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VLSIVLSI系统设计系统设计-3-3 东南大学电子东南大学电子科学与工程学院科学与工程学院 VLSI系统设计第第3章章 工艺与设计接口工艺与设计接口 〔〔2019-2019〕〕 VLSIVLSI系统设计系统设计-3-3 东南大学电子东南大学电子科学与工程学院科学与工程学院 本章概要：本章概要：Ø设计与工艺接口问题设计与工艺接口问题 Ø工艺笼统工艺笼统 Ø电学设计规那么电学设计规那么 Ø几何设计规那么几何设计规那么 Ø工艺检查与监控工艺检查与监控 根本问题根本问题设计与仿真根据设计与仿真根据工艺监控和提模手段工艺监控和提模手段设计与工艺接口设计与工艺接口 VLSIVLSI系统设计系统设计-3-3 东南大学电子东南大学电子科学与工程学院科学与工程学院 3.1 设计与工艺接口问题Ø根本根本问题—工工艺线选择 Ø设计的困惑的困惑 Ø设计与工与工艺接口接口 .1.1 VLSIVLSI系统设计系统设计-3-3 东南大学电子东南大学电子科学与工程学院科学与工程学院 3.1.1 根本问题—工艺线选择 一条成熟的工艺线，各项工艺参数都是一条成熟的工艺线，各项工艺参数都是一定的，不允许随便变卦，而这些参数往往一定的，不允许随便变卦，而这些参数往往就成为我们设计的制约要素。
就成为我们设计的制约要素 因此，设计之初必需思索：这条工艺线因此，设计之初必需思索：这条工艺线对我的设计能否适宜对我的设计能否适宜 .1.1设计之初的重要问题：选择工艺和工艺线设计之初的重要问题：选择工艺和工艺线 VLSIVLSI系统设计系统设计-3-3 东南大学电子东南大学电子科学与工程学院科学与工程学院 3.1.2 设计的困惑Ø电参数：参数：Ø运用运用萨方程方程 Ø衬偏效偏效应(γ系数系数) Ø上升、下降上升、下降时间〔〔负载电容〕容〕 Ø迁移率比迁移率比值Ø……Ø幅幅员参数：参数：Ø尺寸尺寸Ø间距距Ø……Ø 太多的不确定，工太多的不确定，工艺线能否提供能否提供这些参数？些参数？.1.1 VLSIVLSI系统设计系统设计-3-3 东南大学电子东南大学电子科学与工程学院科学与工程学院 3.1.3 设计与工艺接口Ø 工艺线提供电学设计和幅员设计的规那么，构成工艺线提供电学设计和幅员设计的规那么，构成设计规那么文件设计规那么文件Ø 工艺线提供工艺加工质量的监测方法，构成工艺线提供工艺加工质量的监测方法，构成PCM〔〔Process Control Monitor〕。
〕Ø 至此，设计问题简单了，设计根据充分了，至此，设计问题简单了，设计根据充分了，界限明确了界限明确了Ø 这些就构成明晰地接口：设计与工艺接口这些就构成明晰地接口：设计与工艺接口这个接口同时也成为了设计与工艺的共同制约，成这个接口同时也成为了设计与工艺的共同制约，成为设计与工艺双方必需共同遵守的规范为设计与工艺双方必需共同遵守的规范 .1.1 VLSIVLSI系统设计系统设计-3-3 东南大学电子东南大学电子科学与工程学院科学与工程学院 3.2 工艺笼统Ø工艺对设计的制约工艺对设计的制约 Ø工艺笼统工艺笼统 Ø 对资料参数的笼统对资料参数的笼统Ø 对加工才干的笼统对加工才干的笼统Ø 得到以电学参数和几何参数描画的工得到以电学参数和几何参数描画的工艺数据，设计者不再看到诸如掺杂浓度、结艺数据，设计者不再看到诸如掺杂浓度、结深、氧化层厚度等工艺技术范畴的专业术语深、氧化层厚度等工艺技术范畴的专业术语2.2 VLSIVLSI系统设计系统设计-3-3 东南大学电子东南大学电子科学与工程学院科学与工程学院 3.2.1 工艺对设计的制约Ø最小加工分辨尺寸与最大芯片尺寸对设计最小加工分辨尺寸与最大芯片尺寸对设计的制约〔特征尺寸与最大面积〕的制约〔特征尺寸与最大面积〕Ø电学参数对设计的制约电学参数对设计的制约 Ø规范工艺流程对特殊工艺要求的制约规范工艺流程对特殊工艺要求的制约 .2.2 