三极管型号命名方法.doc
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美国产三极管型号命名方法美国品体管或-其他半导体器件的命名法较混乱美国电子工业协会半导体分立器件命名方法 如下：1. 第一部分：用符号表示器件用途的类型JAN■军级JANTX ■特军级JANTXV-超特军级JANS ■宇航级（无）■非军用品2. 第二部分：用数字表示pn结数目二极管2 ■三极管3-三个pn结器件n-依次类推3. 第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志N-该器件已在美国电子工业协会（EIA） 注册登记4. 第四部分：美国电了工业协会登记顺序号多位数字•该器件在美国电了工业协会登记的 顺序号5. 第五部分：用字母表示器件分档A、B、C、D、・・-・・-同一型号器件的不同档别如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管，JAN■军级、2•三极管、N・EIA注册标志、3251-EIA 登记顺序号、A-2N3251A 档国产三极管型号命名方法国产半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件冇效电极数目2■二极管3 ■三极管笫二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N型错材料B-P型错材料C-N型硅材料D-P型硅材料表示三极管时：A-PNP型错材料、B-NPN型餡材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料笫三部分：用汉语拼咅字母表示半导体器件的类型P■普通管、V-微波管W-稳压管C・参量管乙整流管L-整流堆S・隧道管N・阻尼管U ■光电器件K-开关管X・低频小功率管(F<3MHz,Pc
S-表示己在FI本电子工业协会JEIA注册登记 的半导体分立器件3. 第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型A-PNP型高频管B-PNP型低频管C-NPN型高频管D-NPN型低频管F-P控制极可控硅G-N控制极可控硅H-N基极单结晶体管J-P沟道场效应管K-N沟道场效应管M-双向可控硅4. 第四部分：用数字表示在口木电了工业协会JEIA登记的顺序号两位以上的整数•从“11” 开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用 同一顺序号；数字越大，越是近期产品5. 笫五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品欧洲三极管型号命名方法欧洲有些国家，如德国、荷兰釆用如下命名方法1. 第一部分0 •表示半导体器件2. 第二部分A•二极管C-三极管AP-光电二极管CP ■光电三极管AZ •稳压管RP ■光电器件3. 第三部分：多位数字-表示器件的背记序号4•笫四部分A、B、C—-表示同一型号器件的 变型产品国际三极管型号命名方法徳国、法国、意人利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰筹 东欧国家，大都釆用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。
这种命名方法由四个基 木部分组成，各部分的符号及意义如下：1. 第一部分：用字母表示器件使用的材料A-器件使川材料的禁带宽度E沪0.6~1.0eV如错B•器件使用材料的Eg=l.O~1.3eV如硅C ■器件使用材料的Eg>1.3eV如帥化稼D■器件使用材料的Eg<0.6eV如锁化钢E-器件使用复合材料及光电池使用的材料2. 笫二部分：用字母表示器件的类型及主要特征A-检波开关混频二极管B ■变容二极管C ■低频小功率三极管D ■低频大功率三极管E-隧道二极管F •高频小功率三极管G・复合器件及其他器件H ■磁敏二极管K ■开放磁路中的霍尔元件L-高频大功率三极管M-封闭磁路中的霍尔元件P ■光敏器件Q •发光器件R・小功率品闸管；S・小功率开关管「大功率晶闸管u・大功率开关管X •倍增二极管Y■整流二极管乙稳压二极管3. 第三部分：用数字或字母加数字表示登记号三位数字■代表通用半导体器件的登记序号、 一个字母加二位数字•表示专用半导体器件的登记序号4. 第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档A、B、C、D、E— 表示同一型号的器件 按某一参数进行分档的标志除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。
常见后缀如下：1、 稳压二极管型号的示缀其示缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许课差范 围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、± 5%、±10%、±15%；其后 缀第二部分是数字，表示标称稳定吐压的整数数值；后缀的第三部分是字母V,代表小数点, 字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值2、 整流二极管后缀是数字，表示器件的最人反向峰值耐压值，单位是伏特3、 晶闸管型号的示缀也是数字，通常标出最人反向峰值耐压值和最人反向关断电压中数值 较小的那个电压值。
