CMOS芯片N阱剖面图.docx

剖面图：1、初始氧化为阱区的选择性刻蚀和随后的阱区深度注入做工艺准备阱区掩蔽氧化介质层的厚度取决于注入和退火的掩蔽需要SiCh(昉氧化形成二氧化硅层:作为形成N阱的掩蔽膜2. 阱区光刻是该款n阱硅栅CMOS集成电路制造工艺流程序列的第一次光刻若采用典型的常规湿法光刻工艺，应该包括：涂胶，前烘，压板，曝光，显影，定影，坚膜,腐蚀P型衬底(W第一次光刻形成N阱窗口3. n阱注入是该n阱硅栅COMS集成电路制造工艺流程序列中的第一次注入参杂P阱注入工艺环节的工艺要求是形成n阱区N阱卩型衬底fStCh(c)磷离子注入形成浅结后,退火扩散形成N阱4. 剥离阱区氧化层N阱P型衬底(d)除去二氧化硅层5. 热生长二氧化硅缓冲层：消除Si-Si3N4界面间的应力，第二次氧化垫氧化层(e)氧化形成垫氧化层，作为缓冲层6. LPCVD制备Si3N4介质氮化硅层N阱P型衬底〔f)LPCVD形成氮化硅层7•有源区光刻：即第二次光刻N阱卩型衬底(g)第二次光刻，I光刻有源区8. 局部氧化：第三次氧化，生长场区氧化层场氧化层卩型衬底(h)用溟氧法生成二氧化硅层用于器件隔离9. 剥离Si3N4层及SiO2缓冲层〔门刻蚀氮化硅和垫氧化层10. 热氧化生长栅氧化层:第四次氧化。

栅氧化层〔i)第四次氧化形成栅氧化层11.生长多晶硅多晶硅(k)淀积多晶硅12.刻蚀多晶硅栅：形成N沟MOS管和P沟MOS管的多晶硅栅欧姆接触层及电路中所需要的多晶硅电阻区⑴刻蚀务晶硅形成源馮区掺杂窗口13•涂覆光刻胶，刻蚀n沟MOS管区域的胶膜，形成CMOS管的源区和漏区光刻胶(m)光刻胶掩膜保护解敦源漏区，礎离子注入形成企坦艮源漏区14. 涂覆光刻胶，刻蚀p沟MOS管区域的胶膜，形成CMOS管的源区和漏区P型衬底N阱光刻胶(n)光刻胶掩膜保护卿煦源漏区，硼宫子注入形成pMOS;^漏区15. 去光刻胶卩型衬底(o)去光刻胶16. 生长磷硅玻璃PSGPSG(p)表面钝化淀积FEG17•刻蚀引线口凶阱凶阱(q)刻蚀引线口18•真空蒸铝，铝电极反刻A1N阱卩型衬底(r)淀积A1,刻蚀Al。