031【精品论文】半导体照明关键技术专利分析和预警研究报告.pdf
26页半导体照明关键技术专利分析和预警研究报告半导体照明关键技术专利分析和预警研究报告 (社会版)(社会版) 一、一、 半导体照明专利技术概况半导体照明专利技术概况 ............................................................... 2 1、技术及产业发展概况 .......................................................................................... 2 (1)专利申请态势分析....................................................................................... 2 (2)专利申请区域分布....................................................................................... 3 (3)申请人分布状况........................................................................................... 6 2、中国专利现状及趋势分析 .................................................................................. 7 (1)国外申请人在华专利................................................................................. 11 (2)国内申请人专利申请................................................................................. 15 二、二、LED 照明领域重点技术专利情况照明领域重点技术专利情况 .................................................................... 19 1、外延生长技术 .................................................................................................... 20 2、芯片制造技术 .................................................................................................... 22 3、器件封装技术 .................................................................................................... 23 4、产品应用技术 .................................................................................................... 24 半导体照明素有“绿色能源”之称,其产品不含汞、铅等对环境和人体有害的物质,在同等条件下,耗电量仅为普通白炽灯的 1/10,寿命可延长 50 倍。
据专家预测,到 2015 年,通过推广半导体照明可实现年节电 400 亿千瓦/时,相当于年减排 4000 万吨二氧化碳随着技术的进步和成熟,半导体照明产业近年来发展势头迅猛,已成为了照明市场的“新宠”,在北京奥运会、国庆 60 周年阅兵、上海世博会、广州亚运会上频频大放异彩据相关预测到 2010 年全球半导体照明市场销售额将达 100 亿美元今年国务院发布的 《关于加快培育和发展战略性新兴产业的决定》 已将“节能环保产业”列为我国十二五发展的七大新兴产业之一,凭借着高效、节能、环保的优势半导体照明必然将成为未来我国发展的重点产业虽然我国近几年半导体照明产业取得了跨越式的发展,但始终伴随着诸多的挑战和风险,其中知识产权问题是阻碍国内产业发展的主要瓶颈之一 为了保障我国半导体照明产业的科学健康发展,防范产业运行中的知识产权风险,自 2008 年开始,我国已连续三年对国内外半导体照明及其相关技术领域的专利情况进行了全面、深入的跟踪研究,取得一批较具价值的研究成果,受到了行业主管部门、产业和企业界的普遍认可与赞扬为了使研究成果更具针对性,今年在以前研究成果的基础上重点对半导体照明领域的关键技术展开深入的分析与研究。
本报告全面研究了(1)半导体照明领域产业现状及发展趋势分析;(2)半导体照明领域专利技术整体态势分析;(3)外延、芯片、封装、应用四个关键技术国内外专利情况分析;(4)全球、国内、台湾重点企业半导体照明领域的专利布局,特别是在我国大陆地区的专利布局及特征,以及专利风险情况, (5)从政府和企业两个层面提出了应对措施 截至 2010 年 8 月,在全球专利数据库(EPODOC 和 WPI)中共检索到全球范围内涉及 LED 照明技术的专利申请 124371 项(合并同族后),在中国专利数据库中共检索到中国专利申请为 30682 件对四个重点技术外延生长、芯片制造、器件封装、应用领域检索到的全球专利申请为 12937 项、8683 项、30223项、80209 项;中国相关专利申请分别为 1645 件、1227 件、4628 件、23268件 一、 半导体照明专利技术概况一、 半导体照明专利技术概况 1、技术及产业发展概况、技术及产业发展概况 ((1)专利申请态势分析)专利申请态势分析 半导体照明技术领域的专利申请始于上世纪 60 年代,图 1 显示了从 1964年至2010年的专利申请量按最早申请日/优先权日的年度分布情况。
