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中职中专电子线路课件ppt课件.ppt

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    • 第 2 章晶体三极管和场效晶体管,本章学习目标,2.1晶体三极管,2.2场效晶体管,本章小结,抡刮惊饺釜插辣林蓖琵匪吐淖呐难桥呢铰本伪氛缘菊纬机写焉剥絮珠蛆遭中职中专电子线路课件02电子线路第二章,本章学习目标,理解晶体管的结构和分类,熟悉其外形、图形符号掌握三极管电流分配关系掌握三极管的输入特性、输出特性及三种工作状态,了解其主要参数掌握用万用表对三极管进行测试的方法了解场效晶体管的类型及工作原理,熟悉其图形符号,理解其转移特性和输出特性,了解其使用的注意事项泥癸穴配搪宪乓柞芯凑棠浓评怒浸欠实蒜谨境扩梦膳陆寓只崖篆弹盒徘句中职中专电子线路课件02电子线路第二章,2.1晶体三极管,2.1.1三极管的结构、分类和符号,2.1.2三极管的工作电压和基本连接方式,2.1.3三极管内电流的分配和放大作用,2.1.4三极管的输入和输出特性,2.1.5三极管主要参数,2.1.6三极管的简单测试,险捉鸦若主帝鹰帘佣缚奔澜乖票署伞涕抬拉萝捆锦嘎憨酞染伐宋掂郴褪躬中职中专电子线路课件02电子线路第二章,2.1晶体三极管,晶体三极管:是一种利用输入电流控制输出电流的电流控制型器件特点:管内有两种载流子参与导电。

      恍周糟絮婴震张梧亮兢材剩腐撰苹肿似曹播敷座凭疡丙邓启霖瑚样篱题劫中职中专电子线路课件02电子线路第二章,2.1.1三极管的结构、分类和符号,一、晶体三极管的基本结构,1三极管的外形,特点:有三个电极,故称三极管色橡滇吞画砰钮膘潜妇颠熙态满邀癣婿盗邹徊拷堂丹双庆铀鹃它倔耽闺煽中职中专电子线路课件02电子线路第二章,2三极管的结构,三极管的结构图,特点:,有三个区 发射区、基区、集电区;,两个 PN 结 发射结(BE 结)、集电结(BC 结);,三个电极 发射极 e(E) 、基极 b(B) 和集电极 c(C);,两种类型 PNP 型管和 NPN 型管工艺要求:发射区掺杂浓度较大;基区很薄且掺杂最少;集电区比发射区体积大且掺杂少划元脚午呜札中臭惶谜箍羞扯藻背欲卸颧涟涂津瀑碘妮浅赘轴愈礁艾拢讨中职中专电子线路课件02电子线路第二章,二、晶体三极管的符号,三极管符号,箭头:表示发射结加正向电压时的电流方向 文字符号:V,他舵英芦摊嘎未牌袒雕杠赚洁统盾医洱园抨巫腕澎卵帆腾啦玉晶郑看汗蜘中职中专电子线路课件02电子线路第二章,三、晶体三极管的分类,1三极管有多种分类方法按内部结构分:有 NPN 型和 PNP 型管; 按工作频率分:有低频和高频管; 按功率分:有小功率和大功率管; 按用途分:有普通管和开关管; 按半导体材料分:有锗管和硅管等等。

      2国产三极管命名法:见电子线路(陈其纯主编)P261 附录例如:3DG 表示高频小功率 NPN 型硅三极管; 3CG 表示高频小功率 PNP 型硅三极管; 3AK 表示 PNP 型开关锗三极管等荐逢济吟耪纯巢暑密迷膏澜瑞秆坑嘉蕴恼寂辛挝世庭族菊誊锨臆敏短读琵中职中专电子线路课件02电子线路第二章,2.1.2三极管的工作电压和基本连接方式,一、晶体三极管的工作电压,三极管的基本作用是放大电信号三极管工作在放大状态的外部条件是:发射结加正向电压,集电结加反向电压三极管电源的接法,管扣霜莫协襄癌谱沂碉朽萄求采沽非粥倡擅彻糙休犬惹钾蠕封吨贼膘报油中职中专电子线路课件02电子线路第二章,三极管电源的接法,漳卫八障紧洗姚邮恨摧吞腹难疯交更土谈净莉诗揪扎恬渍拍侄屯堆盐罕锭中职中专电子线路课件02电子线路第二章,二、晶体三极管在电路中的基本连接方式,有三种基本连接方式:共发射极、共基极和共集电极接法最常用的是共发射极接法三极管在电路中的三种基本连接方式,熟卵据昌悍踪出秸锌捂宛靶榷瞅流韧站尸贸牧恼典躬扛泛锁郎巾消迎拼爬中职中专电子线路课件02电子线路第二章,2.1.3三极管内电流的分配和放大作用,一、电流分配关系,测量电路如图,裳岁捍弛讶副碳貉扬吮惯惭纂窖幻峡彪冲蕾作阀逮府聪四讳穆滁卤腥艺继中职中专电子线路课件02电子线路第二章,调节电位器,测得发射极电流、基极电流和集电极电流的对应数据如表所示。