VLSIVLSI系统设计系统设计-3-3 东南大学电子东南大学电子科学与工程学院科学与工程学院 3.2.2 工艺笼统掺杂浓度以薄层电阻掺杂浓度以薄层电阻RS描画：描画：.2.2 VLSIVLSI系统设计系统设计-3-3 东南大学电子东南大学电子科学与工程学院科学与工程学院 3.2.2 工艺笼统氧化层〔绝缘层〕厚度以单位面积电容氧化层〔绝缘层〕厚度以单位面积电容C0描画：描画： .2.2氧化层掺杂层导电层 VLSIVLSI系统设计系统设计-3-3 东南大学电子东南大学电子科学与工程学院科学与工程学院 3.2.2 工艺笼统 重要参数重要参数阈值电压描画了描画了衬底底掺杂浓度，氧化度，氧化层厚度，氧化厚度，氧化层中含有的中含有的电荷性荷性质与数量，以及多晶硅〔或金属〕与与数量，以及多晶硅〔或金属〕与衬底底的功函数差。
的功函数差 阈值电压包括了包括了栅区区阈值电压和和场区区阈值电压2.2导电薄膜参数以薄层电阻描画导电薄膜参数以薄层电阻描画 VLSIVLSI系统设计系统设计-3-3 东南大学电子东南大学电子科学与工程学院科学与工程学院 3.2.2 工艺笼统.2.2 幅员设计规那么是一组几何尺寸，是对加幅员设计规那么是一组几何尺寸，是对加工精度〔如最细线条〕；寄生效应〔如寄生晶工精度〔如最细线条〕；寄生效应〔如寄生晶体管〕；特性保证〔如可控硅效应抑制〕；加体管〕；特性保证〔如可控硅效应抑制〕；加工质量控制〔如废品率〕等多方面的笼统工质量控制〔如废品率〕等多方面的笼统 VLSIVLSI系统设计系统设计-3-3 东南大学电子东南大学电子科学与工程学院科学与工程学院 .2.2表3.1 部分幅员设计规那么参数意义及制定根据版图参数版图参数制定依据制定依据阱区版图：阱区版图：阱的最小宽度阱的最小宽度保证光刻精度和器件尺寸保证光刻精度和器件尺寸阱与阱最小间距阱与阱最小间距防止不同电位阱间干扰防止不同电位阱间干扰有源区版图：有源区版图：有源区最小宽度有源区最小宽度保证器件尺寸保证器件尺寸有源区最小间距有源区最小间距减小寄生效应减小寄生效应阱覆盖其中阱覆盖其中N N有源区有源区保证阱区四周的场注入保证阱区四周的场注入阱外同掺杂类型有源区距阱间距阱外同掺杂类型有源区距阱间距有利于抑制可控硅效应有利于抑制可控硅效应阱外不同掺杂类型有源区距阱间距阱外不同掺杂类型有源区距阱间距保证阱与衬底间保证阱与衬底间PNPN结特性结特性多晶硅版图：多晶硅版图：多晶硅栅最小栅长多晶硅栅最小栅长加工精度加工精度最细多晶硅连线宽度最细多晶硅连线宽度保证多晶硅互连线的必要电导保证多晶硅互连线的必要电导多晶硅条最小间距多晶硅条最小间距防止多晶硅连条（即多晶硅条间短路）防止多晶硅连条（即多晶硅条间短路）多晶硅覆盖沟道多晶硅覆盖沟道保证沟道宽度及源漏区的截断保证沟道宽度及源漏区的截断硅栅与有源区内间距硅栅与有源区内间距保证电流在整个沟道宽度内均匀流动保证电流在整个沟道宽度内均匀流动硅条与有源区外间距硅条与有源区外间距保证沟道区尺寸保证沟道区尺寸硅条与无关有源区间距硅条与无关有源区间距防止短路和寄生效应防止短路和寄生效应 VLSIVLSI系统设计系统设计-3-3 东南大学电子东南大学电子科学与工程学院科学与工程学院 .2.2P+P+注入区版图：注入区版图：P+P+区最小宽度区最小宽度保证足够的保证足够的P+P+接触区接触区P+P+区对有源区的覆盖区对有源区的覆盖保证保证P P管源漏区完整注入管源漏区完整注入P+P+区距区距NMOSNMOS硅栅间距硅栅间距保证保证NMOSNMOS源区尺寸源区尺寸P+P+区距区距N N有源区间距有源区间距防止防止P+P+注入到注入到N+N+区区N+N+注入区版图：注入区版图：N+N+区最小宽度区最小宽度保证足够的保证足够的N+N+接触区接触区N+N+区对有源区的覆盖区对有源区的覆盖保证保证N N管源漏区完整注入管源漏区完整注入N+N+区距区距PMOSPMOS硅栅间距硅栅间距保证保证PMOSPMOS源区尺寸源区尺寸N+N+区距区距P