蓝光芯片工艺制程.ppt

单击此处编辑母版标题样式,,单击此处编辑母版文本样式,,第二级,,第三级,,第四级,,第五级,,*,,*,单击此处编辑母版标题样式,,单击此处编辑母版文本样式,,第二级,,第三级,,第四级,,第五级,,*,,*,报告部门：市场部 报告时间：,2011.10,蓝光芯片工艺制程,外延工艺,蓝宝石基板,AL,2,O,3,（透明不导电）,缓冲层：,GaN,外延工艺（,MOCVD,）,外延工艺,蓝宝石基板,AL,2,O,3,（透明不导电）,缓冲层：,GaN,n,型：,GaN-n,（掺杂,Si,）,外延工艺（,MOCVD,）,外延工艺,蓝宝石基板,AL,2,O,3,（透明不导电）,缓冲层：,GaN,n,型：,GaN-n,（掺杂,Si,）,量子阱（,MOQ,）：,4-8,层,,InGaN,GaN,一层,量子阱发光特点：,,GaN——InGaN,：紫外光（不可见）,——,蓝光,——,绿光,,,380nm——445nmm——525nm,,InGaNg,成分比例越多，波长越长,外延工艺（,MOCVD,）,外延工艺（,MOCVD,）,蓝宝石基板,AL,2,O,3,（透明不导电）,缓冲层：,GaN,n,型：,GaN-n,（掺杂,Si,）,量子阱（,MOQ,）：,4-8,层,p,型：,GaN-p,（掺杂,Mg,）,长晶层,4-5um,基板层,450-500um,透明电极制作工艺（蒸镀）,蓝宝石基板,AL,2,O,3,（透明不导电）,缓冲层：,GaN,n,型：,GaN-n,（掺杂,Si,）,量子阱（,MOQ,）：,4-8,层,p,型：,GaN-p,（掺杂,Mg,）,ITO,（,Indium Tin Oxides,铟锡金属氧化物）,SiO,2,保护层制作工艺（,PECVD,）,蓝宝石基板,AL,2,O,3,（透明不导电）,缓冲层：,GaN,n,型：,GaN-n,（掺杂,Si,）,量子阱（,MOQ,）：,4-8,层,p,型：,GaN-p,（掺杂,Mg,）,ITO,（,Indium Tin Oxides,铟锡金属氧化物）,,SiO,2,黄光显影曝光工艺（正光阻涂布）,蓝宝石基板,AL,2,O,3,（透明不导电）,缓冲层：,GaN,n,型：,GaN-n,（掺杂,Si,）,量子阱（,MOQ,）：,4-8,层,p,型：,GaN-p,（掺杂,Mg,）,ITO,（,Indium Tin Oxides,铟锡金属氧化物）,,SiO,2,,涂布正胶（曝光区域将被去除）,黄光显影曝光工艺（曝光）,蓝宝石基板,AL,2,O,3,（透明不导电）,缓冲层：,GaN,n,型：,GaN-n,（掺杂,Si,）,量子阱（,MOQ,）：,4-8,层,p,型：,GaN-p,（掺杂,Mg,）,ITO,（,Indium Tin Oxides,铟锡金属氧化物）,,SiO,2,,,光刻板,MARK,曝光,制作,ITO,图形,正胶,去除曝光光阻（刻蚀）,蓝宝石基板,AL,2,O,3,（透明不导电）,缓冲层：,GaN,n,型：,GaN-n,（掺杂,Si,）,量子阱（,MOQ,）：,4-8,层,p,型：,GaN-p,（掺杂,Mg,）,ITO,（,Indium Tin Oxides,铟锡金属氧化物）,,SiO,2,,正胶,化学清洗（去除,SiO,2,）,蓝宝石基板,AL,2,O,3,（透明不导电）,缓冲层：,GaN,n,型：,GaN-n,（掺杂,Si,）,量子阱（,MOQ,）：,4-8,层,p,型：,GaN-p,（掺杂,Mg,）,ITO,（,Indium Tin Oxides,铟锡金属氧化物）,,SiO,2,,正胶,化学清洗（去胶）,蓝宝石基板,AL,2,O,3,（透明不导电）,缓冲层：,GaN,n,型：,GaN-n,（掺杂,Si,）,量子阱（,MOQ,）：,4-8,层,p,型：,GaN-p,（掺杂,Mg,）,ITO,（,Indium Tin Oxides,铟锡金属氧化物）,,SiO,2,化学清洗（去除光阻和,ITO,）,蓝宝石基板,AL,2,O,3,（透明不导电）,缓冲层：,GaN,n,型：,GaN-n,（掺杂,Si,）,量子阱（,MOQ,）：,4-8,层,p,型：,GaN-p,（掺杂,Mg,）,ITO,（,Indium Tin Oxides,）,,SiO,2,蓝宝石基板,AL,2,O,3,（透明不导电）,缓冲层：,GaN,n,型：,GaN-n,（掺杂,Si,）,量子阱（,MOQ,）：,4-8,层,p,型：,GaN-p,（掺杂,Mg,）,ITO,（,Indium Tin