场效应管总结2016.ppt

对于增强型绝缘栅型场效应管，在 uGS=0 时不存在导电沟道，只有当 uGS 达到开启电压UGS(th)时才有漏极电流 iD 因此，在输出特性中，іD 大于或等于零（即开始出现 iD ）时所对应的uGS值即为开启电压 UGS(th) 一般而言，N 沟道增强型 MOSFET 的 UGS(th) 值为正值，P 沟道的 UGS(th) 值为负值1.4 场效应管,,对于结型场效应管（JFET）和耗尽型绝缘栅型场效应管，当uGS=0 时已存在导电沟道，栅源电压 uGS 等于夹断电压 UGS(off)时，沟道夹断，漏极电流 iD=0 一般 N 沟道 JFET 的 UGS(off)值为负值，而P沟道JFET的UGS(off)值为正值1.4 场效应管,,符号,结构示意图,由于可变电阻区和饱和区的分界线是预夹断点的轨迹，预夹断时，uGD= UGS(off) 因此，在输出特性上，用 uDS 值来表示预夹断点时，可求得: uDS ＝ uDG ＋uGS ＝ uGS －uGD ＝ uGS － UGS(off) 故由预夹断轨迹，也可求得UGS(off) 1.4 场效应管,,为了保证FET工作在放大区，uDS和uGS的极性有如下规律： uDS 值的极性取决于导电沟道的类型。

凡是 N 沟道，载流子是电子，欲使电子向漏极漂移运动， uDS 必为正值；凡是 P 沟道，载流子是空穴，欲使空穴向漏极漂移运，uDS 必为负值1.4 场效应管,, uGS 值的极性取决于工作方式和导电沟道的类型 对于结型场效应管，要求栅、源极间加反向偏置电压如果是 N 沟道，栅极为 P 型半导体，为使 PN 结反偏，要求uGS≤0；如果是P沟道，则要求 uGS≥01.4 场效应管,,符号,结构示意图,对于 MOSFET，如果是增强型 N 沟道，为了吸引电子形成 N 沟道，栅极必须加正电压，即 uGS＞0如果是耗尽型 N 沟道，为了排斥沟道中的电子，使沟道变窄，栅极必须添加负电压即 uGS＜0；为了加宽沟道，吸引更多电子到衬底表面来，栅极必须加正电压，即 uGS＞0；P 沟道则相反1.4 场效应管,,综上所述，JFET中uGS和uDS反极性；增强型MOSFET中uGS与uDS同极性；耗尽型MOSFET中有两种情况，视加宽还是缩减沟道而定，可以是正偏、零偏或反偏，如下表所示1.4 场效应管,,不同类型的场效应管（参见P41）,UGS(off) 和 UGS(th) 的正负极性取决于导电沟道类型。

结型场效应管和耗尽型 MOSFET 存在夹断电压uP，N 沟道 UGS(off) 为负值，P 沟道为正值；增强型 MOSFET 存在开启电压 UGS(th) ，N 沟道 UGS(th) 为正值，P 沟道 UGS(th) 为负值场效应管总结（P41） 工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性,uGS=0可工作在恒流区的场效应管有哪几种？ uGS＞0才可能工作在恒流区的场效应管有哪几种？ uGS＜0才可能工作在恒流区的场效应管有哪几种？,。