从图中可以看出,全球范围内半导体照明技术领域的专利申请经历了几乎持续增长的发展过程数据显示,1991 年专利申请量已超过 1000项,而且之后专利申请量的增长速度逐步加快,特别是2002年以后专利申请量增长迅猛,至2005年时年申请量已超过 10000 项,而 2008 年的专利申请量高达 20149 项,说明全球半导体照明技术仍处于较快发展中 0100020003000400050006000700080009000100001100012000130001400015000160001700018000190002000021000220001964 1966 1968 1970 1972 197419761978 1980 19821984 19861988 199019921994 19961998 2000 2002 2004 2006 20082010图 1 全球专利申请年度变化图1 ((2)专利申请区域分布)专利申请区域分布 从半导体照明技术领域全球专利申请的区域分布可以看出,该领域的专利申请主要分布在日本、美国、中国、韩国、中国台湾、欧洲 (即在欧洲专利局申请)、德国、澳大利亚、加拿大、英国、法国、印度等国家/地区。
其中在日本提出的专利申请量为 55486 项,占全球申请总量 (124371 项) 的 44.6%,其申请量占全球申请总量的比例将近 1/2;在美国和中国提出的专利申请量分别为34385 项和 33867 项,分别位列第二和第三,占全球申请总量的比例分别为27.6%和 27.2%,两者申请量和申请比例比较接近;另外韩国、中国台湾、欧洲以及德国的专利申请量也比较高,而其它国家的申请量相对偏低总体来看,半导体照明技术领域在日本、美国和中国的专利申请最为活跃,在韩国、中国台湾、欧洲以及德国的专利申请也比较活跃,其中在我国的专利申请量仅低于在日本和美国的申请量,说明中国在半导体照明技术领域已经成为全球非常重视的区域 1报告中 2009-2010 年统计的专利申请量少于实际申请量主要由于:发明专利申请通常自申请日(有优先权的,自优先权日)起满 18 个月才能公布(要求提前公布的除外);PCT 专利申请可能自申请日起 30 个 月甚至更长时间之后才进入国家阶段,导致与之相对应的国家公布更晚;实用新型专利申请在授权后才能 获得公布,其公布日的滞后程度取决于审查周期的长短下同 5548633867177351136125221960 1910 1585821109421218434385050001000015000200002500030000350004000045000500005500060000JPUSCNKRTWEPDEAUCAGBFRIN图 2 全球专利申请区域分布图 从半导体照明技术领域全球专利申请的原创区域分布可以看出,该领域专利申请的原创区域主要分布在日本、中国、美国、韩国、中国台湾、德国、欧洲(即在欧洲专利局申请)、英国、法国、澳大利亚等国家/地区。
其中在日本原创的专利申请量为 49552 项,占全球申请总量 (124371 项) 的 39.8%,远超其它国家/地区所占的比例,可见日本在半导体照明技术领域的经济和科技投入较多;在中国和美国原创的专利申请量列第二位和第三位,分别为 25777 项和18402 项,占全球申请总量的 20.7%和 14.8%需要注意的是,尽管在中国原创的专利申请量超过在美国原创的专利申请量,但在中国原创的专利申请中实用新型的比例偏高,而且在华的外资企业和台资企业的申请量较大,因此并不能盲目乐观 495522577718402128397131 6853 20311279 1034363261257255 0500010000150002000025000300003500040000450005000055000JPCNUSKRTWDEEPGBFRAUITRUCA图 3 全球专利申请原创区域分布图 从半导体照明技术领域全球原创专利申请的年度变化可以看出,日本和美国的专利申请起步较早,其中日本自上世纪60年代中期到70年代末保持较为平稳的申请量,自 1980 年开始申请量逐步增长,并在 1992 年突破 1000 项的年申请量,特别是2002年之后增速加快,专利申请量大量增加,至2007年达到峰值4703项,而从2008 年开始申请量略有回落,可见日本在该领域的技术发展基本成熟;而美国则在 2001年时年申请量才突破 1000项,在2003年至 2008年申请量基本均保持在1800-2000项左右的水平,可见美国在该领域的技术发展也较为成熟;德国的专利申请起步也比较早,但是其专利申请量增长幅度较小,2008年其年申请量只有 906 项;中国和韩国在上世纪 80 年代初才出现专利申请,但是近几年的发展非常迅速,特别是中国在 2005 年之后申请量增幅较大,至 2008年达到峰值 7778 项,远超其它原创区域的年申请量,说明中国在该领域正处于技术发展时期;中国台湾申请起步最晚,但近几年保持均匀增长的态势,在申请总量上已经超过德国。
01000200030004000500060007000800090001964 1966 1968 1970 1972 1974 1976 1978 1980 1982 1984 1986 1988 1990 1992 1994 1996 1998 2000 2002 2004 2006 2008 2010JPCNUSKRTWDE图 4 全球原创区域专利申请量年度变化图 通过对原创区域的专利申请区域分布状况分析显示,日本、美国、韩国和德国比较注重在国外的专利布局,其中日本、中国、美国、韩国、中国台湾、德国以及欧洲(在欧洲专利局申请)是普遍较为关注的专利布局区域,而美国和日本特别善于利用 PCT 国际申请的方式在全球进行专利布局 表 1 各原创区域的。

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