P有源区间距有源区间距防止防止N+N+注入到注入到P+P+区区接触孔（引线孔）版图：接触孔（引线孔）版图：接触孔最小宽度接触孔最小宽度保证与金属接触良好保证与金属接触良好最大接触孔边长最大接触孔边长有利于接触孔的成品率有利于接触孔的成品率同一区上孔与孔间距同一区上孔与孔间距保证长孔的良好接触保证长孔的良好接触源漏区上孔与栅间距源漏区上孔与栅间距防止源漏区与栅短路防止源漏区与栅短路源漏区对孔的最小覆盖源漏区对孔的最小覆盖防止防止PNPN结漏电和短路结漏电和短路多晶硅对孔的最小覆盖多晶硅对孔的最小覆盖防止漏电和短路防止漏电和短路金属互连版图：金属互连版图：金属条最小宽度金属条最小宽度保证互连的良好电导保证互连的良好电导金属条最小间距金属条最小间距防止连条防止连条金属对孔的最小覆盖金属对孔的最小覆盖保证接触保证接触宽金属线最小间距宽金属线最小间距防止连条防止连条 VLSIVLSI系统设计系统设计-3-3 东南大学电子东南大学电子科学与工程学院科学与工程学院 3.3 电学设计规那么.3.3 电学设计规那么提供了一组用于电路设计电学设计规那么提供了一组用于电路设计分析的参数，这些参数来源于详细工艺线，具分析的参数，这些参数来源于详细工艺线，具有很强的针对性。
有很强的针对性 假设设计所采用的电学参数来源不是未来假设设计所采用的电学参数来源不是未来详细制造的工艺线，那么仿真分析的结果没有详细制造的工艺线，那么仿真分析的结果没有实践意义实践意义 电学设计规那么被分为两个主要部分：器电学设计规那么被分为两个主要部分：器件模型参数和寄生提取所需的电学参数件模型参数和寄生提取所需的电学参数 VLSIVLSI系统设计系统设计-3-3 东南大学电子东南大学电子科学与工程学院科学与工程学院 3.3.1 电学规那么的普通描画 .3.3表3.2 电学设计规那么描画电学设计规则参数参数说明衬底电阻N型衬底电阻率均匀的N型衬底的电阻率掺杂区薄层电阻RSP阱薄层电阻N+掺杂区薄层电阻P+掺杂区薄层电阻P 阱中每一方块的电阻值NMOS源漏区和N型衬底接触区每一方块的电阻值PMOS源漏区和P型衬底（P阱）接触区每一方块的电阻值多晶硅薄层电阻RSNMOS多晶硅RSPMOS多晶硅RSNMOS区域多晶硅薄层方块电阻PMOS区域多晶硅薄层方块电阻接触电阻N+区接触电阻P+区接触电阻NMOS多晶硅接触电阻PMOS多晶硅接触电阻N+掺杂区与金属的接触电阻P+掺杂区与金属的接触电阻NMOS的多晶硅栅以及多晶硅引线与金属的接触电阻PMOS的多晶硅栅与金属的接触电阻 VLSIVLSI系统设计系统设计-3-3 东南大学电子东南大学电子科学与工程学院科学与工程学院 3.3.1 电学规那么的普通描画.3.3电容（单位面积电容值）栅氧化层电容场区金属-衬底电容场区多晶硅-衬底电容金属-多晶硅电容NMOS的PN结电容PMOS的PN结电容NMOS和PMOS的栅电容在场区的金属和衬底间电容，氧化层厚度为场氧化厚度加上后道工艺沉积的掺磷二氧化硅层的厚度在场区的多晶硅和衬底间电容，氧化层为场氧化层金属-二氧化硅-多晶硅电容，二氧化硅厚度等于多晶硅氧化的二氧化硅厚度加上掺磷二氧化硅层的厚度零偏置下，NMOS源漏区与P阱的PN结电容零偏置下，PMOS源漏区与N型衬底的PN结电容其他综合参数NMOS阈值电压PMOS阈值电压P型场区阈值电压N型场区阈值电压NMOS源漏击穿电压PMOS源漏击穿电压NMOS本征导电因子PMOS本征导电因子VTNVTP场区阈值电压，衬底为P型半导体（P阱）场区阈值电压，衬底为N型半导体（N型衬底）NMOS源漏击穿电压PMOS源漏击穿电压K’NK’P表3.2 电学设计规那么描画〔续〕 VLSIVLSI系统设计系统设计-3-3 东南大学电子东南大学电子科学与工程学院科学与工程学院 3.3.2 器件模型参数.3.3模型参数例如：模型参数例如： VLSIVLSI系统设计系统设计-3-3 东南大学电子东南大学电子科学与工程学院科学与工程学院 3.3.3 模型参数的离散及仿真方法.3.3 任何一个工艺线的工艺都存在一定的误差，因此模型参数也会出现离散，公司给出的模型参数通常是典型值。
