56e-3 22 CJSW 零偏时衬底结侧壁单位长度电容 F/m 0.0 0.35e-11 23 MJ 衬底结底部的梯度因子 -- 0.5 0.45 24 MJSW 衬底结侧壁的梯度因子 -- 0.33 0.2 25 FC 衬底结正偏时的耗尽电容系数 -- 0.5 26 CGSO 栅-源间单位沟道宽度的覆盖电容 F/m 0.0 0.4E-9 27 CGDO 栅-体间单位沟道宽度的覆盖电容 F/m 0.0 0.4E-9 28 CGBO 栅-漏间单位沟道宽度的覆盖电容 F/m 0.0 29 NSUB 衬底。