蓝宝石晶体生长、衬底加工及相关设备制造项目可研报告.doc

蓝宝石晶体生长、衬底加工及相关设备制造项目可行性研究报告二O—二年十月一、 项目概要1、 项目名称：蓝宝石晶体生长、衬底加工及相关设备制造2、项目承办单位：青海联宇科技股份有限公司法人代表：于德兵通信地址：邮政编码：电 话：二、 项目背景1、 提供项目建设背景的素材2、 提供项目建设的有利条件的素材企业实施该项目的技术优势、人才优势.及当地的政策优势等技术优势：目前国内外大部分生长蓝宝石晶体的方式为提拉法（CZ方式），泡生法（KY方 式）我公司准备引进乌克兰，俄罗斯和美国高端的长晶炉和成熟的长晶技术并且正 在开发及研制最新的HVGF方式来提高晶体的生长质量及缩短晶体生长时间，达 到国际最先进的水平人才优势：公司拥有具有十年以上丰富经验的韩国晶体生长专家及有8年以上丰富工作经 验的蓝宝石衬底片制作专家和有成熟的LED设备制造经验的专家当地政策优势：西宁经济技术开发区科技产业园区管理委员会（以下简称开发区）同意在园区给 予公司该项目一期、二期建设和生活用地总计共200亩其中厂房、办公，研发中心约150亩，土地出让金以不高于6万/亩（含6万/亩） 计算，土地出让金先由开发区垫付；并于双方签订协议书之日起一年内为公司办 理土地使用权证及房产所有权证，三年后由公司按照以上约定的土地价格回购。

人才公寓共计约50亩另行核算按照公司的厂区规划和一期厂房设计要求，由开发区出资为公司代建该项目一期 厂房，面积不小于10000平米，厂房竣工三年后由公司或公司指定公司按照代建 协议中约定的成本价回购代建方式方面：1、 公司负责进行厂区规划，一期厂房设计；2、 开发区和公司根据公司提供的厂区规划，一期厂房设计，共同组成招投标小 组，进行公开、公平、公正的招投标活动；3、 招投标完成后，由公司自行组织施工、监理和组织验收，并对工程质量、标 准等负责，同时按照工程进度按月向甲方报告工程进度；4、 开发区根据公司和监理公司的工程进度报告拨付工程款；5、 开发区和公司共同以公司名义办理建设工程规划许可证、施工许可证等手续, 最迟应在收到乙方交付的施工图纸后6个月内将厂房交付给公司公司所需办公、生活等配套服务设施由乙方自行组织建设，配套设施的手续甲方 协助办理电力配套方面：1、 开发区负责项目红线外双回路110KV变电站（16000KVA）及专用双回路10KV 送电线路至厂区电源规划接入点（红线外）的建设，厂房竣工前完成2、 电力费用以实际使用的用电量（以公司配电房变压器的用电测计量为准）核 算并缴纳，电力设施的空置及其它相关费用等，从开发区将土地、厂房交付公司 使用之日起第一年由开发区财政承担100%,第二年由开发区财政承担80%,第三 年由开发区财政承担60%,第四年由开发区财政承担40%,第五年由开发区财政 承担20%,从第六年起开发区财政不再承担。

3、 开发区承诺公司用电价格按照青海当地工业用电最低电价执行4、 电力改造、专线建设（红线外）由开发区或开发区负责协调电力公司承担； 同时，为确保公司投资项目的用电质量和正常生产所需用电量，由开发区负责协 调电力公司与开发区另行签订供电保障协议稅收方面：增值税：自该项目生产之日起五年内，由开发区承诺园区财政按年度项目 公司实际上缴增值稅中园区留成部分的100%,作为开发区财政扶持基金，用于 扶持企业（项目公司）发展，每半年兑现一次设立项目专项基金方面：1、 自项目公司获利年度起三年内，开发区承诺由开发区财政按照年度企业实际 上缴所得税中园区留成部分的全额设立园区财政扶持该项目的专项发展基金，用 于扶持该企业发展，第4-5年减半执行，每半年兑现一次2、 自项目公司成立之日起五年内，开发区承诺由开发区财政按照年度企业高管 人员（指：董事长、总经理、财务总监、营销总监、技术总监及高级技术人才） 实际上缴所得税中园区留成部分的全额设立园区财政针对该项目的人才引进和 培育专项基金，年终一次性兑现其他方面：1、 开发区依照相关程序将该项目实施企业认定为国家高新技术企业，所得税率 按15%执行；2、 开发区承诺同地税相关的税收、杂费、规费等自公司项目投产后五年内全免。

3、 开发区协助公司办理工商注册、税务登记等有关手续4、 为公司协调兑现有关优惠政策贷款贴息方面：开发区承诺为该项目贷款总额度50%的利息予以补贴，每半年由项目公司持 有归还银行利息的票据到甲方兑现，贴息年度为五年；如有新项目则另行协商贷 款贴息事宜研发费用方面：开发区通过各种方式，每年为公司项目公司提供不少于500万的研发费用作 为扶持资金，扶持年度为五年；如有新项目则另行协商研发费用扶持事宜 核心设备进口补贴政策方面：核心设备进口的返税、补贴等优惠措施，按照国家相关的进口设备政策由开 发区协调政府部门对项目公司予以兑现其他扶持政策方面：开发区承诺该项目可以享受国家发布的新的西部大开发政策和青海省藏区相关 的扶持政策，以及青海省各年度的各类专项扶持资金的支持，并承诺公司享受扶 持的幅度或限额将不低于当地受扶持企业所享受的最高标准三承办企业的基本情况1企业发展简介企业发展概况.在该行业取得的成绩.获得的各项技术成果.获得的各种奖 励青海联宇集团有限公司，成立于2006年7月，位于格尔木市昆仑经济开发 区黄河东路28号，占地面积60亩，企业注册资本7000万元，总资产2. 5亿元公司集建筑工程、盐湖化工、商贸流通、天然气开发、环保能源开发、房 地产开发、金属矿产资源开发、劳务作业为一体的集团公司。