参数偏向的描画方法： TT〔typical model〕模型 SS〔Slow NMOS Slow PMOS model〕模型FF〔Fast NMOS Fast PMOS model〕模型 SF〔Slow NMOS Fast PMOS model〕模型 FS〔Fast NMOS Slow PMOS model〕模型 VLSIVLSI系统设计系统设计-3-3 东南大学电子东南大学电子科学与工程学院科学与工程学院 .3.3TT模型SS模型FF模型.LIB TT.param toxp = 5.8e-9 +toxn = 5.8e-9 +dxl = 0 dxw = 0 +dvthn = 0 dvthp = 0 +cjn = 2.024128E-3+cjp = 1.931092e-3 +cjswn = 2.751528E-10+cjswp = 2.232277e-10+cgon = 3.11E-10+cgop = 2.68e-10 +cjgaten = 2.135064E-10+cjgatep = 1.607088e-10.lib '
而不能小于这些尺寸 VLSIVLSI系统设计系统设计-3-3 东南大学电子东南大学电子科学与工程学院科学与工程学院 3.4.1 几何设计规那么描画.4.4描画方法：一是以最小描画方法：一是以最小单位位λ的倍数表示，几的倍数表示，几何何设计规那么中的一切数据都以那么中的一切数据都以λ的倍数表示，的倍数表示，如如3λ、、5λλ是最小沟道是最小沟道长度度L的一半，是的一半，是详细的数的数值这种描画方法称种描画方法称为λ设计规那么二是用二是用详细的数的数值进展描画，数展描画，数值单位是微位是微米，被称米，被称为微米微米设计规那么 VLSIVLSI系统设计系统设计-3-3 东南大学电子东南大学电子科学与工程学院科学与工程学院 3.4.1 几何设计规那么描画.4.4表3.4 掩膜板层描画掩膜板层编号说明N阱（N_WELL）1有源区(ACTIVE)2多晶硅(POLY)3N+区（N PLUS SELECT）4P+区（P PLUS SELECT）4多晶硅2(POLY2)11、12、13可选用引线接触（CONTACT）5、6、13多晶硅接触孔（POLY CONTACT）5有源区接触孔（ACTIVE CONTACT）6多晶硅2接触孔（POLY2 CONTACT）13金属1（METAL1）7通孔（VIA）8金属1与金属2连接金属2（METAL2）9通孔2（VIA2）14金属2与金属3连接金属3（METAL3）15钝化层（GLASS）10 VLSIVLSI系统设计系统设计-3-3 东南大学电子东南大学电子科学与工程学院科学与工程学院 3.4.1 几何设计规那么描画.4.4表3.6 有源区设计规那么规则描述λ数2.1有源区最小宽度32.2有源区最小间距32.3源/漏有源区到阱边界距离52.4衬底/阱接触区到阱边界距离32.5不同掺杂类型的有源区间最小间距0或4 VLSIVLSI系统设计系统设计-3-3 东南大学电子东南大学电子科学与工程学院科学与工程学院 3.4.2 一个幅员设计的例子 .4.4 VLSIVLSI系统设计系统设计-3-3 东南大学电子东南大学电子科学与工程学院科学与工程学院 3.5 工艺检查与监控.5.5 工艺加工完成后，接下来的任务就是检查工艺加工完成后，接下来的任务就是检查制造的质量，验证设计的正确性。