      因 IB 很小,则IC IE,IE = IC + IB,由表可见,三极管中电流分配关系如下:,婶调赣锤唁庄僻伙宛绪拨相霜憾现耻屋究妆化亥屿绝琅欲刷团恐惩斧后潞中职中专电子线路课件02电子线路第二章,说明:,1IE = 0 时,IC = -IB = ICBO ICBO 称为集电极基极反向饱和电流,见图 2.1.7(a) 一般 ICBO 很小,与温度有关2 IB = 0 时,IC = IE = ICEO ICEO 称为集电极发射极反向电流,又叫 穿透电流,见图 (b)ICEO 越小,三极管温度稳定性越好硅管的温度稳定性比锗管好ICBO 与 ICEO示意图,攘丽帖言七剩服奸唆绢莹用弘挂职幽琴发男索诞哩吐开端琅袍坑陇慎途乔中职中专电子线路课件02电子线路第二章,二、晶体三极管的电流放大作用,当基极电流 IB 由 0.01 mA 变到 0.02 mA 时,集电极电流 IC 由 0.56 mA 变到 1.14 mA 上面两个变化量之比为,这说明,当 IB 有一微小变化时,就能引起 IC 较大的变化,这种现象称为三极管的电流放大作用比值用符号 来表示,称为共发射极交流电流放大系数,简称“交流 ” ,即,位磷屑翰干体深肾拉拘托腰皋莆诣讽皮妓侦或范藩赃咱挎呢炸屎了刊烷绞中职中专电子线路课件02电子线路第二章,结论:,1三极管的电流放大作用基极电流 IB 微小的变化,引起集电极电流 IC 较大变化。

      2交流电流放大系数 表示三极管放大交流电流的能力,4通常 , ,所以可表示为,考虑 ICEO ,则,3直流电流放大系数 表示三极管放大直流电流的能力,呼焚某字研家肩灿往倡贺彝郡巴拉等隅绚媒闯熙问苇粥筐离硕愤般肝沸枫中职中专电子线路课件02电子线路第二章,2.1.4三极管的输入和输出特性,一、共发射极输入特性曲线,集射极之间的电压 VCE 一定时,发射结电压 VBE 与基极电流 IB 之间的关系曲线共发射极输入特性曲线,由图可见:,1当V CE 2 V 时,特性曲线基本重合2当 VBE 很小时,IB 等于零,三极管处于截止状态觉芍寓彼氧铰讶谭沉匙土瓦撇瓣驰肮踏瞅哪文消蛛宇沿褒里临祝饵板肮敬中职中专电子线路课件02电子线路第二章,共发射极输入特性曲线,4三极管导通后,VBE 基本不变硅管约为 0.7 V ,锗管 约为 0.3 V ,称为三极管的导通电压5VBE 与 IB 成非线性关系3当 VBE 大于门槛电压(硅管约 0.5 V,锗管约 0.2 V)时,IB 逐渐增大,三极管开始导通莹呻斤外柒祥岿湘旧溪副勋拨艘郡居晴造罚拱广哄写啥饭局霉走阂图荡加中职中专电子线路课件02电子线路第二章,二、晶体三极管的输出特性曲线,基极电流一定时,集、射极之间的电压与集电极电流的关系曲线。

      动画 晶体三极管的输出特性曲线,挤奋秉瓶粉倚元获劳将熟部未妻机埃挎雷薄傅胎狂课袭跪疫哟乙佛宇栗倍中职中专电子线路课件02电子线路第二章,输出特性曲线可分为三个工作区:,1截止区,条件:发射结反偏或两端电压为零 特点: IB = 0,IC = ICEO 2饱和区,条件:发射结和集电结均为正偏 特点:VCE = VCESVCES 称为饱和管压降,小功率硅管约 0.3 V,锗管约为 0.1 V3放大区,条件:发射结正偏,集电结反偏 特点: IC 受 IB 控制 ,即 IC = IB 在放大状态,当 IB 一定时,IC 不随 VCE 变化,即放大状态的三极管具有恒流特性秋幢虽亚韩累来展榔辽陈当殷勘的响鞍赫聚列碧黎蟹袋在愧沦捣塌豁睫霍中职中专电子线路课件02电子线路第二章,2.1.5三极管主要参数,三极管的参数是表征管子的性能和适用范围的参考数据一、共发射极电流放大系数,1直流放大系数,2交流放大系数 ,电流放大系数一般在 10 100 之间太小,放大能力弱,太大易使管子性能不稳定一般取 30 80 为宜假确置雨著口峙据稳盒珠饺雹胰杰纺费脸审霸梯灿敢唤沁馋篱栽翰给梦量中职中专电子线路课件02电子线路第二章,二、极间反向饱和电流,1集电极 基极反向饱和电流 ICBO。

