ZnO纳米阵列的水热合成教学文案.ppt

ZnO纳米阵列的水热合成 氧化锌是一种重要的直接带隙宽禁带半导体材料，室温下的带隙宽度为3.37 eV，激子结合能高达60 meV，具有从蓝光到紫外波段的发光性能，这使得氧化锌在光电器件方面有巨大的潜在应用价值和广泛发展的产业化前景ZnO纳米阵列的水热合成研究背景 实验方法ZnO纳米阵列的水热合成 首先在300℃ 的条件下在Si( 100) 片上磁控溅射1层厚度约为300nm 的ZnO缓冲层, 作为ZnO 纳米棒的生长衬底将2ml质量浓度为25%的浓氨水( 焦作信得化工) 加入70ml 浓度为0. 05mol/ L的ZnCl2 (上海新宝精细化工厂) 溶液中,加适量去离子水调整溶液的pH值到10. 0, 作为反应溶液将衬底垂直浸入反应溶液, 装入反应釜密封后置于温度为95 ℃ 的恒温水浴锅中反应时间分别为2、3、4、5h, 下文中将其分别称为1­4号样品ZnO纳米管的制备 将纯度为99. 99%的铜片垂直浸入反应溶液( 配置方法同ZnO 纳米棒制备实验) , 装入反应釜密封后置于温度设定为95℃ 的恒温水浴锅中经过2. 5h 加热后取出反应釜, 置于温度设定为45℃的恒温水浴锅中冷却。

取冷却时间为1. 5、2. 5、3. 5h 的样品, 分别命名为5­7号样品ZnO纳米阵列的水热合成ZnO纳米棒结果讨论 对1­4号样品，如果SEM显示的是ZnO 缓冲层很牢固而且致密地分布在Si 片上,XRD图只有一个峰，则说明所得物质为纳米棒阵列, 若相对强度很强, 说明磁控溅射的氧化锌缓冲层具较好的c 轴取向性如果有两个以上的峰，说明生成的不是纳米棒阵列若SEM图是随着反应时间的增加, ZnO 纳米阵列的长度和直径都有所增大, 说明反应所处的温度、pH 值等条件是ZnO纳米阵列生长的适合环境ZnO纳米阵列的水热合成 如果SEM图显示的是随着冷却时间的增加, 有越来越多的ZnO 纳米棒通过中间溶解的方式形成ZnO 纳米管, 而且溶解的深度也逐渐增加则说明纳米棒阵列在冷却的时候逐渐转变为纳米管阵列，并且在铜衬底上生长的ZnO纳米棒不如在溅射有缓冲层的Si 上生长的ZnO 纳米棒排列整齐、有序, 而ZnO 纳米棒之间的相互挤压也会影响ZnO 纳米管的形貌ZnO纳米阵列的水热合成ZnO纳米管结果讨论光学特性研究 在室温下用325nm 的激光激发7号样品，如果样品有两个发光区域, 其中在紫外区域的发光峰强度较强, 半高宽较窄, 而在可见光区域, 也存在一明显的发光峰, 只是强度相对较弱。

说明制得的ZnO 纳米管具有很好的光致发光特性ZnO纳米阵列的水热合成结束语ZnO纳米阵列的水热合成 通过本次科研实训，我学会了很多写论文的技巧，掌握了检索资料方法同时对纳米ZnO有了较全面的理解在此，我衷心的感谢云老师给予我细心指引与教导！ 结束语结束语谢谢大家聆听！！！谢谢大家聆听！！！12。