制造的质量，验证设计的正确性 验证设计正确性的测试技术将在第验证设计正确性的测试技术将在第7 7章引见 在本节中主要讨论如何进展工艺质量检查在本节中主要讨论如何进展工艺质量检查和监控，经过什么手段与技术确认产品加工失和监控，经过什么手段与技术确认产品加工失效的缘由效的缘由 VLSIVLSI系统设计系统设计-3-3 东南大学电子东南大学电子科学与工程学院科学与工程学院 3.5.1 PCM〔Process Control Monitor〕.5.5 PCM是一组测试构造，主要用于检测工是一组测试构造，主要用于检测工艺加工质量，提取相关参数艺加工质量，提取相关参数 PCM测试构造主要包括了四个方面：测试构造主要包括了四个方面： 工艺加工质量评价工艺加工质量评价 DC测试测试 AC测试测试 少量功能器件测试构造少量功能器件测试构造 PCM还作为提取器件模型参数的手段被还作为提取器件模型参数的手段被广泛运用广泛运用 VLSIVLSI系统设计系统设计-3-3 东南大学电子东南大学电子科学与工程学院科学与工程学院 3.5.1 PCM.5.5 VLSIVLSI系统设计系统设计-3-3 东南大学电子东南大学电子科学与工程学院科学与工程学院 .5.5•互连线的参数〔INTERCONNECT PARAMETERS〕：• 薄层电阻〔Sheet Resistance 〕〔金属、多晶硅、有源区等〕•接触电阻〔Contact Resistance〕• 线宽偏向〔Delta Line Width〕〔金属和多晶硅〕•台阶覆盖〔STEP COVERAGE〕：• 梳齿构造〔Comb Isolation〕〔金属和多晶硅〕 • 折弯构造〔Serpentine Continuity〕•晶体管特性〔TRANSISTOR CHARACTERISTICS〕：• 晶体管阈值电压〔Transistor Threshold Voltage〕• 本征导电因子，导电因子〔Process Gain, Kp (beta/2)〕 • Gamma〔γ〕系数 (body effect coefficient) • 饱和电流〔Saturation Current〕• 沟道穿通电压〔Channel Punch-through Voltage〕• PN结击穿〔Junction Breakdown〕•厚栅氧〔场区氧化层〕晶体管〔FIELD OXIDE TRANSISTORS〕： • 阈值电压〔Threshold〕•倒相器〔INVERTERS〕： • 输出高电平〔Vout, high〕 • 输出低电平〔Vout, low〕• 倒相器阈值〔Inverter Threshold (Vinv)〕 • 倒相器阈值处的增益〔Gain at Inverter Threshold〕•电容〔CAPACITORS〕： • 平板电容〔Area Capacitance〕• 边缘电容〔Fringe Capacitance〕•环行振荡器〔RING OSCILLATOR〕：• 频率〔Frequency〕PCM部分测试参量 VLSIVLSI系统设计系统设计-3-3 东南大学电子东南大学电子科学与工程学院科学与工程学院 3.5.2 测试图形及参数丈量.5.5例如例如1 1：接触电阻丈量：接触电阻丈量 金属金属/多晶硅接触电阻多晶硅接触电阻的的Kelvin测试构造测试构造 丈量步骤： 1、3点上注入电流，丈量2、4点间的电压 3、1点上注入电流，丈量2、4点间的电压 计算：u 2、、4点上注入电流，丈量点上注入电流，丈量1、、3点间的电点间的电压压u 4、、2点上注入电流，丈量点上注入电流，丈量1、、3点间的电点间的电压压u 计算：计算：接触电阻接触电阻=〔〔R1+R2〕〕/2 VLSIVLSI系统设计系统设计-3-3 东南大学电子东南大学电子科学与工程学院科学与工程学院 3.5.2 测试图形及参数丈量.5.5例如例如1 1：接触电阻丈量：接触电阻丈量 VLSIVLSI系统设计系统设计-3-3 东南大学电子东南大学电子科学与工程学院科学与工程学院 3.5.2 测试图形及参数丈量.5.5例如例如2 2：薄层电阻丈量：薄层电阻丈量 基于范德堡〔基于范德堡〔Van der Pauw〕原理〕原理 。