Oxides,）,SiO,2,,,,制作,P,电极,蓝宝石基板,AL,2,O,3,（透明不导电）,缓冲层：,GaN,n,型：,GaN-n,（掺杂,Si,）,量子阱（,MOQ,）：,4-8,层,p,型：,GaN-p,（掺杂,Mg,）,ITO,（,Indium Tin Oxides,）,SiO,2,,,,,制作,P,电极,,光刻板,MARK,曝光,正胶,蓝宝石基板,AL,2,O,3,（透明不导电）,缓冲层：,GaN,n,型：,GaN-n,（掺杂,Si,）,量子阱（,MOQ,）：,4-8,层,p,型：,GaN-p,（掺杂,Mg,）,ITO,（,Indium Tin Oxides,）,SiO,2,,,,,制作,P,电极（去胶）,蓝宝石基板,AL,2,O,3,（透明不导电）,缓冲层：,GaN,n,型：,GaN-n,（掺杂,Si,）,量子阱（,MOQ,）：,4-8,层,p,型：,GaN-p,（掺杂,Mg,）,ITO,（,Indium Tin Oxides,）,SiO,2,,,,,制作,P,电极（去,SiO2,）,蓝宝石基板,AL,2,O,3,（透明不导电）,缓冲层：,GaN,n,型：,GaN-n,（掺杂,Si,）,量子阱（,MOQ,）：,4-8,层,p,型：,GaN-p,（掺杂,Mg,）,ITO,（,Indium Tin Oxides,）,SiO,2,,,,制作,P,电极（去胶）,蓝宝石基板,AL,2,O,3,（透明不导电）,缓冲层：,GaN,n,型：,GaN-n,（掺杂,Si,）,量子阱（,MOQ,）,p,型：,GaN-p,（掺杂,Mg,）,ITO,（,Indium Tin Oxides,）,SiO,2,,,,制作,P,电极（去胶）,,蓝宝石基板,AL,2,O,3,（透明不导电）,缓冲层：,GaN,n,型：,GaN-n,（掺杂,Si,）,量子阱（,MOQ,）,p,型：,GaN-p,（掺杂,Mg,）,ITO,（,Indium Tin Oxides,）,制作,P,电极（去胶）,,蓝宝石基板,AL,2,O,3,（透明不导电）,缓冲层：,GaN,n,型：,GaN-n,（掺杂,Si,）,量子阱（,MOQ,）,p,型：,GaN-p,（掺杂,Mg,）,ITO,（,Indium Tin Oxides,）,制作,P,电极（去胶）,,,,,,,蓝宝石基板,AL,2,O,3,（透明不导电）,缓冲层：,GaN,n,型：,GaN-n,（掺杂,Si,）,量子阱（,MOQ,）,p,型：,GaN-p,（掺杂,Mg,）,ITO,（,Indium Tin Oxides,）,制作,P,电极（去胶）,,,,,,,,,,负光阻（曝光区域留下）,蓝宝石基板,AL,2,O,3,（透明不导电）,缓冲层：,GaN,n,型：,GaN-n,（掺杂,Si,）,量子阱（,MOQ,）,p,型：,GaN-p,（掺杂,Mg,）,ITO,（,Indium Tin Oxides,）,制作,P,电极（去胶）,,,,,,,,,,,,蓝宝石基板,AL,2,O,3,（透明不导电）,缓冲层：,GaN,n,型：,GaN-n,（掺杂,Si,）,量子阱（,MOQ,）,p,型：,GaN-p,（掺杂,Mg,）,ITO,（,Indium Tin Oxides,）,制作,P,电极（去胶）,,,,,,,,,,,,蓝宝石基板,AL,2,O,3,（透明不导电）,缓冲层：,GaN,n,型：,GaN-n,（掺杂,Si,）,量子阱（,MOQ,）,p,型：,GaN-p,（掺杂,Mg,）,ITO,（,Indium Tin Oxides,）,制作,P,电极（去胶）,,,,,,,,,,,,,,蓝宝石基板,AL,2,O,3,（透明不导电）,缓冲层：,GaN,n,型：,GaN-n,（掺杂,Si,）,量子阱（,MOQ,）,p,型：,GaN-p,（掺杂,Mg,）,ITO,（,Indium Tin Oxides,）,制作,P,电极（去胶）,,,,,,,,,,,,,,,,蒸镀,Ti,、,Al,、,Cr,、,Au,蒸镀,Cr,、,Au,,,,,,蓝宝石基板,AL,2,O,3,（透明不导电）,缓冲层：,GaN,n,型：,GaN-n,（掺杂,Si,）,量子阱（,MOQ,）,p,型：,GaN-p,（掺杂,Mg,）,ITO,（,Indium Tin Oxides,）,制作,P,电极（去胶）,,,,,,,,,,,,,,蓝宝石基板,AL,2,O,3,（透明不导电）,缓冲层：,GaN,n,型：,GaN-n,（掺杂,Si,）,量子阱（,MOQ,）,p,型：,GaN-p,（掺杂,Mg,）,ITO,（,Indium Tin Oxides,）,制作,P,电极（去胶）,,,,,,,,,制作,P,电极（去胶）,。