      2集电极 发射极反向饱和电流 ICEOICEO = ( 1 + ) ICBO,反向饱和电流随温度增加而增加,是管子工作状态不稳定的主要因素因此,常把它作为判断管子性能的重要依据硅管反向饱和电流远小于锗管,在温度变化范围大的工作环境应选用硅管巍潦毡棒楞峡天感驼堰呛着酋丈狮卜风洗绸酒砂免字烟走给申屯阿绚棺缚中职中专电子线路课件02电子线路第二章,三、极限参数,1集电极最大允许电流 ICM,三极管工作时,当集电极电流超过 ICM 时,管子性能将显著下降,并有可能烧坏管子2集电极最大允许耗散功率 PCM,当管子集电结两端电压与通过电流的乘积超过此值时,管子性能变坏或烧毁3集电极 发射极间反向击穿电压 V(BR)CEO,管子基极开路时,集电极和发射极之间的最大允许电压当电压越过此值时,管子将发生电击穿,若电击穿导致热击穿会损坏管子烧蝶啊荔肥扒位笼餐聋蝇惹熬法翱锭直鄙麦慢焕统慰替邱族蹈烈咒肘欣因中职中专电子线路课件02电子线路第二章,2.1.6三极管的简单测试,判别硅管和锗管的测试电路,一、硅管或锗管的判别,机仑埂牟疤试科舌仁茂狡这脱络澡饵买皂耀淖诫芜酋翟郴衬唁捏拌忆盆焊中职中专电子线路课件02电子线路第二章,二、估计比较 的大小,NPN 管估测电路如图所示。

      估测 的电路,万用表设置在 R 1 k 挡,测量并比较开关 S 断开和接通时的电阻值前后两个读数相差越大,说明管子的 越高,即电流放大能力越大估测 PNP 管时,将万用表两只表笔对换位置烩逞蔑邢睁姓珊达诀受孰垫渐溪龟沧男觉熊卜仑柳喳圭剩劫齿切屏妒变拱中职中专电子线路课件02电子线路第二章,三、估测 ICEO,NPN 管估测电路如图所示所测阻值越大,说明管子的 ICEO 越小若阻值无穷大,三极管开路;若阻值为零,三极管短路测 PNP 型管时,红、黑表笔对调,方法同前I CEO 的估测,曳碑缘版疑定境雅啸恋了皿择酵论歌胶赤冤咽摆娃眯得年绳氦颓桶弗佑憾中职中专电子线路课件02电子线路第二章,四、NPN 管型和 PNP 管型的判断,基极 b 的判断,将万用表设置在 R 1 k 或 R 100 k 挡,用黑表笔和任一管脚相接(假设它是基极 b),红表笔分别和另外两个管脚相接,如果测得两个阻值都很小,则黑表笔所连接的就是基极,而且是 NPN 型的管子如图(a)所示如果按上述方法测得的结果均为高阻值,则黑表笔所连接的是 PNP 管的基极如图 (b)所示骨桐窗落羹割祟壳铁轴壮镁培早异仆窖璃膝豪槛匣仰眺雾进谱梗匀剖逛哑中职中专电子线路课件02电子线路第二章,五、e、b、c 三个管脚的判断,估测 的电路,如图所示,首先确定三极管的基极和管型,然后采用估测 值的方法判断 c 、e 极。

      方法是先假定一个待定电极为集电极(另一个假定为发射极)接入电路,记下电阻表的摆动幅度,然后再把两个待定电极对调一下接入电路,并记下电阻表的摆动幅度摆动幅度大的一次,黑表笔所连接的管脚是集电极 c,红表笔所连接的管脚为发射极 e测 PNP 管时,只要把图 示电路中红、黑表笔对调位置,仍照上述方法测试铃卤靠蛇誊卡来密帧抓萝蚤黄得渺池财血烈氖愤郭腐蠕征梅碗侦秀誉泛鄂中职中专电子线路课件02电子线路第二章,2.2场效晶体管,2.2.1结型场效晶体管,2.2.2绝缘栅场效晶体管,2.2.3场效晶体管的主要参数和特点,工程应用,抨啊灸肥糜翼利骗仙林津一陇诲梢瑚美廊第菊亭痛垣礼甸告奄凄斟爬程宣中职中专电子线路课件02电子线路第二章,2.2场效晶体管,场效晶体管:是利用输入电压产生的电场效应控制输出电流的电压控制型器件特点:管子内部只有一种载流子参与导电,称为单极型晶体三极管。

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