丈量过程：丈量过程： 在相邻的两个臂间注入电流在相邻的两个臂间注入电流IF〔如〔如A-B〕；〕； 丈量另两臂间电压〔如丈量另两臂间电压〔如C-D，得，得VCD〕；〕； 旋转旋转90度，再注入电流度，再注入电流IF〔〔B-C〕；〕； 再丈量电压〔再丈量电压〔A-D，得，得VAD〕薄层电阻薄层电阻希腊十字构造希腊十字构造 VLSIVLSI系统设计系统设计-3-3 东南大学电子东南大学电子科学与工程学院科学与工程学院 3.5.2 测试图形及参数丈量.5.5例如例如2 2：薄层电阻丈量及线宽测试：薄层电阻丈量及线宽测试 VLSIVLSI系统设计系统设计-3-3 东南大学电子东南大学电子科学与工程学院科学与工程学院 3.5.2 测试图形及参数丈量.5.5例如例如3 3：阈值电压丈量〔以及衬偏系数〕：阈值电压丈量〔以及衬偏系数〕 外推阈值电压丈量外推阈值电压丈量 通常采用外推阈值电压丈量方法通常采用外推阈值电压丈量方法丈量方法：在小的固定源漏电压下，丈量丈量方法：在小的固定源漏电压下，丈量漏电流漏电流ID随随VGS的变化。
在较线性的部分的变化在较线性的部分做直线拟合，外推到与做直线拟合，外推到与VGS坐标轴相交处坐标轴相交处 在丈量时，衬底与器件源极间的反偏电在丈量时，衬底与器件源极间的反偏电压分别取不同的值以反映托底偏置效应对压分别取不同的值以反映托底偏置效应对阈值电压的影响，至少应取阈值电压的影响，至少应取|VBS|=0V、、VDD/2和和VDD三个点进展丈量三个点进展丈量 由由VBSVBS的三个值，根据的三个值，根据可计算得到可计算得到 VLSIVLSI系统设计系统设计-3-3 东南大学电子东南大学电子科学与工程学院科学与工程学院 3.5.2 测试图形及参数丈量.5.5例如例如4 4：本征导电因子丈量：本征导电因子丈量 外推阈值电压丈量外推阈值电压丈量 由外推阈值电压丈量曲线获得由外推阈值电压丈量曲线获得由萨方程由萨方程 可知：外推直线斜率可知：外推直线斜率可得本征导电因子可得本征导电因子 VLSIVLSI系统设计系统设计-3-3 东南大学电子东南大学电子科学与工程学院科学与工程学院 3.5.2 测试图形及参数丈量.5.5例如例如5 5：环行振荡器丈量：环行振荡器丈量由基数个门电路环接而成由基数个门电路环接而成 环行振荡器的丈量结果真实地反映了工艺质量，它也可以作环行振荡器的丈量结果真实地反映了工艺质量，它也可以作为一个检验基于为一个检验基于SPICE模型的模拟能否准确的工具。
模型的模拟能否准确的工具 VLSIVLSI系统设计系统设计-3-3 东南大学电子东南大学电子科学与工程学院科学与工程学院 3.5.2 测试图形及参数丈量.5.5例如例如5 5：环行振荡器丈量：环行振荡器丈量由基数个门电路环接而成由基数个门电路环接而成 VLSIVLSI系统设计系统设计-3-3 东南大学电子东南大学电子科学与工程学院科学与工程学院 3.5.2 测试图形及参数丈量.5.5例如例如6：： CD〔〔Critical Dimension〕测试〕测试 VLSIVLSI系统设计系统设计-3-3 东南大学电子东南大学电子科学与工程学院科学与工程学院 3.5.2 测试图形及参数丈量.5.5例如例如6：： CD〔〔Critical Dimension〕测试〕测试 VLSIVLSI系统设计系统设计-3-3 东南大学电子东南大学电子科学与工程学院科学与工程学院 3.5.2 测试图形及参数丈量.5.5例如例如7：台阶覆盖：台阶覆盖 VLSIVLSI系统设计系统设计-3-3 东南大学电子东南大学电子科学与工程学院科学与工程学院 3.5.2 测试图形及参数丈量.5.5例如例如7：台阶覆盖：台阶覆盖 VLSIVLSI系统设计系统设计-3-3 东南大学电子东南大学电子科学与工程学院科学与工程学院 本章论述设计与工艺接口：.5.5Ø工工艺对设计的制的制约Ø工工艺笼统—几何几何设计规那么那么Ø工工艺笼统—电学学规那么、器件模型那么、器件模型Ø工工艺监控与参数提取控与参数提取—PCM电路、幅员设计电路、幅员设计规范化工艺规范化工艺电学、几何设计规那电学、几何设计规那么么〔设计文件、规范〕〔设计文件、规范〕PCM，工艺检查工艺确认工艺确认 。