公司下属7个子公 司即：青海联宇工程有限公司、青海联宇格尔木房地产开发有限责任公司、青海 联宇劳务工程有限责任公司、格尔木环能有限责任公司、青海联宇钾肥有限公司、 青海中信国安联宇钾肥有限公司、青海金昱矿业开发有限公司公司现有员工 586人，其中专业技术人员215余人，拥有现代化主要设备234台（套）公司实行总经理负责制，采用职能管理体制，下设1室7部，即总经理办公 室、财务部、人力资源部、经营预算部、市场开发部、生产技术部、材料供应部、 机械租赁部公司自成立以来，始终坚持"多种经营，稳步发展"的战略方针，以经济建设 为中心，本着“团结、优质、高效、和谐”的经营理念，使企业始终处于良性发 展的轨迹，实现了超常规、跳跃式发展，取得了较好的经济效益和社会效益子 公司青海联宇工程有限公司自成立以来，连续六年被省、州、市工商局评为“守 合同重信用企业”,连续四年被青海省建设厅评为“全省先进建筑业企业”，连 续五年被海西州建设局评为“全州先进建筑业企业”，2006年度被格尔木市委、 市政府评为“先进私营企业”并与2007年底顺利通过北京华夏认证中心的质 量管理体系、环境管理体系、职业健康安全管理体系认证等，2008年，公司被中 国农业发展银行青海省分行评定为级信用客户。

公司年施工能力达10万多平方米，创产值2. 7亿元公司在新疆乌鲁木齐 市投资2亿元进行房地产开发，2009年在青岛注册成立海银达创业投资有限公 司公司与青海中信国安技术发展有限公司合作，投资3亿元在东台吉乃尔湖建 成了年产15万吨硫酸钾镁肥项目，该项目已顺利达产，年创产值1.85亿元 公司将充分发挥自身优势，以市场为向导，以科技为先导，以人才为载体，不断 增强企业的市场竞争力，为柴达木经济发展作出更大的贡献我青海联宇集团有限公司和韩国人合作在青岛成立了富世特光电科技有限 公司公司做为蓝宝石衬底片的下游企业，公司引进了数位韩国LED领域高端 技术人才技术团队拥有专业制作PSS图形衬底片8年以上的技术及制作LED 设备的技术在国内拥有很多的图形衬底片的客户群，目前在工厂使用的设备就 是公司自行研发的很成熟的设备公司除拥有国际一流水准的人才团队外，具有良好的国际合作基础，与美国、新 加坡、英国等及国内的相关研究机构和公司，建立了密切的产学研合作关系目前公司拥有二项专有技术二项专有技术为：LED设备制造技术；PSS图形衬 底设备制造技术公司拥有从蓝宝石晶棒制作到切、磨、抛,PSS,EPI制作工艺的完整的解决方 案及专门人才储备•尤其在研发方面是强项，可及时把握最新的技术动向，缩短迈 向产业化的时间.技术团队目前拥有具有核心地位的金英镐教授，一位晶体生长的研发人员，一位 具有丰富经验的负责切、磨、抛的技术人员，3名韩国顶级的外延工程师，管 理团队方面拥有文东植，孙宇哲先生等5名具有丰富经验的管理人员，以及LED 领域良好的关系网络，具有良好的市场竞争能力。

3, 企业经营管理情况青海联宇集团近三年的经营情况项 目2008 年2009 年2010 年销售收入106, 566.45116, 915. 10126, 527. 71主营业务收入56,934.2962,897.6865,770.87利润总额15,821. 5616,687.2320,867.63流动资产44, 364. 2746, 342. 1546,817. 71固定资产28, 021. 7830,948. 2631, 730. 04所有者权益21, 795.7831,483. 0146, 350. 64资产负债率37. 68%36. 23%35. 70%4. 企业组织架构图四.市场需求提供本项目产品的技术优势、价格优势，在该行业中所处的位置、产品出 口的可能性及前景；目前项目公司拥有韩国强有力的研发团队，未来准备采用的HVGF生产工 艺，将极大降低蓝宝石材料生产成本，低于目前常用方法15%以上，具备同 行业最高的生产水平1. 产品技术规格、用途说明晶棒技术规格，用途说明:项目限值定向角度C 向 <0.25°气泡不允许> 0. 5um位错密度< 103cm-2双晶曲线12-25弧秒透射率>85%/250 - 4000nm 波段抗弯强度400MPa密度3. 98g/cm3莫氏硬度9直径025. 4 ±0. 1晶片技术规格，用途说明:ParameterSpecificationCrystal OrientationC-plane (0001) 0. 2° ± 0. 1° TowardsM-planeMis OrientationTowards0° ± 0. 15°Wafer Diameter50. 8 mm 土 0. 1mmThickness432m ± 25mOrientation Flat16. 0 mm ± 1. 0mmOrientation Flat LocationA-axis ± 0. 3°Front Surface Surface RoughnessEpi PolishBackside Roughness<1.0 uTTV< 5 umBow< 5 umWarp< 5 umEdge ConditionEdge defect not to exceed SEMI M3-91, Table 2Front SurfaceConditionFront Surface qua 1 i ty as pe。